Indicador de radiación del horno microondas. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
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Los hornos microondas domésticos, que se han generalizado, están certificados por los fabricantes de KVK como seguros para el usuario. De hecho, el nivel de radiación externa de microondas de la gran mayoría de ellos al salir de fábrica está significativamente por debajo del nivel máximo permitido según las normas sanitarias. Sin embargo, después de un uso prolongado, la sujeción de la puerta de la cámara de calentamiento del horno se debilita y aparecen espacios entre ésta y el cuerpo. El crecimiento de la radiación también se ve facilitado por los residuos de alimentos que se adhieren al área de contacto entre la puerta y la carrocería. Finalmente, la radiación puede aumentar considerablemente después de reparaciones realizadas por personal no especializado.
Por supuesto, es imposible evaluar con precisión el grado de cumplimiento de un horno microondas con las normas sanitarias utilizando el indicador simple propuesto. Sin embargo, ayudará a detectar el aumento del nivel de radiación de manera oportuna.
El diagrama del indicador se muestra en la figura.
El diodo VD1 sirve como detector de una señal inducida en sus terminales por radiación de microondas. La inductancia y capacitancia del par trenzado de cables que conectan el diodo al resto de elementos del dispositivo son suficientes para filtrar los componentes de alta frecuencia de la señal detectada. Su envolvente se amplifica mediante la cascada del amplificador operacional DA1.1. El uso del microcircuito LM324 (puede ser reemplazado por K1401UD2, KR1435UD2 y otros similares), capaz de operar a un voltaje de entrada cercano al potencial del bus de alimentación negativo, permitió deshacerse de los circuitos de polarización cero y simplificar significativamente el circuito de sensores.
El magnetrón de un horno microondas genera ráfagas de oscilaciones con una frecuencia de 50 Hz; los pulsos a la salida del amplificador operacional tienen la misma frecuencia. Si su amplitud excede un cierto valor umbral, el LED HL1, conectado a la salida del amplificador operacional a través de un interruptor seguidor en el transistor VT1, parpadea. El dispositivo funciona con una batería de elementos galvánicos GB1 con una tensión de 9 V - “Krona” o similar. Botón SB1 - interruptor de encendido.
Al comprobar un horno microondas doméstico, el detector se encuentra en la zona cercana de su radiación. El campo aquí se caracteriza por la irregularidad y la ausencia de un frente de onda plano. En esta situación, una antena eléctricamente corta (significativamente más corta que la longitud de onda) es óptima para el indicador. Por este motivo, se utilizaron como antena los cables del propio diodo VD1. Está montado en la carcasa de un bolígrafo y conectado al indicador mediante un cable flexible de dos hilos.
Hay que decir que el indicador propuesto es de banda muy ancha. Es sensible no sólo a la fundamental (frecuencia - 2450 MHz, longitud de onda - aproximadamente 12 cm), sino también a los armónicos superiores de la radiación del magnetrón, hasta el cuarto y quinto (frecuencias 9800 y 12250 MHz, respectivamente). Los armónicos más altos siempre están presentes en el espectro y a menudo contribuyen significativamente a la fuga total. Un horno microondas que emite armónicos más altos puede crear graves interferencias con la recepción de televisión por satélite.
Como VD1 son adecuados varios diodos detectores y de microondas mezcladores diseñados para funcionar a frecuencias superiores a 1000 MHz. Para cada uno de ellos, es útil seleccionar la resistencia de carga óptima (resistencia R1), que proporciona la mayor sensibilidad. El diodo DZB mostró buenos resultados. Las pruebas en un soporte equipado con un generador G4-79 con una antena de bocina y un medidor de potencia MZ-54 mostraron que el LED HL1 comienza a brillar con una densidad de flujo de potencia de 2...3 μW/cm2.
Casi la misma sensibilidad se obtuvo con el diodo mezclador D405. Sin embargo, con el tiempo, sus propiedades de detector se degradan y, a bajas frecuencias o corriente continua, al comprobar, por ejemplo, un diodo con un óhmetro, esto no se nota.
Según los estándares americanos, a una distancia de 2,5 cm de la estufa se permite una densidad de flujo de potencia de 2 μW/cm70, y a una distancia de 5 cm no debe ser superior a 1 mW/cm2. Las normas nacionales exigen que este indicador nunca supere los 10 μW/cm2. En la práctica, el LED indicador parpadea a una distancia de 5... 10 cm de una estufa en funcionamiento.
Autor: A. Kontsevich, San Petersburgo
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Hoy en día, la memoria flash se usa en casi todos los dispositivos móviles. Los fabricantes se esfuerzan por satisfacer las crecientes demandas de los usuarios por su volumen. Pero pronto se enfrentarán a una limitación en el tamaño de los transistores, que no puede ser inferior a 10 nm.
La esencia del nuevo método es crear una célula a partir de moléculas de óxido de tungsteno con una longitud lateral de aproximadamente 1 nm. Dentro de esta estructura se colocan dos moléculas de trióxido de selenio, que en estado normal transportan electrones adicionales y por lo tanto tienen una carga negativa. Al aplicar voltaje con diferente polaridad, los investigadores pudieron cambiar la carga de la estructura, en otras palabras, su estado binario.
El estado dado de la estructura en condiciones de laboratorio se mantuvo durante al menos 336 horas (es decir, 14 días), lo que permitió a los investigadores hablar de la nueva memoria como no volátil.
"El uso de moléculas individuales nos permitirá continuar reduciendo el proceso y, en teoría, incluso superar la Ley de Moore al aprender a almacenar múltiples bits de datos en una sola molécula", dijo el líder del proyecto, Lee Cronin, profesor de la Universidad de Glasgow. le dijo a Wired.
La Ley de Moore fue formulada por el cofundador de Intel, Gordon Moore. Establece que la cantidad de transistores en un chip se duplica aproximadamente cada dos años. Recientemente, sin embargo, los científicos han comenzado a decir que a medida que se alcance el tamaño límite de los transistores, esta ley dejará de funcionar. Varios grupos de investigación de todo el mundo están buscando formas de hacer que la ley funcione más.
Mientras tanto, algunas tareas de los creadores de la memoria molecular siguen sin resolverse. Esto, en particular, se refiere a la velocidad de este tipo de memoria. Por ejemplo, se tarda aproximadamente 0,1 s en formar el estado de la estructura y 0,01 s en leer el estado de la estructura. Ambos indicadores son demasiado altos para hablar de una aplicación comercial efectiva.
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