Transistores de efecto de campo. Aplicaciones Típicas. Dato de referencia

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Transistores de efecto de campo. Aplicaciones Típicas. Dato de referencia

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Transistor	Cita
2P101	para funcionamiento en las etapas de entrada de amplificadores de baja frecuencia y CC con alta impedancia de entrada
KP102	para funcionamiento en las etapas de entrada de amplificadores de baja frecuencia y CC con alta impedancia de entrada
2P103 2P103-9	para funcionamiento en las etapas de entrada de amplificadores de baja frecuencia y CC con alta impedancia de entrada
2PS104	para funcionamiento en las etapas de entrada de amplificadores diferenciales de bajo ruido de baja frecuencia y corriente continua con alta impedancia de entrada
2P201	para funcionamiento en las etapas de entrada de amplificadores de baja frecuencia y CC con alta impedancia de entrada
2PS202	para funcionamiento en las etapas de entrada de amplificadores diferenciales de bajo ruido de baja frecuencia y corriente continua con alta impedancia de entrada
KPS203	para funcionamiento en las etapas de entrada de amplificadores diferenciales de bajo ruido de baja frecuencia y corriente continua con alta impedancia de entrada
KP301	para uso en las etapas de entrada de amplificadores de bajo ruido y circuitos no lineales de pequeña señal con alta impedancia de entrada
KP302	para uso en amplificadores de banda ancha en el rango de frecuencia de hasta 150 MHz, así como en dispositivos de conmutación y conmutación
KP303	diseñado para su uso en las etapas de entrada de amplificadores de frecuencias altas (D, E, I) y bajas (A, B, V, G) con alta impedancia de entrada. Los transistores KP303G están diseñados para su uso en amplificadores sensibles a la carga y otros circuitos de espectrometría nuclear.
KP304	Diseñado para uso en circuitos de conmutación y amplificación con alta impedancia de entrada.
2P305	Diseñado para su uso en etapas de amplificador de alta y baja frecuencia con alta impedancia de entrada.
KP306	diseñado para uso en etapas de convertidor y amplificador de altas y bajas frecuencias con alta impedancia de entrada
KP307	diseñado para su uso en las etapas de entrada de amplificadores de alta y baja frecuencia con alta impedancia de entrada. Los transistores KP307Zh están diseñados para su uso en amplificadores sensibles a la carga y otros circuitos de espectrometría nuclear.
2P308-9	están destinados a su uso en las etapas de entrada de amplificadores de corriente continua y de baja frecuencia (A, B, C), en circuitos de conmutación y circuitos de conmutación (D, E) con alta impedancia de entrada.
KP310	Para uso en dispositivos de transmisión y recepción de microondas.
KP312	Diseñado para su uso en etapas de entrada de amplificadores y convertidores de microondas.
KP313	Diseñado para su uso en etapas de amplificador de alta y baja frecuencia con alta impedancia de entrada.
KP314	para uso en etapas de preamplificador refrigeradas de dispositivos de espectrometría nuclear
KPS315	para funcionamiento en las etapas de entrada de amplificadores diferenciales de bajo ruido de baja frecuencia y corriente continua con alta impedancia de entrada
KPS316	para operación en las etapas de entrada de amplificadores diferenciales, circuitos balanceados para diversos fines con alta impedancia de entrada
3P320-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky para dispositivos de amplificación de microondas con factor de ruido normalizado a una frecuencia de 8 GHz
3P321-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky para dispositivos de amplificación de microondas con factor de ruido normalizado a una frecuencia de 8 GHz
KP322	Tetrodo basado en unión pn para etapas de amplificación y mezcla en frecuencias de hasta 400 MHz
KP323-2	Transistor de unión pn para etapas de entrada de preamplificador de bajo ruido y alta frecuencia (hasta 400 MHz)
3P324-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky para dispositivos de amplificación de microondas con factor de ruido normalizado a una frecuencia de 12 GHz
3P325-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky con factor de ruido normalizado a una frecuencia de 8 GHz para dispositivos de microondas con bajos niveles de ruido, así como para dispositivos fotodetectores con bajos niveles de ruido intrínseco.
3P326-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky con factor de ruido normalizado a una frecuencia de 17.4 GHz para uso en la entrada y etapas posteriores de amplificadores de bajo ruido.
KP327	Tetrodo MOS con canal n y puertas protegidas por diodos para selectores de canales de televisión de ondas métricas y decimétricas
3P328-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky y factor de ruido normalizado a una frecuencia de 8 GHz para su uso en la entrada y en las etapas posteriores de amplificadores de bajo ruido.
KP329	para uso en etapas de entrada de amplificadores de baja y alta frecuencia (hasta 200 MHz), en dispositivos de conmutación e interruptores con alta impedancia de entrada
3P330-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky con factor de ruido normalizado a una frecuencia de 25 GHz (3P330A-2, 3P330B-2) y 17.4 GHz (3P330V-2) para uso en etapas de entrada y posteriores de amplificadores de bajo ruido.
