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Fuente de alimentación 0-30 voltios 3-5 amperios en el chip LM723. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Fuentes de alimentación

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Durante muchos años tuve el chip LM723 en el estante. Previamente, revistas extranjeras presentaron diseños sobre este chip en los años 80 y 90. Estas son revistas conocidas "RADIOTECHNIKA" (Hungría), "FUNKAMATEUR" (Alemania) y otras. Actualmente, este chip está disponible en Rusia. Los límites para ajustar el voltaje de salida (según el pasaporte) son de 2 a 37 V. Después de pensarlo un poco, construí una fuente de alimentación en este chip con los parámetros:

Uout.................. 0...30V
Isalida.................. 3...5A

Fuente de alimentación 0-30 voltios 3-5 amperios en el chip LM723. Fuente de alimentación en el chip LM723
Arroz. 1. Fuente de alimentación en el chip LM723

La resistencia R8 establece el límite superior de ajuste, es decir, 30,4 V. La protección de corriente y voltaje se puede configurar como más le convenga. En la versión del autor, la indicación es digital. La fuente de alimentación se montó como experimental, se probó y mostró buenos resultados. A pedido mío, fue repetido por varios radioaficionados. No hubo quejas. En la versión del autor, se tomó el transformador ShL25 / 40-25. La corriente se usó a 3 A (no hubo necesidad de más corriente). La unidad de visualización está hecha en el chip KR572PV2A. La placa de circuito impreso se desarrolló, dependiendo de las piezas utilizadas.

Feliz repetición. Todas las preguntas por correo electrónico.

Autor: Anatoly Patrin, Kirsanov, Rusia, región de Tambov, patrin@tamb.ru; Publicación: cxem.net

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"Hemos sido capaces de fabricar un análogo de germanio del grafeno, es decir, monocapas que se unen con el hidrógeno de la misma manera que el grafeno, pero que son mucho más fáciles de fabricar”, dijo el profesor de la Universidad de Ohio, Joshua Goldberger. "En el proceso, transformaremos de un material con banda prohibida indirecta a un material con banda prohibida directa, lo que permite su uso también con fines ópticos.

Goldberger afirma haber sintetizado por primera vez redes cristalinas puras del tamaño de un milímetro de germanio enlazado con hidrógeno (GeH) mediante desintercalación topoquímica de GaGe2. Goldberger describe este material como una sustancia de van der Waals en capas similar al grafeno unido (CH). Goldberger llamó a su material "germanan" para indicar el parecido con una versión monocapa de grafeno llamada grafane.

Aparte del hecho de que el nuevo material se basa en germanio en lugar de carbono como el grafeno, la diferencia más significativa es que el germanano será más fácil de cultivar que el grafano utilizando equipos de semiconductores estándar. Goldberger predice que los nuevos materiales se utilizarán en dispositivos optoelectrónicos de próxima generación y sensores avanzados, ya que los cálculos muestran que la movilidad de los electrones será 5 veces mejor que el germanio a granel (10 veces más que el silicio) con una banda prohibida de 1,53 eV, que es ligeramente más que la del arseniuro de galio.

Los investigadores del grafeno ya han demostrado que las propiedades electrónicas de las monocapas de semiconductores pueden ser significativamente mejores que las de los materiales a granel, y se han realizado numerosos esfuerzos para crear monocapas funcionales de estructuras cristalinas conectadas de manera diferente. La alta movilidad de los portadores se produce a expensas de la excelente calidad de la topología ultrafina, pero si estas monocapas se ligan para una aplicación específica, los materiales ultrafinos también pueden volverse más sensibles a las aplicaciones sensoriales que los materiales a granel.

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Comentarios sobre el artículo:

Anatoly Vasilievich
Muchas gracias por la interesante información.


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