Dispositivo para cargar y formar acumuladores. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Cargadores, baterías, celdas galvánicas
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La figura muestra un esquema de un dispositivo que está diseñado para cargar y formar baterías con un voltaje de 6 o 12 V, con una capacidad de hasta 85 Ah. La corriente de carga (descarga) no depende mucho del voltaje en la red de CA (caída de voltaje en la carga) La eficiencia del dispositivo, dependiendo de la carga, varía del 16 al 42%.
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Al cargar baterías de seis voltios, el dispositivo puede suministrar una corriente de 2,5 a 14 A a la carga con un coeficiente de estabilización de corriente para cambiar la resistencia de carga de 600 (a 2 ... 5 A) a 10 (a 14 A), y para cambiar el voltaje de suministro - respectivamente de 35 a 1,5 Impedancia de salida del dispositivo - no menos de 260 ohmios.
En el modo de carga de baterías de doce voltios, los límites de cambio de corriente son 2 ... 10 A, los coeficientes de estabilización de corriente son 400 - 80 y 30 - 10, respectivamente, la resistencia de salida es más de 600 ohmios.
La potencia consumida por el dispositivo de la red en el primer caso es de aproximadamente 440 W, en el segundo, 235 W. La amplitud de la ondulación de corriente no supera los 16 mA con una corriente de hasta 4,5 A.
El dispositivo consta de una cadena de seguidores emisores cubiertos por retroalimentación negativa mejorada (NFB) en la corriente de carga.
La primera etapa de la cadena se ensambla en un transistor compuesto VT2 -VT4, y las etapas finales se encuentran en los potentes transistores VT5, VT6 y VT7, VT8.
El voltaje de retroalimentación negativa se elimina del emisor del transistor VT7 y se alimenta al circuito base del transistor VT2 a través de un amplificador ensamblado en el transistor VT1. Resistencia variable R4 en el circuito. El OOS sirve para establecer la corriente de carga requerida. Los diodos VD6 y VD7 proporcionan estabilización de temperatura de la corriente de carga.
Cascada de amplificación de tensión. El OOS está alimentado por un regulador de voltaje en un diodo zener VD5 con resistencias de balasto R2 y R3. Los relés K1 y K2, activados por el interruptor SA2, sirven para seleccionar la tensión de salida (6/12 V).
Cuando se carga, la batería se conecta a los terminales X1 y X2, y cuando se descarga (con fines de formación), a los terminales. XZ y X2. Los terminales no utilizados en ambos casos están conectados por un puente.
En el modo de descarga, el dispositivo está desconectado de la red.
La corriente es controlada por el amperímetro RA 1 y el voltaje por el voltímetro P V1.
Un estabilizador correctamente montado solo requiere encontrar la posición óptima de los diodos VD6 y VD7 en relación con el radiador. A veces es necesario aclarar la resistencia de la resistencia R5.
Los diodos VD6 y VD7 se montan directamente en el radiador, uno de los transistores VT5 - VT8, en bastidores aislantes. Ajustando la distancia entre los diodos y el disipador de calor (doblando los conductores de los diodos), se logra la menor dependencia posible de la corriente de carga de los cambios en el régimen térmico del dispositivo durante un funcionamiento prolongado.
El transformador de potencia T1 está enrollado en el circuito magnético USh40x66.
El devanado primario debe contener 417 vueltas de cable PEV-2 1,2. Para el devanado secundario (36 espiras) se utiliza un embarrado rectangular aislado de cobre (1,8x5 mm).
Las resistencias R6 + R13 están enrolladas en cajas de resistencia. VS-2 con alambre de manganina o constantán con un diámetro de 0,75-1,0 mm.
Los transistores MP25B se pueden reemplazar por cualquier transistor de baja potencia de la estructura pn-p, P201: transistores. P213, P214 o (lo que sea mejor) GT403 con cualquier letra índice A. P210A - GT701A. Los transistores VT5 - VT8 están montados en disipadores de calor acanalados con un área de disipación de 600 cm.
El diseño debe proporcionar un flujo libre alrededor de los radiadores mediante corrientes de aire de convección. El transistor VT4 está montado en un radiador de placa con un área de 25 cm2.
Relés K1 y KR2-MR-1 y RES-9, respectivamente, con una tensión de respuesta de 15 V. Pueden ser reemplazados por un relé con cinco grupos de contactos normalmente abiertos.
Autor: Shelestov I.P.
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