Transistores uniunión de la serie KT133. Dato de referencia
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias
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Los transistores unijunción de silicio con base n KT133A y KT133B están diseñados para operar en unidades de retardo de tiempo, convertidores de voltaje, generadores de oscilaciones eléctricas, dispositivos de control de tiristores y otros donde se requiere un elemento con características de relé.
Los dispositivos se fabrican utilizando tecnología epitaxial-planar. Están alojados en una caja de plástico KT-26 (Fig. 1), el peso del dispositivo no supera los 0,3 s. Los análogos extranjeros de los transistores KT133A, KT133B son 2N4870, 2N4871, respectivamente.
Principales características eléctricas a Tacr avg = 25°C
- Corriente de fuga de la unión del emisor, µA, no más, con voltaje inverso emisor-base2 30 V y corriente de base cero1......1
- Corriente de valle, mA, nada menos, a un voltaje base1-base2 de 20 V, una resistencia en el circuito emisor de 100 ohmios, una duración de pulso de 6 μs o menos con un ciclo de trabajo de 50 para
- KT133A......2
- KT133B......4
- Coeficiente de transmisión en tensión base1-base2 10 V para KT133A......0,56...0,75
- KT133B......0,75...0,85
- La frecuencia más alta generada, Hz......220
- Corriente de encendido*, µA, no más, en voltaje base1-base2 25 V......5
- Corriente de modulación*, mA, en tensión base1-base2 10 V y corriente de emisor 50 mA......15...65
- Tensión residual*, V, con tensión base1-base2 3 V y corriente de emisor 50 mA......0,7...2,5
- Resistencia base a base*, kOhm, con voltaje base1-base2 3 V y corriente de emisor cero.....4...9,1
- Coeficiente de temperatura de la resistencia entre bases*, %/°С, no más, con voltaje base1-base2 3 V, corriente de emisor cero y temperatura ambiente dentro de -60...+125°С .0,1...0,9
- Tensión pulsada de base 1*, V, no más, con resistencia de resistencias en los circuitos baey1 20 Ohm, base2 - 100 Ohm, emisor - 10 kOhm, capacitancia del condensador en el circuito emisor 0,2 μF y tensión base1-base2 20 V para KT133A.. ....3
- KT133B...........5
- Resistencia térmica transición-ambiente, °С/W, no más......333
* Parámetros de referencia.
Valores límite
- El voltaje más alto base1-base2 (voltaje interbase), V ...... 35
- Máxima tensión inversa emisor-base2, V......30
- La corriente continua más alta del emisor de un transistor abierto, mA......50
- La corriente de pulso más alta del emisor, A. con una duración de pulso de no más de 10 μs y un ciclo de trabajo de al menos 100......1,5
- Potencia máxima disipada constante, mW......300
- La temperatura de transición más alta, ° С ...... 135
- Límites de temperatura ambiente de funcionamiento, °C..... -60...+125
La característica corriente-voltaje de entrada de un transistor unijuntura se muestra en la figura. 2. La corriente de conmutación Ion de un dispositivo generalmente se denomina valor de la corriente del emisor en la que se produce la transición de un estado cerrado a uno abierto. La corriente de valle Id es el valor de la corriente del emisor correspondiente al punto de la característica corriente-tensión con tensión mínima y resistencia diferencial cero.
La corriente de fuga de la unión del emisor Iebo es la corriente a través de la unión del emisor, con polarización inversa con respecto a la base2. Resistencia entre bases RB1B2: resistencia entre las bases del transistor a un voltaje entre bases determinado. El coeficiente de transferencia r] es la relación entre el voltaje máximo posible del emisor menos la caída de voltaje en la unión pn y el voltaje entre bases aplicado.
El voltaje residual UBEnas es el voltaje directo en el emisor a una corriente de emisor y un voltaje de base a base determinados. El voltaje entre bases máximo permitido UБ1Б2max es el valor máximo de voltaje de cualquier forma y frecuencia entre bases, en el que se garantiza la confiabilidad especificada.
El voltaje inverso máximo permitido del emisor-base2 UEB2 es el valor máximo del voltaje inverso de la unión del emisor en relación con la base2. La corriente de modulación Imod es la corriente mínima en el circuito base2 a un voltaje entre bases y una corriente de emisor determinados.
Dado que los transistores de la serie KT133 se fabrican en la misma carcasa que los de la serie KT6113 (ver arriba), sus características de instalación son las mismas.
Las principales dependencias gráficas típicas de los parámetros de los transistores KT133A, KT133B con la temperatura ambiente se muestran en la Fig. 3-5
Autor: V.Kiselev, Minsk, Bielorrusia
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