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Balastos electrónicos. Balastros electrónicos en miniatura basados ​​en el chip IR53HD420. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Balastos para lámparas fluorescentes

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¡Atención! El diseño está conectado galvánicamente a la red eléctrica. Potencialmente en peligro la vida debido a una posible descarga eléctrica. Por lo tanto, en la fabricación, prueba, ajuste y operación, se debe recordar la estricta observancia de las medidas de seguridad eléctrica.

El diseño debe hacerse de tal manera que excluya el contacto accidental con terminales desnudas de conductores o partes. Al verificar el funcionamiento de la estructura, no debe tocar ninguna de sus partes o circuitos con las manos, y soldar las partes que se reemplazarán solo cuando se retire el enchufe de la toma de corriente.

Considerar balasto electrónico en miniaturahecho en un microcircuito híbrido IR53HD420 (IR51HD420), que tiene transistores de potencia incorporados y un diodo de refuerzo de voltaje. Los balastos electrónicos subminiatura basados ​​en el chip híbrido IR51HD420 están diseñados para funcionar con lámparas individuales con una corriente de hasta 0,3 A y se usan ampliamente con lámparas fluorescentes compactas. El diagrama estructural de IR53HD420/IR51HD420 se muestra en la fig. 3.20.

La familia IR53Hxxx / IR51Hxxx con transistores de potencia integrados incluye varios microcircuitos con diferentes parámetros, cuyas características principales se dan en la Tabla. 3.4.

Arroz. 3.20. Diagrama estructural de IR53HD420/IR51HD420

Tabla 3.4. Características de la viruta

Nota a la tabla. 3.4. HD - con diodo de refuerzo integrado; H - sin diodo.

Los parámetros principales de IR51HD420 son similares a IR2151, IR2153. Los dos transistores HEXFET de canal n (IRFC51) integrados en el IR420HD420 tienen los siguientes parámetros:

• corriente de drenaje máxima continua I_D -1,2 A;
• corriente de drenaje continua recomendada I_D - 0,7 A;
• voltaje máximo de drenaje-fuente V_DS - 500 V;
• disipación de potencia máxima P_D - 2-3 W;
• resistencia del canal de interruptores de potencia en estado abierto R_DS - 3,0 ohmios.

El diagrama esquemático de un balasto electrónico en miniatura se muestra en la fig. 3.21.

Arroz. 3.21. Diagrama esquemático de un balasto electrónico en miniatura construido en IR53HD420 (haga clic para ampliar)

¿Cómo funciona? similar al balasto electrónico en el IR2153, que ya hemos discutido anteriormente.

El inductor de filtro de red L1 se enrolla en un anillo de ferrita K20x12x6 M2000NM con un cable de red de dos núcleos (o MGTF doblado por la mitad) hasta que la ventana esté completamente llena. Los filtros EPCOS especializados proporcionan buenos resultados de supresión de ruido en combinación con dimensiones en miniatura: B84110-B-A14, B84110-A-A5, B84110-A-A10, B84110-A-A20.

Para hacer un espacio, es necesario colocar juntas de material no magnético (fibra de vidrio no laminada o getinax) de 0,4 mm de espesor entre las superficies de contacto de las mitades del circuito magnético y fijarlas con pegamento epoxi.

El valor de la inductancia del inductor (con un número constante de vueltas) depende del valor del espacio no magnético. Con una disminución en la brecha, la inductancia aumenta, con un aumento, disminuye.

Devanado L2: 180 vueltas de cable PEV-2 con un diámetro de 0,25 mm. Aislamiento entre capas - tela barnizada. Bobinado - vuelta a vuelta.

Puente de diodos VD1 - RS207 importado, corriente continua admisible 2 A, voltaje inverso 1000 V. Puede ser reemplazado por cuatro diodos con los parámetros apropiados.

El chip híbrido IR51HD420 se puede reemplazar con IR53HD420, IR51H420, IR53H420.

Consejo. Cuando utilice IR51H420, IR53H420, debe tener en cuenta que estos microcircuitos no tienen un diodo de refuerzo de voltaje incorporado (entre los pines 1 y 6), y debe instalarse. El diodo utilizado en este caso debe ser de clase ultrarrápida (superfast) con los siguientes parámetros: tensión inversa 400 V; corriente directa continua permitida - 1 A; tiempo de recuperación inversa - 35 ns.

Se adapta a 11DF4, BYV26B/C/D, HER156, HER157, HER105-HER108, HER205-HER208, SF18, SF28, SF106-SF109. El diodo debe ubicarse lo más cerca posible del chip.

R3, C5, Sat - Elementos SMD para montaje en superficie (C6 para 60 V). Condensadores C1, C2, C7 - K73-17. C1, C2 - para 630 V, C7 - para 400 o 630 V; C3 - electrolítico (dos 10 microfaradios en paralelo) importado para una tensión nominal de al menos 350 V; C4 - electrolítico para 25 V; C8 - polipropileno K78-2 para 1000 V.

Varistor RU1 de EPCOS - S14K275, S20K275, reemplace con TVR (FNR) 14431, TVR (FNR) 20431 o CH2-1a-430 V doméstico.

R1 - cable 2,2-4,7 Ohm con una potencia de 1-2 W, se puede reemplazar con un termistor (termistor) con un coeficiente de temperatura negativo (NTC - Coeficiente de temperatura negativo) - SCK 105 (10 Ohm, 5 A) o de EPCOS -B57234-S10-M, B57364-S100-M.

RK2 es un posistor, lo mismo que en el balasto electrónico en IR2153.

El balasto se ensambla en una placa de circuito impreso hecha de lámina de fibra de vidrio y se coloca en una carcasa blindada de aluminio. La placa de circuito impreso y la disposición de los elementos se muestra en la fig. 3.22. Las recomendaciones de ajuste son similares a las discutidas en la sección sobre el balasto electrónico en el IR2153.

Arroz. 3.22. Placa de circuito impreso y disposición de elementos.

Autor: Koryakin-Chernyak S.L.

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