Amplificadores operacionales de la serie KR1446 y KF1446. Dato de referencia
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias
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Amplificadores operacionales KR1446UD1 1A-KR1446UD1 1 V, KR1 446UD1 2A - KR1 446UD1 2V, KR1446UD13A - KR1446UD13V, KR1446UD14A -KR144 6UD14V, KF1446UD1 1 A-KF1446UD1 1 V, K F 1 4 4 6 UD 12A - KF1446 UD 12V, KF 1 446 UD 1 ZA -KF 1 446UD 13V, KF1446UD14A-KF1446UD14V se fabrican con tecnología CMOS. Una característica de estos amplificadores, al igual que los amplificadores operacionales KR1446UD1 - KR1446UD5, es el límite superior de los niveles de voltaje de entrada y salida permitidos, extendidos hasta el voltaje de las fuentes de alimentación. Según el consumo de corriente, los microcircuitos se pueden dividir en micropotencia (el valor típico del consumo de corriente en reposo es 10 μA por amplificador operacional): KR1446UD12, KR1446UD13, KF1446UD12 y KF1446UD13, baja potencia (100 μA): KR1446UD14 y KF1446UD14 y universal. (0,8 mA) - KR1446UD11 y KF1446UD11.
Los microcircuitos de los grupos KR1446UD11, KR1446UD12, KR1446UD14 están diseñados en una caja de plástico con ocho pines (Fig.1,a), y KF1446UD11, KF1446UD12, KF1446UD14 están en una caja de plástico de ocho pines diseñada para montaje en superficie (Fig.1,b ). Estos dispositivos contienen dos amplificadores operacionales en una carcasa. Los microcircuitos de los grupos KR1446UD13 y KF1446UD13 se fabrican en una caja de plástico de catorce pines - fig. 1,c y fig. 1g, respectivamente, ambos contienen cuatro amplificadores operacionales en una carcasa. Los parámetros de los amplificadores incluidos en los microcircuitos KF1446UD12, KR1446UD13, KF1446UD12, KF1446UD13 son los mismos.
El cuerpo de cada microcircuito está marcado con su nombre completo, excepto el índice de letras. Los dispositivos con el índice de letras B están marcados con un punto de un color contrastante en el cuerpo, con el índice B, dos puntos. Los dispositivos del grupo A no están marcados. También es posible marcar con un índice en forma de letra. En la Fig. La Figura 2 muestra la distribución de pines de los dispositivos.
Los amplificadores operacionales descritos se utilizan convenientemente en varios convertidores de voltaje alterno de baja amplitud en voltaje pulsado con niveles lógicos para alimentar las entradas de microcircuitos digitales (especialmente estructuras CMOS), para controlar la corriente consumida por varios dispositivos alimentados por amplificadores operacionales de sus propias fuentes (en fuentes de alimentación, en dispositivos automotrices para controlar el estado de las lámparas, etc.), así como en todos los casos en los que se requiera el máximo uso de la tensión de alimentación tanto en las entradas como en las salidas del amplificador operacional. La principal diferencia entre los microcircuitos considerados y los KR1446UD1 - KR1446UD5 descritos anteriormente es el rango más amplio de tensión de alimentación, de 3 a 12 V.
A continuación, se presentan todas las características numéricas y gráficas para el amplificador operacional de la serie KF1446; para el amplificador operacional de la serie KF1446 de los grupos correspondientes las características son idénticas.
Características técnicas principales*
- Corriente consumida por un solo amplificador operacional, mA, no más, para KR1446UD11A - KR1446UD11V......2
- КР1446УД12А- КР1446УД12В, КР1446УД13А - КР1446УД13В......0.02
- КР1446УД14А- КР1446УД14В......0,2
- Ganancia, dB, no menos......76
- valor típico ...... 96
- El límite inferior de la tensión de salida, V ...... ± 2,4
- Frecuencia de ganancia unitaria, MHz, valor típico, para KR1446UD11A - KR1446UD11V......1,8
- KR1446UD12A - KR1446UD12V, KR1446UD13A - KR1446UD13V......0,06
- КР1446УД14А - КР1446УД14В......0,75
- Margen de fase**, grados, valor típico, para KR1446UD11A - KR1446UD11V......60
- KR1446UD12A - KR1446UD12V, KR1446UD13A - KR1446UD13V, KR1446UD14A - KR1446UD14V......70
- Tensión de ruido referenciada a la entrada a 1 kHz, µV/L/Hz, valor típico...0,14
- Factor de atenuación de modo común, dB, no menos......60
- valor típico, para KR1446UD11A - KR1446UD11V......74
- KR1446UD12A - KR1446UD12V, KR1446UD13A - KR1446UD13V, KR1446UD14A - KR1446UD14V......70
- Coeficiente de atenuación de ruido de la fuente de alimentación, dB, valor típico...70
- Resistencia de entrada, MΩ, no menos de......1000
- Tasa de aumento de voltaje de salida, V/μs, no menos, para KR1446UD11A - KR1446UD11V......0,9
- valor típico ...... 1,5
- KR1446UD12A - KR1446UD12V, KR1446UD13A - KR1446UD13V......0,015
- valor típico .....0,025
- КР1446УД14А - КР1446УД14В......0,35
- valor típico ...... 0,7
- Valor máximo de voltaje de compensación cero, mV, para KR1446UD11A, KR1446UD14A......3
- КР1446УД11Б, КР1446УД12А, КР1446УД13А, КР1446УД14Б......6
- КР1446УД11В, КР1446УД12Б, КР1446УД13Б, КР1446УД14В......12
- КР1446УД12В, КР1446УД13В.......18
- Coeficiente de temperatura de la tensión de polarización "cero", µV/°C, valor típico......10
- Corriente de salida cuando la salida está cerrada al cable positivo o negativo de la fuente de alimentación*** a una tensión de alimentación de 10 V, mA,
- no más, para KR1446UD11A - KR1446UD11V......100
- KR1446UD12A - KR1446UD12V, KF1446UD11A - KF1446UD11V, el resto, sin limitación.
