Diodos de potencia. Esquema, descripción

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Dispositivos semiconductores de potencia. Diodos de potencia. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Diodos no son solo componentes individuales, sino que se pueden utilizar en módulos. A menudo, los diodos son una parte integral de los módulos de transistores. Los tipos de módulos de diodos típicos se muestran en la fig. 7.7.

diodos de potencia
Arroz. 7.7. Módulos de diodos típicos: a - módulo doble; b- puente de diodos; c - puente trifásico; d - módulo de doble diodo-transistor

diodos de uso general tener las siguientes características:

tener un tiempo de recuperación relativamente largo (25 ns);
utilizado en dispositivos de baja frecuencia (1 kHz);
tener un alto nivel de corriente (1-10000 A);
tener un alto nivel de voltaje (50-5000 V);
por lo general se fabrica mediante un proceso de difusión.

Diodos Rápidos tener las siguientes características:

tener un tiempo de recuperación pequeño (bajo) (menos de 5 ns);
se utilizan tanto en fuentes de alimentación conmutadas como en circuitos inversores;
tener un nivel de corriente suficientemente alto (1-3000 A);
tener un nivel de voltaje suficientemente alto (50-2000 V);
para un nivel de tensión de unos 400 V, estos diodos utilizan un sustrato epitaxial para una conmutación más rápida, con un tiempo de recuperación de 50 ns.

Diodos Schottky tener las siguientes características:

la barrera de potencial creada en la unión silicio-metal del ánodo elimina el problema de la acumulación de carga, la capa de metal se deposita sobre la delgada capa de N epitaxial;
no hay portadores minoritarios, por lo que el tiempo de recombinación es cero y el proceso de cambio depende únicamente de los portadores mayoritarios;
el tiempo de recuperación se ve afectado por la capacitancia de la unión de silicio-metal;
tener una caída de voltaje directo relativamente baja debido al nivel de concentración de impurezas, esto implica un potencial de barrera (0,2-0,9 V);
mayor corriente de fuga (hasta 100 mA);
bajo nivel de corriente (1-300 A);
bajo nivel de tensión (<100 V).

Diodos de potencia Zener (diodos Zener semiconductores) tener las siguientes características:

fuertemente dopado y diseñado para trabajar en el campo de la ruptura de avalanchas;
la potencia continua tiene un valor promedio (250 mW - 75 W);
se puede utilizar para suprimir interferencias como limitador, mientras absorbe hasta 50 kW en un pulso.

Autor: Koryakin-Chernyak S.L.

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