Transistores complementarios KT529A y KT530A. Dato de referencia
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias
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Un par complementario de transistores KT529A (pn-p) y KT530A (npn) con voltaje de saturación bajo se fabrican utilizando tecnología epitaxial-planar. Los dispositivos están alojados en una carcasa de plástico KT-26 con cables estañados rígidos estampados (Fig. 1).
Peso del dispositivo: no más de 0,3 g.
Los transistores están diseñados para funcionar en unidades de conmutación y pulsos de equipos de amplia aplicación.
Características principales atTacr.av = 25±10°С
- Corriente de colector inversa, µA, no más, con una tensión de base de colector de 80 V......1
- Corriente de emisor inverso, μA, no más, a un voltaje de emisor base de 4V......1
- Tensión de saturación colector-emisor, V, no más, con una corriente de colector de 300 mA y una corriente de base de 10 mA......0,2
- valor típico ...... 0,13
- Coeficiente de transferencia de corriente de base estática, no menor, a una tensión colector-emisor de 5 V y una corriente de colector de 300 mA......180
- valor típico ...... 250
- Voltaje límite, V, no menos, en corriente de emisor 10 mA......40
- valor típico ...... 45
- Módulo de coeficiente de transferencia de corriente base a alta frecuencia, no inferior, a una tensión colector-emisor de 5 V, corriente de emisor de 300 mA y frecuencia de 100 MHz...... 1,5
Valores límite
- El colector-emisor de voltaje de CC más alto, V ...... 60
- El emisor-base de voltaje constante más alto, V ...... 4
- La corriente continua de colector más alta, A, siempre que no se exceda la disipación de potencia permitida......1
- Disipación de potencia constante máxima, W, a temperatura ambiente -60...+25°C......0,5
- +85 °С......0,25
- Rango de trabajo de temperatura ambiente, °C......-60...+85
En la Fig. La Figura 2 muestra una dependencia típica del coeficiente de transferencia estática de la corriente base h21e de los transistores KT529A y KT530A de la corriente del colector Ik, en la Fig. 3 - del voltaje colector-emisor Uke, y en la Fig. 4 - voltaje de saturación colector-emisor Uke nos tomamos de la corriente base IB en diferentes valores de la corriente del colector Ik.
Un fragmento del circuito mostrado en la Fig. 5 ilustra una de las posibles aplicaciones de los dispositivos descritos, en particular el transistor KT530A.
En los controles remotos de televisores modernos, se utilizan transistores de efecto de campo KP505G con una puerta aislada (análogo funcional extraño - IRML24) como amplificador de corriente de salida. El modo de funcionamiento del transistor es conmutado; la carga es un diodo emisor de infrarrojos. Este amplificador debe proporcionar la menor resistencia de canal posible con un consumo mínimo de energía de entrada. Estos estrictos requisitos predeterminan el altísimo coste del transistor.
El uso del transistor KT6A en el amplificador de corriente de salida del control remoto RC5-505 del televisor bielorruso "Horizon" en lugar del KP530G (ver Fig. 5) permitió, además de reducir el costo del control remoto, significativamente ampliar su radio de acción, tanto en distancia al televisor como en el ángulo de visibilidad. La resistencia de la resistencia limitadora R1 está determinada por el valor mínimo del coeficiente de transferencia estática de la corriente de base del transistor VT1 (>200), la corriente de funcionamiento del diodo emisor BI1 (600 mA) y la amplitud mínima de la señal de la salida MDATA (pin 7) del microcircuito DD1 (análogo extranjero - INA3010D).
A medida que la temperatura ambiente aumenta de +25 a +85°C, el valor máximo permitido de disipación de energía disminuye según una ley lineal.
Autor: A. Shtirev
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