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Amplificador convertidor de señal ESL. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / diseñador radioaficionado

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El dispositivo que se ofrece a la atención de los lectores está diseñado para amplificar y convertir señales ESL. Antes del diseño se planteó la tarea de regulación independiente del rango y el componente constante de la señal de salida, y con la posibilidad de obtener pulsos tanto positivos como negativos incluso en el rango máximo.

Ambos reguladores en el amplificador no están bajo el voltaje de la señal de RF, por lo que pueden estar separados por cierta distancia entre sí, conveniente para el usuario. Junto con el generador de señales ESL, el amplificador de potencia se utilizó para establecer y estudiar dispositivos digitales y analógicos.

Principales características técnicas

  • Niveles lógicos de señal de entrada ECL, V alto .......-0,8
  • baja .......-1,6
  • Impedancia de entrada, kOhm no menos .......0,6
  • Impedancia de salida, ohmios ...... 50
  • Oscilación de voltaje de salida, V, no menos, a una carga con una resistencia de 50 Ohm ....... 2,5
  • Tiempo de subida y bajada de los pulsos de salida, ns, no más .......10
  • Desviación de la parte superior horizontal de los impulsos,%, no más .......5

Amplificador convertidor de señal ESL
Arroz. 1 (clic para agrandar)

El circuito amplificador se muestra en la figura. La etapa de entrada del amplificador es diferencial, ensamblada en los transistores VT1 y VT2 con un generador de corriente en el transistor VT4. Los diodos VD2 y VD3 establecen la tensión de referencia (-1,2 V). La diferencia entre los niveles lógicos ESL y el voltaje de referencia es de al menos 200 mV, que es suficiente para la conmutación completa de la etapa diferencial [1].

El seguidor de emisor en el transistor VT3 realiza la función de una fuente de alimentación de etapa diferencial ajustable. El nivel superior (positivo) del voltaje de salida depende del voltaje establecido por la resistencia R3.

Cuando cambia el voltaje en la base del transistor VT4, cambia la corriente de la etapa diferencial. La oscilación del voltaje de salida depende de esta corriente, y el nivel superior (positivo), establecido por el voltaje basado en el transistor VT3, prácticamente no cambia, y el nivel inferior (negativo) depende de la corriente del transistor VT4. Los pulsos rectangulares generados se alimentan a un seguidor de emisor hecho en un transistor VT5 con una fuente de corriente VT7 en el circuito emisor.

El transistor VT6, junto con las resistencias R15 y R16, forman un análogo de un diodo zener, diseñado para cambiar el nivel del componente constante, que es necesario para obtener un voltaje de salida multipolar.

La caída de voltaje en el LED HL1 se usa como referencia para la fuente de corriente en el transistor VT7.

La etapa de salida se basa en los transistores VT8, como seguidor de emisor y VT9, como fuente de corriente para él. La corriente es de aproximadamente 80 mA. El inductor L1 aumenta la impedancia de salida de la fuente de corriente a alta frecuencia aumentando la impedancia del circuito emisor. El diodo Zener VD5 reduce la potencia disipada por el transistor VT8. La resistencia R22 determina la impedancia de salida del amplificador y la empareja con la carga.

Las resistencias en los circuitos base de los transistores VT1, VT3, VT4, VT5, VT8, VT9 evitan que se produzca una autoexcitación parásita del amplificador.

Los niveles lógicos de entrada del amplificador se pueden cambiar mediante la selección adecuada del voltaje de referencia basado en el transistor VT2, pero debe asegurarse de que no haya saturación de los transistores de etapa diferencial.

No diseñé la placa de circuito impreso del amplificador. Lo ensamblé en bastidores hechos de resistencias MLT-0,25 con una capa conductora y sin cables, soldados a una placa de lámina de fibra de vidrio.

Al elegir los transistores, debe recordarse que, con la excepción de VT3, VT6, VT7, todos deben tener una frecuencia de corte del coeficiente de transferencia de corriente base de al menos 900 MHz. Disipación de potencia permitida del transistor VT7: no menos de 200 mW; para facilitar el régimen térmico, se debe colocar un disipador de calor en su cuerpo en forma de espiral de alambre de cobre o latón con un diámetro de 0,5 ... 1 mm, enrollado en un anillo [2].

Choques L1 - DM-0,6, L2 y L3 - DPM-1,2.

El voltaje de estabilización del análogo de diodo zener en el transistor VT6 debe ser de aproximadamente 5 V, se configura seleccionando la resistencia R15. En lugar del transistor VT6, puede usar el estabilizador KR142EN19 (TL431): la salida de control está conectada como la base del transistor, el cátodo, como colector, el ánodo, como emisor. En este caso, se debe seleccionar la resistencia R16, no R15. El óptimo debe corresponder a la relación R15-R16.

Los transistores de salida VT8 y VT9 deben instalarse en disipadores de calor con un área útil de al menos 50 cm2.

Para ajustar el amplificador, los controles deslizantes de las resistencias variables R2 y R3 se colocan en la posición superior de acuerdo con el esquema y se alimentan a la entrada pulsos rectangulares con niveles de ESL con una frecuencia de 1 ... 2 kHz. Una selección de la resistencia R15 logra la ausencia de un componente constante en la salida. Asegúrese de que los transistores VT1 y VT2 no entren en saturación en la posición inferior del motor R3 según el esquema (el voltaje en el colector de transistores siempre debe ser mayor que el voltaje base).

Cargando el amplificador con una resistencia de 50 ohmios y aumentando la frecuencia a unos 100 kHz, utilizando un osciloscopio, comprueban la forma de los pulsos de salida (la pendiente del frente y la caída de los pulsos, la amplitud de los picos, la horizontalidad de la parte superior).

Literatura

  1. Naiderov V. Z., Golovanov A. I., Yusupov Z. F., Getman V. P., Galperin E. I. Dispositivos funcionales en microcircuitos. - M.: Radio y comunicación, 3, p. 3-1985.
  2. Plotnikov V. Radiador para dispositivos semiconductores de baja potencia. - Radio, 1973, N° 7, p.27.

Autor: E. Mammadov

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