Sistema pasivo de protección de altavoces. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Altavoces
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Bajo tal título en "Radio" No. 7 de 1997, M. Korzinin describió un dispositivo para proteger la AU de sobretensiones peligrosas. Requiere hasta dos docenas (o más) de diodos rectificadores de alta frecuencia para proteger un cabezal de altavoz. Mientras tanto, al reemplazar circuitos de una gran cantidad de diodos con un puente de diodos e incluir un transistor compuesto potente en su diagonal, se puede obtener un dispositivo de protección más económico (ver figura).
Este dispositivo, como el hecho con diodos, funciona de manera efectiva solo con amplificadores de válvulas o transistores sin una retroalimentación de voltaje común, es decir, que tengan una impedancia de salida comparable a la carga.
El transistor VT1 junto con los diodos zener VD5, VD6 y el indicador LED de sobrecarga HL1 forman el equivalente de un potente limitador de voltaje. El umbral para su funcionamiento depende de los parámetros y la cantidad de diodos zener de baja potencia en el circuito base de un transistor potente. Como este último, cualquier dispositivo de la serie KT827 o KT825 es adecuado (con el cambio correspondiente en la polaridad de encendido de los diodos puente y el circuito de diodos zener). Debido al alto coeficiente de transferencia de corriente de la base del transistor, la corriente a través de los elementos en el circuito base no excederá los 10 ... 20 mA.
El cálculo del limitador se reduce a determinar el voltaje en los diodos zener, que debe ser menor que el voltaje límite por la suma de las caídas de voltaje en los diodos puente, el LED HL1 y las uniones base-emisor del transistor (en total - alrededor de 6 ... 6,5 V).
Para proteger cabezales potentes de baja frecuencia o de amplio rango, también se requiere un limitador más potente. En este caso, se recomienda utilizar dos transistores conectados en paralelo, cuyos circuitos emisores incluyan resistencias de baja resistencia (con una resistencia de 0,2 ... 0,3 ohmios). Si el coeficiente de transferencia de corriente de la base de los transistores es superior a 2000, no se requiere un circuito de umbral separado con diodos zener para cada uno de ellos.
La potencia disipada por el transistor se reducirá significativamente si se incluye una lámpara de un faro de automóvil en su circuito colector. En estado frío, la resistencia de su hilo es pequeña y, a medida que la lámpara se calienta, aumenta varias veces. Como resultado, se reduce la potencia disipada en el transistor.
Autor: A.Sokolov, Moscú
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