Transistores de efecto de campo de la serie KP737. Dato de referencia

Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias

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Los potentes transistores de efecto de campo de silicio KP737A-KP737V con una puerta aislada, un canal n enriquecido y un diodo protector de polarización inversa incorporado se fabrican utilizando tecnología epitaxial-planar. Los dispositivos están diseñados para operar en fuentes de alimentación secundarias sin transformador, estabilizadores y convertidores de voltaje con control continuo y por pulsos, en dispositivos de control de motores eléctricos y otros componentes de equipos electrónicos de amplia aplicación.

Los transistores están alojados en una caja de plástico KT-28 (TO-220) con terminales rígidos estañados estampados. El peso del dispositivo no supera los 2,5 g. El diseño de la carcasa, las conexiones internas y la distribución de pines son similares a los transistores de la serie KP727 (ver "Radio", 2002, No. 1, págs. 46 - 48).

Análogos funcionales extranjeros: KP737A - IRF630, KP737B - IRF634, KP737V - IRF635.

Características principales a Tacr avg =25°C

• Umbral de voltaje puerta-fuente, V, con drenaje y puerta conectados y corriente de drenaje 0,25 mA......2...4
• Corriente de drenaje, A, no menos, con una duración de pulso de menos de 300 μs, un ciclo de trabajo de más de 50 y un voltaje de fuente de puerta de 10 V para KP737A (a un voltaje de fuente de drenaje de 4 V).... ...9
• KP737B (4 V) ...... 8,1
• KP737V (4,8 V) ......6,5
• Resistencia de canal abierto, Ohm, no más, con una duración de pulso inferior a 300 μs, un ciclo de trabajo superior a 50 y una tensión puerta-fuente de 10 V para KP737A (con una corriente de drenaje de 5,4 A).... ...0,4
• KP737B(5,1A)......0,45
• KP737V(4,1A)......0,68
• Corriente de drenaje residual, μA, no más, a voltaje de fuente de drenaje máximo y voltaje de fuente de puerta cero ...... 250
• Corriente de fuga de puerta, nA, no más, con voltaje de fuente de puerta ±20 V y voltaje de fuente de drenaje cero...±100
• Pendiente de la característica corriente-tensión, A/V, nada menos, con una duración de pulso inferior a 300 μs, un ciclo de trabajo superior a 50 y una tensión de fuente de drenaje de 25 V para KP737A (con una corriente de drenaje de 5,4 A)....... 3,8
• KP737B(5,1A)......3,6
• KP737V(4,1A)......2,9
• Voltaje directo constante en el diodo protector (con voltaje inverso de fuente de drenaje), V, no más, con una duración de pulso de menos de 300 μs, un ciclo de trabajo de más de 50, voltaje de fuente de puerta cero y el valor absoluto máximo de la corriente a través del pasador de drenaje... 2
• Resistencia térmica carcasa de transición, °С/W, máx......1,7
• Resistencia térmica transición-ambiente, °С/W, no más......62
• Tiempo de recuperación inversa del diodo protector, no (valor típico), con una duración de pulso inferior a 300 μs, un ciclo de trabajo superior a 50, una corriente directa de 5,9 A y una tasa de disminución de corriente de 100 A/μs para KP737A ...... 340
• KP737B ...... 380
• KP737V......390
• Tiempo de encendido*, no (valor típico), con una duración de pulso de no más de 300 μs, ciclo de trabajo de al menos 50, voltaje de fuente de drenaje de 100 V, corriente de drenaje de 5,9 A, resistencia de fuente de drenaje de 16 ohmios y salida Resistencia de la fuente de señal 12 Ohmios para KP737A......41
• KP737B, KP737V......48
• Tiempo de apagado*, no (valor típico), con una duración de pulso de no más de 300 ms, ciclo de trabajo de al menos 50, voltaje de fuente de drenaje de 100 V, corriente de drenaje de 5,9 A, resistencia de fuente de drenaje de 16 ohmios y salida Resistencia de la fuente de señal 12 Ohmios para KP737A......59
• KP737B, KP737V......62
• Capacitancia de entrada*, pF, no más, con voltaje de fuente de puerta cero, voltaje de fuente de drenaje de 25 V y frecuencia de 1 MHz...1300
• Capacitancia de salida*, pF, no más, con voltaje de fuente de puerta cero, voltaje de fuente de drenaje de 25 V y frecuencia de 1 MHz...360
• Capacitancia de paso*, pF, no más, con voltaje de fuente de puerta cero, voltaje de fuente de drenaje de 25 V y frecuencia de 1 MHz...120

