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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Amplificador AF para receptores alimentados por batería. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / recepción de radio El artículo describe un amplificador AF simple y económico para receptores alimentados por dos celdas galvánicas. El amplificador utiliza elementos no deficientes, es de fácil fabricación y puesta en marcha. El diagrama esquemático del amplificador AF se muestra en la figura. La señal de entrada del control de volumen R1 se alimenta a la puerta del transistor de efecto de campo VT1, que tiene una impedancia de entrada muy alta, lo que permite que el amplificador se use con fuentes de señal de alta impedancia. El funcionamiento de un detector de amplitud de diodo, por ejemplo, mejora notablemente con una alta resistencia de carga: el coeficiente de transmisión y la sensibilidad aumentan, y la distorsión disminuye. Una corriente de drenaje muy pequeña (30 μA) del primer transistor crea una caída de voltaje de aproximadamente 2 V en la resistencia de carga R0,5, suficiente para abrir el segundo transistor VT2, que "oscila" la etapa final del amplificador.
La corriente de colector VT2 es de aproximadamente 140 μA, y la amplitud del voltaje amplificado del AF puede llegar a 1,5 V. Este voltaje se aplica a la entrada de un seguidor de emisor compuesto [1], [2], ensamblado en dos pares complementarios de transistores de germanio VT3-VT6. Amplifican solo la corriente, cuya amplitud, cuando el amplificador funciona con una carga de ocho ohmios, puede alcanzar los 100 mA. El modo de la etapa de salida está cerca del modo de clase B, lo que significa que con una media onda positiva de la señal, solo se abre el hombro superior (VT3 y VT5) de la cascada, y con una media onda negativa, solo el inferior. (VT4 y VT6) se abre. Se obtiene una pequeña compensación inicial de alrededor de 0,15 V, necesaria para reducir la distorsión de tipo escalonado, debido a la caída de voltaje directo a través de los diodos VD1, VD2. El modo amplificador y, como se puede ver en el circuito, tiene una conexión directa entre las etapas, se estabiliza de la siguiente manera: un voltaje constante de 1,5 V desde la salida del amplificador, suministrado a través de la resistencia R4 a la fuente de el transistor de la primera etapa, es su voltaje de polarización, ya que la compuerta conectada para corriente continua con un hilo común a través del regulador R1, tiene un potencial de -1,5 V con respecto a la fuente. Un aumento accidental, por ejemplo, en el voltaje de salida conduce a una disminución en la corriente de drenaje del transistor VT1. A continuación, la corriente del colector VT2 disminuye, la tensión en su colector disminuye y hace que la tensión de salida vuelva a su nivel anterior. Por lo tanto, se obtiene 100% DC FOS. El coeficiente OOS para la corriente alterna es mucho menor debido al circuito R3C1, que reduce el componente alterno del voltaje en la fuente del transistor VT1 unas ocho veces. La ganancia de voltaje de todo el amplificador tiene el mismo valor. Se puede configurar cambiando el valor de la resistencia R3. El amplificador también tiene un circuito de retroalimentación positiva (PFC). Se forma conectando la salida derecha (según el diagrama) de la resistencia R5 no con un cable común, sino con la salida "caliente" del cabezal del altavoz BA1. El coeficiente PIC es algo menor que uno, ya que el coeficiente de transferencia de voltaje de la etapa de salida es menor que uno, por lo que el amplificador no se autoexcita. POS mejora significativamente la simetría del voltaje de salida, es decir, reduce la distorsión no lineal. El hecho es que con una media onda positiva del voltaje de salida, los transistores del lado superior de la etapa de salida VT3 y VT5 se abren bien, ya que la corriente de base VT3 establece el transistor de apertura VT2. Con media onda negativa, este transistor se cierra y la corriente de base del transistor VT4 está determinada por la resistencia R5, que no es rentable para reducir la resistencia debido a la disminución de la eficiencia del amplificador. Al conectar una resistencia a la salida superior (según el diagrama) del cabezal del altavoz BA1, aumentamos el voltaje y, en consecuencia, la corriente de apertura del transistor VT4. Tal inclusión a veces se denomina circuito de "refuerzo de voltaje". En el amplificador AF, se aplica un transistor de efecto de campo con un voltaje de corte de 1,5 ... 2 V. Se puede seleccionar entre transistores de la serie KP303 (preferiblemente índices A, B, I) y KP307 (A, MI). Es deseable que la ganancia actual de los transistores bipolares sea de al menos 50 ... 70. Será muy bueno si los transistores de la etapa de salida se seleccionan con aproximadamente las mismas ganancias. Es mejor usar un par con un coeficiente más bajo como VT5, VT6. No hay requisitos especiales para el resto de los detalles. Cabezal dinámico VA1 - 2GD-38 o similar con una resistencia de bobina móvil de 8 ohmios. Es recomendable utilizar cabezales de alto retorno, independientemente de su tamaño y potencia. Se recomienda encarecidamente colocar el parche en una caja grande de madera, y el retorno (volumen) y la calidad del sonido mejorarán significativamente. La configuración del amplificador comienza con la verificación del modo: la tensión en el punto de unión de los colectores de los transistores VT5, VT6 debe ser igual a la mitad de la tensión de alimentación, es decir, 1,5 V. Se puede corregir seleccionando la resistencia de la resistencia R2. Si esto no se puede hacer cuando la resistencia cambia dentro de límites razonables (por ejemplo, de 10 a 27 kOhm), entonces debe tomar el transistor VT1 con un voltaje de corte alto, esto le permitirá obtener un voltaje de salida más alto. Luego, al incluir un miliamperímetro en el circuito de alimentación y seleccionar el número y tipo de diodos VD1, VD2 conectados en paralelo, la corriente de reposo del amplificador se establece en 1 ... 1,5 mA. No puede apagar todos los diodos a la vez, porque la corriente del amplificador aumentará a un valor inaceptablemente grande. Cualquier diodo de germanio de baja potencia es adecuado, por ejemplo, D2, D9, D18, D311, GD507, etc. la simetría de limitar las medias ondas del voltaje de salida en sus grandes amplitudes. El amplificador fabricado por el autor tenía los siguientes parámetros: tensión de alimentación - 3 V, corriente de reposo - 1,3 mA, corriente a la señal máxima - 30 mA, potencia de señal máxima sin distorsiones a una carga de 8 ohmios - 25 mW, banda de frecuencia reproducible - 70 .. .10 Hz. Si es necesario expandir la banda hacia frecuencias más bajas, es necesario aumentar la capacitancia de los capacitores C1 y C3. Puede limitar la banda de las altas frecuencias conectando un condensador con una capacidad de 2 ... 150 pF entre el colector y la base del transistor VT300. Literatura
Autor: V. Timofeev, Moscú
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