Gigante. Significado, origen, ejemplos del uso de unidades fraseológicas.

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Palabras aladas, unidades fraseológicas. Significado, historia de origen, ejemplos de uso.

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Gigante

Mitología griega y romana antigua

fraseologismo: Gigante.

Significado: 1. Un hombre de estatura inusualmente alta y físico poderoso, un gigante, un gigante. 2. Una empresa muy grande en términos de tamaño e importancia. 3. El objeto es muy grande en comparación con su propia especie. 4. De una persona que se destaque en cualquier campo de actividad.

Origen: Los gigantes son gigantes en la mitología griega. En Hesíodo, los gigantes son deidades, los hijos de Gaia (Tierra), que fue impregnada con gotas de sangre que caían de los genitales amputados de Urano (Cielo), así como la semilla de su segundo marido, el cruel y terrible deidad Tártaro. Según Homero, seres salvajes, gigantescos y relacionados con los dioses (generados por Gaia), su rey Eurymedon fue asesinado por los dioses, con todo el pueblo, por maldad.

Fraseología aleatoria:

Sueño azul, flor azul.

Significado:

Un sueño idílico, muchas veces inalcanzable

Origen:

Según una versión, la expresión apareció bajo la influencia del popular cuento de hadas de M. Maeterlinck "El pájaro azul". Según otra versión, el volumen de negocios - un papel de calco inexacto del alemán "die blauе Blume" - "flor azul", se remonta a la novela del escritor alemán Novalis "Heinrich von Ofterdingen" (1802). La flor azul es un símbolo de un sueño elevado e irrealizable, soñado por un joven poeta.

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Renesas Electronics ha anunciado el lanzamiento de cinco nuevos chips de memoria de acceso aleatorio estático de bajo consumo (Advanced LP SRAM) en las series RMLV0816B y RMLV0808B. Tienen una densidad de 8 Mbit y están fabricados según los estándares de 110 nm.

¿Por qué utilizar un proceso técnico tan "aproximado", cuando los microcircuitos para dispositivos electrónicos móviles de consumo se han producido durante mucho tiempo de acuerdo con estándares mucho más finos?

Lo que pasa es que al aumentar los elementos, es posible aumentar la resistencia a la radiación. Según el fabricante, las fallas únicas (Soft Error o Single-Event Upset, SEU) y el latch-up del transistor (Latch-up) están excluidos en la nueva memoria.

La causa de fallas simples es el pulso de corriente que ocurre cuando un ion ingresa a la celda. Pone la celda en el estado opuesto, pero el circuito permanece en un estado saludable. Dado que el tamaño del transistor en los nuevos chips es relativamente grande, la conmutación requiere una carga tan grande que la probabilidad de falla tiende a ser cero. Además, se introduce un condensador especial en el circuito de la celda. A diferencia de la corrección de errores ECC, este enfoque evita que se produzcan varios errores al mismo tiempo. El uso de esta y otras técnicas, según Renesas, permitió obtener el mismo grado de resistencia a la radiación que en el caso de los microcircuitos fabricados según estándares de 150 nm.

En cuanto al enganche del transistor, es causado por un pulso de corriente inducido por iones, que conduce a la apertura de un circuito similar a un tiristor formado por estructuras parásitas de pares de transistores de diferentes tipos. Como resultado del bloqueo, la corriente a través de los transistores aumenta incluso después de que se detiene la exposición a los iones, lo que puede provocar un sobrecalentamiento y una falla del microcircuito. En la nueva memoria, solo los transistores de canal n se forman sobre un sustrato monocristalino, y los transistores de canal p se forman como transistores de película delgada utilizando silicio policristalino, lo que elimina la formación de un tiristor a partir de estructuras parásitas y elimina fundamentalmente el riesgo. de ruptura de transistores. En el camino, esto permitió reducir el área de la celda y el tamaño del cristal, acercando estos indicadores a los de la memoria producida según los estándares de 65 nm.

El consumo de corriente en espera es inferior a 2 µA a 25 °C, lo que hace que los chips sean adecuados para el almacenamiento de datos en dispositivos con respaldo de batería.

Renesas planea lanzar dicha memoria con una densidad de 16 Mbps.

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