Sonda lógica en dos chips. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
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Una sonda lógica en dos microcircuitos está diseñada para verificar los niveles de voltaje correspondientes a "0" o "1" en los circuitos de dispositivos digitales.
(haga clic para agrandar)
Cuando el voltaje del pulso aplicado a la entrada de la sonda es superior a 2,4 V, el número "1" se muestra en el indicador de la sonda, y cuando el voltaje de los pulsos es inferior a 0,4 V, el número "0" .
La resistencia R1 protege la sonda de sobrecarga. Los seguidores de emisor V1 y V2 sirven para reducir la carga en la etapa bajo prueba y para cambiar el umbral de conmutación de los elementos lógicos D1.1 y D1.2. Se logra un cambio adicional al encender los diodos V3 y V5. Como resultado, a voltajes superiores a 2,4 V, el elemento D1.1 se enciende y el segmento d del indicador H1 se ilumina; se muestra el signo "1". A tensiones inferiores a 2,4 V, el elemento D1.1 no conduce corriente y el segmento d deja de brillar. Cuando el voltaje de entrada cae por debajo de 0,4 V, el elemento D1.2 se apaga, D1.3 se enciende, se encienden cuatro segmentos (a, b, g y f) y el número "0" se enciende en el indicador.
Si hay pulsos en la entrada de la sonda, el disparador en los elementos D2.1 y D1.4 se activa en el momento en que la tensión de los pulsos alcanza el valor umbral (0,4 y 2,4 V). En el momento de la transición de voltaje en la entrada del elemento D2.2 del estado "1" al estado "0", un pulso corto de la salida de este elemento abre el multivibrador en espera (elementos D2.3 y D2.4). La señal de salida hace que el punto del indicador brille. Si la amplitud de los pulsos de entrada está por debajo de lo normal, el gatillo no cambia y el punto no se enciende.
La sonda se alimenta de la fuente de alimentación del dispositivo bajo prueba.
Los transistores KT361 y KT373 pueden ser de la misma serie con cualquier índice de letras. Pueden ser reemplazados por otros transistores de silicio de alta frecuencia con conductividad adecuada. Diodos: cualquier silicio de baja potencia (V3, V4) y germanio (V5, V6). Cualquier microcircuito es adecuado, de estructura similar.
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