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Regulador de potencia. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Reguladores de potencia, termómetros, estabilizadores de calor

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Usando transistores de efecto de campo potentes relativamente baratos con una puerta aislada (MIS - transistores), puede hacer un buen dispositivo para controlar la potencia de lámparas incandescentes, soldadores y otros equipos. La principal diferencia entre el diseño propuesto en este artículo y los descritos anteriormente en las páginas de la revista Radio es el bajo consumo de corriente en los circuitos de control, control de potencia más suave, especialmente en la sección inicial de la característica de control.

El diagrama esquemático del dispositivo se muestra en la fig. una.

Regulador de potencia
(haga clic para agrandar)

En el elemento DD1.1, se ensambla un moldeador de pulsos rectangulares, cuya forma es cercana al "meandro". Los frentes y caídas de estos pulsos coinciden en el tiempo con los momentos en que la tensión de red pasa por cero. Los pulsos se alimentan al circuito diferenciador C3R3 y al inversor DD1.2. Después de pasar por el inversor, van más allá de la cadena C4R4. Los diodos VD4, VD5 forman un elemento OR para pulsos diferenciados que llegan a través del divisor R7R8 a la entrada (pin 8) del elemento DD1.3, que funciona como comparador. El condensador C5 proporciona una regulación de voltaje suave, lo cual es especialmente importante para las lámparas incandescentes.

Al mover el control deslizante de la resistencia R5 (Fig. 2), el voltaje en el punto A cambia y, por lo tanto, el ciclo de trabajo de los pulsos en la salida (pin 10) del elemento DD1.3. Además, con un aumento de este voltaje, el ciclo de trabajo aumenta hasta la desaparición completa de los pulsos y el establecimiento de un nivel de registro en la salida del elemento DD1.3. 0 en la posición superior del deslizador de la resistencia R5 según el diagrama, que corresponde a la descarga. Cuando el voltaje en el punto A disminuye, el ciclo de trabajo de los pulsos disminuye hasta que se fusionan por completo y establecen un nivel de registro en la salida del elemento DD1.3. 1. Esto sucede en la posición inferior del control deslizante de la resistencia R5 y corresponde a una carga completamente encendida.

Regulador de potencia

La capacitancia de entrada de los potentes transistores de efecto de campo es significativa. Se requieren grandes corrientes para recargar rápidamente esta capacitancia y, por lo tanto, la rápida conmutación del transistor. Por esta razón, la señal se alimenta a la puerta del transistor VT3 a través de un amplificador de corriente hecho en los transistores VT1, VT2. El transistor VT3 se abre cuando el voltaje de la red está cerca de cero y se cierra a un voltaje determinado por la posición del control deslizante de la resistencia R5.

El regulador de potencia utiliza resistencias fijas MLT-0D25, variable SP-1; condensadores de óxido - K50-35, el resto - KM-6. Los diodos KD226D (VD1, VD2 y VD6-VD9) se pueden reemplazar con cualquiera con un voltaje inverso de al menos 400 V y una corriente continua máxima de al menos 1 A. Reemplazaremos el diodo Zener D814B (\/D3) con otro uno con un voltaje de estabilización de 9V. No es deseable reemplazar el chip K176DE5 (DD1) con otros, como la serie K561. El hecho es que a voltajes de entrada diferentes de los niveles 0 y 1, surgen corrientes en los microcircuitos CMOS [1] y, como han demostrado las mediciones, incluso en un modo estático a voltajes de entrada cercanos al umbral, pueden consumir corriente de cientos de microamperios (para microcircuitos de la serie K176) y hasta decenas de miliamperios (para microcircuitos de la serie K561). Con un aumento en el voltaje de suministro, la corriente consumida aumenta bruscamente. También resultó que si en una de las entradas del microcircuito el voltaje corresponde al umbral, y en los otros, 0 o 1, la corriente consumida es aproximadamente un 20% menor, si hubiera un umbral de voltaje en todas las entradas. Teniendo esto en cuenta, las entradas no utilizadas deben conectarse a un cable común.

En lugar del microcircuito K176LE5, puede usar M76LA7, pero sus entradas (pines 2,5,9, 10, 14) deben conectarse al pin 3102 a través de resistencias de 107 kΩ. Un potente transistor de efecto de campo con una puerta aislada y un canal tipo n KP1A2 se puede reemplazar con el KP707V1 que se usa en las fuentes de alimentación de televisión [707, 2]. Se obtienen buenos resultados con los transistores BUZ2, ya que su capacitancia de entrada es casi un orden de magnitud inferior a la del KP3A90.

