Hoy - temprano, pasado mañana - tarde. Significado, origen, ejemplos del uso de unidades fraseológicas.

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PALABRAS ALADAS, UNIDADES FRASEOLOGICAS
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Palabras aladas, unidades fraseológicas. Significado, historia de origen, ejemplos de uso.

Palabras aladas, unidades fraseológicas

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Hoy es temprano, pasado mañana es tarde

Lenin V.I.

fraseologismo: Hoy - temprano, pasado mañana - tarde.

Significado: Sobre el momento de la finalización de algún trabajo.

Origen: Del libro Diez días que estremecieron al mundo (1919) de John Reid (1887-1920), periodista estadounidense, testigo y participante de la Revolución de Octubre. Según su testimonio, estas palabras fueron pronunciadas el 21 de octubre de 1917 por V. I. Lenin (1870-1924) sobre el momento del levantamiento armado contra el Gobierno Provisional de Rusia. En ruso, el libro de John Reed se publicó por primera vez en 1923.

Fraseología aleatoria:

Platón es mi amigo pero la verdad es más querida.

Significado:

La verdad, el conocimiento exacto, es el valor más alto y absoluto, y la autoridad no es un argumento.

Origen:

Del latín: Amicus Plato, sed magis amica veritas. En la literatura mundial, se encuentra por primera vez en la novela (parte 2, cap. 51) "Don Quijote" (1615) del escritor español Miguel Cervantes de Saavedra (1547-1616). Después del lanzamiento de la novela, la expresión se hizo mundialmente famosa. La fuente principal son las palabras del antiguo filósofo griego Platón (421-348 a. C.). En el Fedón, pone en boca de Sócrates estas palabras: "Sígueme, piensa menos en Sócrates y más en la verdad". Es decir, Platón aconseja a los alumnos que elijan la verdad y no la fe en la autoridad del maestro. Hay una frase similar en Aristóteles (siglo IV a. C.), quien en su obra "Ética a Nicómaco" escribió: "Que los amigos y la verdad me sean queridos, pero el deber me ordena dar preferencia a la verdad". En otros autores antiguos posteriores, esta expresión se encuentra en la forma: "Sócrates me es querido, pero la verdad es la más querida de todas". Por lo tanto, la historia de la famosa expresión es paradójica: su autor real, Platón, se convirtió al mismo tiempo en su "héroe", y fue en esta forma editada en el tiempo que las palabras de Platón ingresaron a la cultura mundial. Esta expresión sirvió de base para la formación de frases del mismo tipo, las más famosas de las cuales son las palabras del reformador de la iglesia alemana Martín Lutero (1483-1546). En su obra "Sobre la voluntad esclavizada" escribió: "Platón es mi amigo, Sócrates es mi amigo, pero se debe preferir la verdad".

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En la memoria FeRAM disponible en el mercado, el elemento de conmutación suele estar hecho de una piezocerámica, a saber, titanato de zirconato de plomo (PZT). La propiedad del material de mantener la polarización incluso después de la eliminación de una señal de control externa, un campo electromagnético, le da a la memoria FeRAM su propiedad más importante de independencia energética. Conserva los datos incluso cuando está apagado. Para imitar el trabajo del cerebro, esto es extremadamente importante. Pero en su forma actual, la celda FeRAM es demasiado grande y el "cerebro" con su uso será muy, muy grande.

Para la fabricación de sinapsis artificiales, son convenientes estructuras de película delgada de unos pocos átomos de espesor; esto dará tamaños pequeños, alta densidad y bajo consumo de energía. Resultó que el óxido de hafnio (HfO2) es un material ferroeléctrico bastante prometedor para las sinapsis artificiales de película delgada. Este material se deposita perfectamente desde un ambiente gaseoso utilizando métodos modernos para crear estructuras de película delgada con alta precisión y bajo un control confiable. Las temperaturas de los procesos de fabricación de películas son compatibles con la tecnología de proceso CMOS y no quemarán los elementos del chip durante el proceso de fabricación del chip.

Cierto problema era que las propiedades ferroeléctricas del HfO2 son relativamente inestables, pero la adición de circonio (Zr) resolvió este problema. Por lo tanto, el compuesto de óxido de hafnio-zirconio (HZO) ha demostrado ser uno de los fuertes candidatos para la fabricación de memorias utilizando ferroeléctricos y promete revolucionar el campo de la computación de memorias.

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