- КР1446УД13А - КР1446УД13В...1
- КР1446УД14А - КР1446УД14В......10
Valores de funcionamiento máximos admisibles
- Tensión de alimentación, V, unipolar......3...12
- bipolares ...... 2x (1,5 ... 6)
- Capacidad de carga, pf, no más ...... 100
- Rango de temperatura de funcionamiento, °С......-10...+85
* Todos los parámetros se dan para una tensión de alimentación de 2x2,5 V, una temperatura ambiente de 25 °C y una resistencia de carga de 10 kOhm para KR1446UD11, 100 kOhm para KR1446UD14 y 1 MOhm para KR1446UD12, KR1446UD13. Los parámetros dinámicos corresponden a la capacitancia de un condensador de 100 pF conectado en paralelo con la carga con la resistencia activa especificada.
** Margen de fase: complementario a 180 grados, el ángulo del cambio de fase del amplificador operacional en la frecuencia de ganancia unitaria.
*** La duración del cortocircuito de salida al cable positivo o negativo de la fuente de alimentación no debe exceder 1 s para KR1446UD11A-KR1446UD11V, KF1446UD11A-KF1446UD11V, para otros no está limitado.
En la Fig. La Figura 3 muestra la dependencia de la corriente de reposo de un único amplificador operacional de diferentes grupos de la tensión de alimentación, y en la Fig. 4 - dependiendo de la temperatura.
Arroz. 5 muestra la dependencia de la temperatura de la ganancia de los dispositivos.
Los amplificadores operacionales de la serie KR1446 proporcionan valores altos del coeficiente de atenuación del ruido de modo común y del ruido de la fuente de alimentación. Estos coeficientes dependen poco de la temperatura (Fig. 6).
La dependencia de la frecuencia del voltaje de ruido reducido a la entrada del amplificador operacional se muestra en la Fig. 7, y en la Fig. 8 - dependencia de la corriente máxima de salida de la tensión de alimentación.
La respuesta del pulso del amplificador operacional en modo seguidor de voltaje se muestra en la Fig. 9 - 11 para todos los grupos de dispositivos.
El voltaje de modo común en las entradas del amplificador puede exceder el voltaje de suministro (en valor absoluto) en 0,3 V. Al mismo tiempo, se mantienen una alta ganancia y un pequeño "desplazamiento cero", pero la apertura de la protección de entrada incorporada Los diodos reducen la resistencia de entrada.
Autor: S. Biryukov, Moscú
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Western Digital ha anunciado el inicio de la producción piloto de microchips de memoria 64D NAND de 3 capas (BICS3) con una capacidad de 512 Gbps. Estos son los primeros productos de este tipo en el mundo. Los chips se fabrican con tecnología TLC: tres bits de información en una celda. Los especialistas de Toshiba participaron en el desarrollo de la solución.
Los microchips se fabrican en una instalación en Yokkaichi, una ciudad especial en el sureste de Japón que pertenece a la prefectura de Mie. Es aquí donde se encuentran las fábricas de chips semiconductores de Toshiba y SanDisk.
La producción en masa de chips 64D NAND de 3 capas con una capacidad de 512 Gbit Western Digital planea organizarse en la segunda mitad de este año. La compañía anunció por primera vez la introducción de tecnología para la producción de chips 64D NAND de 3 capas a mediados del año pasado. Y en 2015, la empresa demostró productos 48D NAND de 3 capas.
A finales del año pasado, Western Digital reveló algunos detalles sobre sus planes para el uso y producción de memorias flash 3D NAND basadas en la arquitectura BICS. Western Digital adopta un enfoque cauteloso al usar XNUMXD NAND y planea usar este tipo de memoria en un futuro cercano solo para varios tipos de unidades extraíbles: tarjetas SD, memorias USB, etc.
Cabe señalar que Toshiba, que promueve Western Digital en el campo de la producción NAND, tampoco anunció un solo SSD basado en 3D NAND (a excepción de un SSD bastante exótico en un paquete BGA), y su socio cercano, Lite-On Technology (un SSD con la marca Plextor), no mostró sus unidades Toshiba 3D NAND.
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Valentine
Sería bueno colocar aquí varios circuitos específicos para encender microcircuitos como amplificadores con valores específicos de resistencias y capacitores, y sin esto, ¿por qué comprar y luego buscar un circuito de conmutación en otras fuentes?
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