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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA
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Dispositivo de protección para equipos de alta corriente. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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El dispositivo propuesto está diseñado para proteger equipos que consumen una corriente pulsada importante de una fuente de voltaje DC (UMZCH, transceptores, etc.). El dispositivo desconecta la carga en caso de aumento o disminución excesivos de la tensión de alimentación. Los umbrales de protección se pueden ajustar en un amplio rango. Las reducidas dimensiones del dispositivo permiten integrarlo en la carga alimentada.

Cuando los equipos de radio de alta potencia y bajo voltaje se alimentan de fuentes aleatorias no estándar, incluidas las baterías de automóviles, es muy importante protegerlos de polaridad inversa y voltaje de suministro inaceptable (demasiado alto o bajo). En el primer caso, puede aplicar el truco clásico: un fusible y un diodo potente conectado por el cátodo al positivo y por el ánodo al bus de alimentación negativo. Para el segundo caso, se ha desarrollado el dispositivo propuesto, que se incluye en la línea de alimentación de la carga y se puede incorporar a la carga. El esquema del dispositivo se muestra en la fig. una.

Dispositivo de protección para equipos de alta corriente. Diagrama del dispositivo

La carga es conmutada por un potente transistor de efecto de campo de canal p clave IRF4905 (VT1), que está controlado por dos microcircuitos, reguladores de voltaje paralelos, KR142EN19 (DA1 y DA2), que funcionan en modo comparador. Si el voltaje en la entrada del microcircuito KR142EN19 es inferior a su umbral de conmutación (2,5 V), entonces el microcircuito se cierra y consume una corriente de aproximadamente 1 μA. De lo contrario, la corriente a través del microcircuito aumenta bruscamente (con una inclinación de aproximadamente 2 A / V), por lo que está limitada por elementos externos para que no exceda los 100 mA. En el chip DA1, se ensambla un nodo que responde a un aumento en el voltaje de suministro, y en DA2, a una disminución. La característica del dispositivo se muestra en la fig. 2.

Dispositivo de protección para equipos de alta corriente. Calendario

Considere un aumento suave en el voltaje de suministro. Siempre que sea inferior a 10 V, ambos microcircuitos están cerrados y la corriente a través de la resistencia R7 es pequeña. El voltaje a través de esta resistencia no es suficiente para abrir el transistor VT1, la carga está apagada, el LED HL1 está apagado. Cuando el voltaje de suministro sube a 10 V, el voltaje en la entrada de control del chip DA2 alcanzará los 2,5 V y el chip se abrirá. La corriente a través de él aumentará, el voltaje a través de la resistencia R7 aumentará y el transistor se abrirá y conectará la carga. Debido a la baja resistencia de canal del transistor abierto VT1 (0,02 ohmios), la caída de voltaje será pequeña y casi todo el voltaje de entrada se suministra a la carga. El LED HL1 indica el estado de encendido de la carga. Cuando el voltaje de suministro alcanza los 16 V, el chip DA 1 se abre, el voltaje no supera los 2 V, como resultado, el chip DA 2 se cierra, el transistor VT1 también se cierra y desconecta la carga. El LED HL1 se apagará.

Con una disminución suave en el voltaje de suministro, la carga se encenderá a un voltaje de 15 V y se apagará a 9 V. Por lo tanto, cada umbral de conmutación tiene una histéresis, lo que aumenta la confiabilidad de la conmutación y elimina la conmutación múltiple de la carga. cuando un voltaje de suministro inestable fluctúa en el nivel de umbral. La histéresis del umbral superior se realiza mediante retroalimentación positiva a través de la resistencia R6, el umbral inferior, a través de la resistencia R8. Los umbrales de respuesta indicados anteriormente se pueden cambiar en un amplio rango: el superior, con una resistencia de sintonización R1, el inferior, R4. El aumento de la resistencia de las resistencias R 6 reduce la histéresis del umbral superior, R 8 - inferior. Para reducir el efecto de la interferencia, los condensadores C1 y C3 se incluyen en el circuito de retroalimentación negativa de los microcircuitos, pero se debe tener en cuenta que reducen la velocidad del dispositivo. Con una corriente de carga de 10 A, la caída de tensión en el transistor abierto VT1 no superará los 0,2 V y la disipación de potencia no superará los 2 W, por lo que el transistor se puede utilizar sin disipador de calor. A 20 A, la disipación de potencia puede alcanzar los 8 W, por lo que se requiere un pequeño disipador de calor o dos transistores en paralelo. La tensión de alimentación, teniendo en cuenta las ondas, debe ser inferior a la tensión máxima permitida de los microcircuitos: 30 V.

Construcción y detalles

Transistor IRF 4905 (VT 1): efecto de campo con un canal p en el paquete TO-220 o IRF4905L en el paquete TO-262, también puede usar el IRFU5305 en el paquete TO-251AA. El chip KR142EN19 (DA1 y DA2) se puede reemplazar por un análogo extranjero TL 431 CLR. Todos los condensadores: K10-17 o resistencias fijas importadas similares: P1-4, MLT, S2-33, sintonización: SPZ-19. Para estas partes, se calcula un tablero, cuyo dibujo se muestra en la Fig. 3. Está hecho de lámina de fibra de vidrio de un solo lado.

Dispositivo de protección para equipos de alta corriente. Placa de circuito impreso y disposición de elementos.

Si es necesario reducir las dimensiones generales del dispositivo, entonces es necesario usar piezas montadas en la superficie: transistor VT 1 IRF 4905 S - en el paquete D 2-Pak o IRFR 5305 - en el paquete D - Pak, DA1 y microcircuitos DA2 TL431CD - en el paquete SOP -8, recortadores PVZ, resistencias fijas y condensadores - tamaño 1206. En la fig. 4, fotografía del tablero montado - en la fig. 5.

Dispositivo de protección para equipos de alta corriente. placa de circuito impreso

Dispositivo de protección para equipos de alta corriente. Ubicación de los elementos

Dispositivo de protección para equipos de alta corriente. Apariencia del dispositivo.

LED HL1 puede aplicar cualquier espectro de radiación visible de baja potencia. La resistencia de la resistencia R 9 se elige de modo que, en el voltaje máximo de suministro de carga, la corriente a través del LED no exceda el valor máximo permitido. El LED HL1 y la resistencia R9 se instalan fuera de la placa mediante montaje en superficie. Estos elementos sólo son necesarios si la carga no tiene indicación propia.

Establecimiento se reduce a establecer los umbrales de conmutación ajustando las resistencias R1 y R4, los valores requeridos de histéresis se establecen seleccionando las resistencias R6 y R8.

Autor: I. Nechaev, Kursk; Publicación: cxem.net

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