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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA
biblioteca gratis / Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Electricista

Sección 4. Aparamenta y subestaciones

Aparamenta con tensión hasta 1 kV AC y hasta 1,5 kV DC. Diseños de aparamenta

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Normas para la instalación de instalaciones eléctricas (PUE)

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4.1.19. Los diseños de aparamentas, aparamentas de baja tensión y equipos instalados en ellas deben cumplir con los requisitos de las normas vigentes.

4.1.20. Los interruptores y NKU deben diseñarse de modo que las vibraciones que surgen del funcionamiento de los dispositivos, así como de los golpes causados ​​​​por influencias externas, no interrumpan las conexiones de contacto y no provoquen una desalineación de dispositivos y dispositivos.

4.1.21. Las superficies de los paneles aislantes higroscópicos sobre las que se montan directamente piezas bajo tensión no aisladas deben protegerse de la penetración de humedad (mediante impregnación, pintura, etc.)

En dispositivos instalados en habitaciones húmedas y especialmente húmedas e instalaciones abiertas, no está permitido el uso de materiales aislantes higroscópicos (por ejemplo, mármol, fibrocemento).

4.1.22. Los diseños de aparamenta y NKU deben prever la entrada de cables sin violar el grado de protección de la carcasa, espacio para la colocación del corte de conexiones externas, así como la longitud de corte de cable más corta en este diseño. Se debe proporcionar acceso a todos los dispositivos, instrumentos, dispositivos y sus abrazaderas reparados. El cuadro debe contar con dispositivos para conectar conductores de trabajo cero (N), de puesta a tierra (PE) y combinados (PEN) de cables y alambres externos. En el caso de que los cables externos no puedan conectarse directamente a los terminales del dispositivo por sección o cantidad, el diseño del cuadro debe prever terminales adicionales o barras colectoras intermedias con dispositivos para conectar cables externos. Los cuadros y NKU deben prever la entrada de cables tanto desde abajo como desde arriba, o solo desde abajo o solo desde arriba.

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La producción en masa de chips 64D NAND de 3 capas con una capacidad de 512 Gbit Western Digital planea organizarse en la segunda mitad de este año. La compañía anunció por primera vez la introducción de tecnología para la producción de chips 64D NAND de 3 capas a mediados del año pasado. Y en 2015, la empresa demostró productos 48D NAND de 3 capas.

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