El diseño del regulador puede ser cualquiera. Solo es necesario que la longitud de los conductores de conexión sea lo más corta posible. El transistor VT3 está montado sobre un disipador de calor de duraluminio con un área de 24 cm2. Las entradas libres del elemento DD1.4 (pines 12 y 13) se conectan al pin 14 DD1.

Para configurar el regulador, necesitará un osciloscopio con una impedancia de entrada de al menos 1 mΩ. Comienza encendiendo el dispositivo sin carga. Al mover el control deslizante de la resistencia R5, se debe observar un cambio en el ciclo de trabajo de los pulsos en el pin 10 del elemento DD1.3. Luego verifique el voltaje en el diodo zener VD3 en todas las posiciones del motor R5 y, si cae por debajo de 7 V, reduzca la resistencia de la resistencia R1. A continuación, en lugar de la carga, se conecta la resistencia MLT-1 con una resistencia de 100 ... 300 kOhm y se especifican los límites de ajuste de potencia. Para hacer esto, el motor de la resistencia R5 se configura en la posición superior de acuerdo con el diagrama y al seleccionar la resistencia R7, se encuentra su valor mínimo, en el que no hay pulsos en el pin 10 del elemento DD1.3, y el voltaje corresponderá al nivel de registro. 0. Luego, el control deslizante de la resistencia R5 se mueve a la posición más baja y se selecciona la resistencia máxima posible de la resistencia R6. en el cual, en el pin 10 del elemento DD1.3, el voltaje corresponderá al nivel de registro. 1.

Posteriormente, se verifica el funcionamiento del dispositivo en diferentes posiciones del motor de la resistencia R5, controlando la forma de onda en la carga. En el caso de autoexcitación del dispositivo, se elimina seleccionando la capacitancia del capacitor C2. Cabe señalar que en las posiciones extremas del motor de la resistencia R5, es posible una ligera asimetría del voltaje en la carga. Puede reducirlo seleccionando los condensadores C3, C4 y las resistencias R3, R4.

Si es necesario conectar una carga más potente, los diodos VD6 - VD9 se reemplazan por otros más potentes y aumentan el área del disipador de calor del transistor VT3. También es posible conectar varios transistores de efecto de campo en paralelo.

Sobre la base del regulador considerado, es posible hacer un dispositivo para encender y apagar suavemente las lámparas incandescentes. Para hacer esto, retire las resistencias R5. R6, entre los puntos A y B, se instalan dos resistencias conectadas en serie con una resistencia de 47 kOhm. Se instala un interruptor entre el punto de conexión de estas resistencias y el punto B. El condensador C5 se reemplaza por otro con una capacidad de 47 microfaradios y un voltaje de operación de 25 V. Está permitido excluir el amplificador de corriente (VT1, VT2 y R10) y reducir la resistencia de la resistencia R9 a 12 kOhm.

Es conveniente instalar el dispositivo cerca de la caja de conexiones. Paralelamente al interruptor, puede instalar el circuito ejecutivo del optoacoplador, cuya parte LED recibe señales de un dispositivo de programación externo, por ejemplo, descrito en [4]. Él. en ausencia de los propietarios del apartamento, encenderá la luz durante algún tiempo por la noche, ahuyentando así a los "invitados" no invitados.

Al configurar el regulador, se debe tener especial cuidado, ya que el dispositivo no tiene un aislamiento galvánico de la red.

Literatura

  1. Zeldin EA Circuitos integrados digitales en equipos de medida de la información. - L.: Energía atomizada. Sucursal de Leningrado, 1986.
  2. Petukhov V, M. Campo y transistores bipolares de alta frecuencia de potencia media y alta y sus análogos extranjeros. Directorio. T. 3 - M.: KubK-a, 1997.
  3. Perelman B. L. Dispositivos semiconductores. Directorio. - Solón. Microtecnología, 1996.
  4. Vinogradov Yu. Automático "luz de la tarde". - Radio, 1994, N° 11, pág. 28 - 30.

Autor: S. Zorin, Znamensk, región de Astrakhan

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