Negligencia. Significado, origen, ejemplos del uso de unidades fraseológicas.

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Negligencia

Proverbios y refranes

fraseologismo: Negligencia.

Significado: Actitud descuidada, desatenta hacia alguien o algo (desaprobado).

Origen: Bata - derivado de bata "ropa de casa". Una persona con ropa de casa no está dispuesta a pensamientos serios y no puede realizar un trabajo importante con alta calidad y precisión.

Fraseología aleatoria:

Etapas de un largo viaje.

Significado:

Sobre la vida, el trabajo, la trayectoria de combate, sobre la carrera de alguien (broma-hierro).

Origen:

Desde "La canción de Kakhovka" escrita por el compositor Isaac Dunayevsky hasta los versos del poeta Mikhail Arkadyevich Svetlov (1903-1964) para la película "Three Comrades" (1935) dirigida por S. Timoshenko: "Kakhovka es un rifle nativo, // ¡Bala caliente, vuela! Kakhovka, // Irkutsk y Varsovia, Orel y Kakhovka - // Etapas de un largo viaje". Kakhovka es un asentamiento bajo el cual, durante la Guerra Civil (14 de octubre de 1920), las tropas del Ejército Rojo derrotaron a las tropas del Barón Wrangel.

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Prototipo de memoria resistiva de Elpida 03.02.2012

Elpida, el tercer mayor fabricante de memorias del mundo, ha presentado un prototipo de memoria resistiva. El dispositivo no tiene paralelo y tiene una gran cantidad de ventajas sobre la memoria capacitiva utilizada en todas partes, combinando la velocidad de DRAM y la no volatilidad de NAND.

El nombre completo de la novedad es "Memoria de acceso aleatorio resistiva no volátil de alta velocidad" (ReRAM). La memoria está hecha con una tecnología de proceso de 50 nanómetros y la densidad de celda aquí es de 64 Mbps por arreglo. Además de Elpida, Sharp, la Universidad de Tokio y el Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología de Japón participaron en el desarrollo.

Muchos consideran que la memoria resistiva es una nueva etapa en el desarrollo de la tecnología informática. La esencia de la tecnología es el uso de un material especial que cambia su resistencia eléctrica bajo la influencia de los cambios de voltaje. A diferencia de DRAM, donde cada celda es un condensador y requiere recarga frecuente, aquí la información se puede almacenar independientemente de la fuente de energía. La velocidad de escritura del prototipo ReRAM presentado es de 10 ns, que es aproximadamente igual a la velocidad de escritura de DRAM.

La compañía no solo continuará investigando en esta dirección, sino que también planea comenzar la producción en serie para 2013, pero ya con una tecnología de proceso de 30 nanómetros.

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