Transistor de efecto de campo de baja potencia KP214A9. Dato de referencia

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Transistor de efecto de campo de baja potencia KP214A9. Dato de referencia

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El transistor de efecto de campo de canal n de silicio KP214A9 con puerta aislada y enriquecimiento de canal, con un diodo inverso protector incorporado, se fabrica mediante tecnología epitaxial-planar. Los transistores están diseñados para funcionar en fuentes de alimentación secundarias con entrada sin transformador, en reguladores, estabilizadores y convertidores de voltaje con control continuo y por pulsos, en unidades de control para motores eléctricos de baja potencia y en otros equipos electrónicos para la economía nacional y la vida cotidiana.

Los transistores están alojados en una caja de plástico KT-46A (SOT-23) con terminales estañados planos (Fig. 1), destinada al montaje en superficie.

Transistor de efecto de campo de baja potencia KP214A9

Análogo extranjero del transistor KP214A9 - 2N7002LT1.

El pinout y el diagrama de conexiones internas se muestran en la fig. una.

Principales características técnicas en Tacrav = 25+10 °С

Tensión umbral, V, con una corriente de drenaje de 0,25 mA y compuerta y drenaje conectados...1 ...2,5
Resistencia de canal abierto, Ohm, no más, con una duración de pulso de no más de 300 μs y su ciclo de trabajo de al menos 50, corriente de drenaje de 0,5 A y voltaje de fuente de puerta de 10 V... 7,5
Resistencia de canal abierto, Ohm, no más, con una duración de pulso de no más de 300 μs y su ciclo de trabajo de al menos 50, corriente de drenaje de 0,05 A y voltaje de fuente de puerta de 5 V...7,5
Corriente de drenaje residual, µA, no más, con un voltaje de fuente de drenaje de 60 V y voltaje cero en la puerta...1
Corriente de fuga de puerta, µA, no más, con voltaje de fuente de drenaje cero y voltaje de fuente de puerta ±20 V......±0,1
Pendiente de la característica corriente-tensión, mA/V, no menos, con una duración de impulso no superior a 300 μs y su ciclo de trabajo de al menos 50, con una tensión drenaje-fuente de 7,5 V y una corriente de drenaje de 0,2 A. ......80
El voltaje directo constante del diodo protector abierto, V, no más, con voltaje cero de puerta-fuente del transistor y la corriente a través de los terminales de drenaje y fuente es de 115 mA......1,5
Resistencia térmica en ambiente de cristal, °С/W, no más......625
Tiempo de encendido/apagado*, no, no más, con una tensión drenaje-fuente de 25 V, una corriente de drenaje de 0,5 A y una resistencia de salida de la fuente de señal de 25 Ohmios......30/40
Capacidad del transistor*, pF, no más, con voltaje de fuente de puerta cero, voltaje de fuente de drenaje de 25 V y frecuencia de 1 MHz
entrada ...... 50
fin de semana ...... 25
a través del paso......5

* Parámetros de referencia.

Valores límite

El voltaje de fuente de drenaje más alto, V ...... 60
Voltaje máximo de fuente de puerta, V ...... ± 20
El voltaje de pulso de fuente de puerta más alto, V, con una duración de pulso de no más de 1 s y su ciclo de trabajo de al menos 300 .....±40
Corriente de drenaje constante máxima*, mA, con una tensión puerta-fuente de 10 V y una temperatura ambiente no superior a 25 °C...115
Corriente de drenaje pulsada máxima**, mA, con una duración de impulso no superior a 300 μs......800
Disipación de potencia constante máxima***, W, a una temperatura ambiente no superior a 25 °C......0,2
La corriente directa más alta del diodo protector, mA......115
Corriente de impulso máxima del diodo de protección**, mA, con una duración de impulso no superior a 300 μs .....800
La temperatura más alta del cristal, ° С ...... 150
Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С -55...+125

* Cuando la temperatura ambiente sube hasta 125

La corriente de drenaje debe reducirse (siempre que no se supere la potencia máxima disipada) hasta cero de acuerdo con el gráfico de la Fig. 2.

** Siempre que no se supere el valor máximo de disipación de potencia. *** En el rango de temperatura ambiente de 25 a 125°C, la potencia máxima disipada Pmax se calcula mediante la fórmula

donde RTkp-cp es la resistencia térmica del entorno cristalino.

El valor permitido del potencial estático es 30 V según OST 11073.062. El modo y las condiciones para instalar transistores en equipos están de acuerdo con OST 11336.907.0. Al soldar cables con un soldador, es necesario eliminar el calor con unas pinzas especiales con enormes mandíbulas de cobre. Las pinzas están instaladas en el terminal cerca de la carcasa. El soldador debe estar conectado a tierra.

Transistor de efecto de campo de baja potencia KP214A9

Las principales dependencias gráficas típicas de los parámetros del transistor KP214A9 se presentan en la Fig. 3-7. En la Fig. Las figuras 3a yb muestran la dependencia de la corriente de drenaje lc del voltaje de fuente de drenaje Usi a la temperatura del cristal Tcr = 25 ± 10 °C y 150 °C. Las dependencias de la corriente de drenaje del voltaje puerta-fuente Uzi se muestran en la Fig. 4, y la dependencia de la temperatura normalizada de la norma RK de resistencia de canal abierto se muestra en la Fig. 5.

Transistor de efecto de campo de baja potencia KP214A9
Arroz. 6 ilustra la naturaleza del cambio en la capacitancia del transistor cuando cambia el voltaje de la fuente de drenaje, y la Fig. 7 - característica corriente-voltaje de un diodo protector abierto. La dependencia de la corriente de drenaje constante máxima permitida lc max de la temperatura del cristal se muestra en la Fig. 2.

Autor: V.Kiselev, Minsk, Bielorrusia

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