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aquí están las recetas lacre de colores.

Lacre dorado

talco 20 g;
trementina veneciana 120 g;
polvo de bronce 50 g;
Goma laca 800 g.

Lacre verde 1er grado

trementina 280 g;
Goma laca 280 g;
trementina 35 g;
Verde cromo 190 g;
Yeso 40 g.

Lacre verde 2er grado

trementina 280 g;
Goma laca 260 g;
trementina 25 g;
Verde cromo 180 g;
Yeso 80 g.

Lacre verde 3er grado

trementina 280 g;
Goma laca 240 g;
trementina 20 g;
Verde cromo 170 g;
Yeso 110 g.

Lacre azul oscuro 1er grado

trementina 260 g;
Goma laca blanqueada 280 g;
aceite de trementina 20 g;
yeso 60 g;
Ultramar 140 años.

Lacre azul oscuro 2er grado

trementina 290 g;
Goma laca blanqueada 270 g;
aceite de trementina 20 g;
yeso 90 g;
Ultramar 140 años.

Lacre azul oscuro 3er grado

trementina 300 g;
Goma laca blanqueada 260 g;
aceite de trementina 20 g;
yeso 115 g;
Ultramar 140 años.

lacre azul

trementina veneciana 10 g;
resina de Borgoña 10 g;
resina Dammar 20 g;
Goma laca 20 g;
Ultramar 30 años.

Lacre negro 1er grado

Goma laca 180 g;
trementina veneciana 90 g;
colofonia 10 g;
Hollín y aguarrás a discreción.

Lacre negro 2er grado

Goma laca 80 g;
colofonia 30 g;
trementina 4 g;
Hollín a voluntad.

Lacre marrón claro 1er grado

Goma laca 70 g;
colofonia 30 g;
cinabrio 3 g;
Bolo rojo 15 g;
talco 2 g;
trementina veneciana 40 g;
Mela 10 años.

Lacre marrón claro 2er grado

Goma laca 75 g;
cinabrio 6 g;
trementina veneciana 40 g;
Bolo rojo 10 g;
tiza 5 g;
Talco 2 g.

Autor: Korolev V.A.

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El principio de funcionamiento de ReRAM es cambiar la resistencia del material bajo la influencia del voltaje. La memoria es no volátil, es decir, conserva su estado en ausencia de alimentación. Las ventajas de ReRAM sobre la memoria flash actualmente ampliamente utilizada incluyen, además de alta velocidad, mayor densidad, mayor durabilidad y menor consumo de energía.

El trabajo en la creación de ReRAM ha estado ocurriendo durante mucho tiempo. De informes recientes sobre este tema, podemos recordar las noticias sobre el prototipo de ReRAM, creado por Elpida Memory a principios de este año.

La diferencia entre el desarrollo de UCL y todos los anteriores radica en la nueva estructura de la celda de memoria, que consiste en óxido de silicio. Se caracteriza por una mayor eficiencia al cambiar la celda de un estado a otro. Bajo la acción de un voltaje de conmutación, se forman o destruyen "filamentos" de silicio en el óxido, disminuyendo o aumentando respectivamente la resistencia de la celda. Es importante que el chip funcione en condiciones normales y no en el vacío, como otros diseños en desarrollo, que también utilizan óxido de silicio.

Una característica interesante de la nueva memoria es la posibilidad de formarla en forma de finas películas transparentes, por ejemplo, integradas en las pantallas táctiles de los dispositivos móviles. En comparación con la memoria flash, la ReRAM basada en Londres consume unas mil veces menos energía y es unas cien veces más rápida.

Curiosamente, como ocurre en la ciencia, la nueva memoria no se creó a propósito: los investigadores estudiaron la posibilidad de utilizar óxido de silicio en los LED y llamaron la atención sobre la inestabilidad de los parámetros de la película de óxido y su capacidad para adoptar dos estados.

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