*Parámetros de referencia

Valores límite

• El voltaje de fuente de drenaje más alto, para KP737A......200
• KP737B, KP737V......250
• Voltaje máximo de fuente de puerta, V......20
• La corriente de drenaje constante más alta, A, a una temperatura de caja de 25 °C para KP737A......9
• KP737B ...... 8,1
• KP737V......6,5
• La corriente de drenaje pulsada más alta, A, a una temperatura de caja de 25 °C para KP737A......36
• KP737B ...... 32
• KP737V......26
• Máxima disipación de potencia constante, W, a una temperatura de la caja de 25 °C......74
• La temperatura de transición más alta, ° С ...... 150
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С -55...+125
• El valor máximo permitido de potencial estático es 200 V (grado III de rigidez según OST 11073.062).

Las condiciones para instalar transistores en el equipo deben cumplir con OST 11336.907.0. No se permite el uso de transistores en los valores límite de dos o más parámetros combinados. Para aumentar la confiabilidad, se recomienda operar dispositivos con valores de parámetros que no excedan el 70% de los valores límite.

Durante la instalación, se permite doblar los cables una sola vez a no menos de 5 mm del borde de la carcasa, el radio de curvatura no es inferior a 1,5 mm. La línea de plegado debe quedar en el plano de las mina. No puedes torcer los cables. Al doblarse, es necesario tomar medidas para evitar la transferencia de fuerza al cuerpo. -

La distancia desde la carcasa hasta el lugar de estañado y soldadura de los cables no debe ser inferior a 5 mm. Temperatura de soldadura - no más de 265°C, tiempo de estañado - no más de 2 s, tiempo de soldadura - no más de 4 s.

Para reducir la resistencia térmica del cuerpo-disipador de calor, se recomienda cubrir el lugar de su contacto con lubricantes o pastas conductores de calor, por ejemplo, KPT-8 según GOST 19783. Si debe haber una junta aislante debajo del transistor, se debe tener en cuenta su resistencia térmica.

Las dependencias gráficas típicas de los parámetros de los transistores KP737A - KP737B se presentan en la Fig. 1-7.

En la Fig. La Figura 1a muestra las dependencias de la corriente de drenaje del voltaje de la fuente de drenaje a varios valores de voltaje entre la puerta y la fuente y la temperatura del caso normal, y en la Fig. 1,b - las mismas dependencias a una temperatura de la vivienda de 1505 °C.

En la figura se muestra una característica de transferencia típica de dispositivos con dos valores de temperatura de la carcasa. 2.

La dependencia de la temperatura normalizada de la resistencia del canal abierto se muestra en la Fig. 3, y las dependencias típicas de la capacitancia de entrada, salida y paso del voltaje de la fuente de drenaje se muestran en la Fig. 4. A medida que el cuerpo del transistor se calienta, la corriente de drenaje máxima debe reducirse de acuerdo con el gráfico de la Fig. 5.

En la figura 6 se muestra una dependencia típica de la carga de capacitancia de la puerta con respecto al voltaje de la fuente de la puerta. XNUMX.

Las capacidades del diodo protector incorporado se ilustran en la Fig. 7, en la que Iñ es la corriente a través del terminal de drenaje del transistor si el diodo está abierto y Upr es la caída de tensión directa a través del diodo.

Autor: V.Kiselev

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