3P331-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky con factor de ruido normalizado a una frecuencia de 10 GHz para uso en amplificadores de bajo ruido y alto rango dinámico
2P332	Transistor de efecto de campo de canal p para dispositivos de conmutación y amplificación.
2P333	Transistor de canal N de efecto de campo para uso en las etapas de entrada de amplificadores de baja y alta frecuencia (hasta 200 MHz), en dispositivos de conmutación e interruptores con alta impedancia de entrada.
2P335-2	para dispositivos amplificadores
2P336-1	para dispositivos de conmutación y amplificación
2P337-R	Los transistores emparejados en pares según los parámetros eléctricos están destinados a su uso en amplificadores balanceados, amplificadores diferenciales con alta impedancia de entrada en frecuencias de hasta 400 MHz.
2P338-R1	Los transistores emparejados en pares según los parámetros eléctricos están destinados a su uso en amplificadores balanceados, amplificadores diferenciales con alta impedancia de entrada.
3P339-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky con factor de ruido normalizado en frecuencias de 8 y 17.4 GHz para uso en amplificadores de bajo ruido, amplificadores de alto rango dinámico y amplificadores de banda ancha
2P341	Transistor con unión pn para etapas de entrada de amplificadores de bajo ruido en el rango de frecuencia 20 Hz - 500 MHz
KP342	para cambiar dispositivos
3P343-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky con factor de ruido normalizado a una frecuencia de 12 GHz para uso en la entrada y etapas posteriores de amplificadores de bajo ruido.
3P344-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky con factor de ruido normalizado a una frecuencia de 4 GHz para uso en la entrada y etapas posteriores de amplificadores de bajo ruido.
3P345-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky para uso en dispositivos fotodetectores con un bajo nivel de ruido intrínseco
KP346-9	Transistor MOS de dos puertas de canal n con puertas protegidas por diodos para selectores de canales de TV con receptor de TV (A, B - para ondas decimétricas, B - para ondas métricas)
2P347-2	Transistor de dos puertas de canal n para etapas de entrada de dispositivos receptores de radio
KP350	diseñado para uso en etapas de amplificador, generador y convertidor de frecuencia ultra alta (hasta 700 MHz)
KP351	Transistores con barrera Schottky de dos puertas (3P351A-2) y de una puerta (3P351A1-2), diseñados para su uso en amplificadores, mezcladores y otros dispositivos de bajo ruido en el rango de centímetros
KP365A	Transistor de canal n BF410C
KP382A	Selectores de canal DH con transistor de efecto de campo de dos puertas BF960
KP501A	MOSFET de alto voltaje ZVN2120 utilizado como interruptor para comunicaciones analógicas
KP601 2P601-9	Transistores de efecto de campo con puerta de difusión y canal n, funcionamiento en las etapas de entrada y salida de amplificadores y convertidores de frecuencia.
AP602-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky y canal n, funcionan en amplificadores de potencia, autoosciladores, convertidores de frecuencia en el rango de frecuencia 3-12 GHz
3P603-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky y canal n, funcionan en amplificadores de potencia, autoosciladores y convertidores de frecuencia en el rango de frecuencia de hasta 12 GHz
3P604-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky y canal n, funcionan en amplificadores de potencia, autoosciladores, convertidores de frecuencia en el rango de frecuencia 3-18 GHz
3P605-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky y canal n, funcionan en amplificadores de bajo ruido y amplificadores con dinámica extendida rango
3P606-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky y canal n, funcionan en amplificadores de potencia, autoosciladores y convertidores de frecuencia en el rango de frecuencia de hasta 12 GHz
3P607-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con canal n para funcionamiento en amplificadores de potencia, generadores y convertidores de frecuencia en el rango de frecuencia hasta 10 GHz
3P608-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky y canal n para funcionamiento en las etapas de salida de amplificadores y generadores.
KP701	Transistores de efecto de campo de puerta aislada para fuentes de alimentación secundarias, dispositivos de conmutación y conmutación con frecuencias de conmutación de hasta 1 MHz
KP702	transistores de efecto de campo con puerta aislada y canal n para fuentes de alimentación secundarias, dispositivos de conmutación y de impulsos, estabilizadores clave y convertidores de tensión, amplificadores, generadores
KP703	Transistores de efecto de campo con puerta aislada y canal P para fuentes de alimentación secundarias, dispositivos de conmutación y de impulsos, estabilizadores clave y convertidores de tensión, amplificadores, generadores.
KP704	transistores de efecto de campo con puerta aislada y canal n para uso en las etapas de salida de amplificadores de video finales de pantallas gráficas multicolores, en fuentes de alimentación secundarias, en dispositivos de conmutación para circuitos eléctricos
KP705	Transistores de efecto de campo de puerta aislada de canal N para uso en fuentes de alimentación conmutadas, dispositivos de conmutación y conmutación
KP706	Transistores de efecto de campo de puerta aislada de canal N para uso en fuentes de alimentación conmutadas, dispositivos de conmutación y conmutación
KP709	transistores de efecto de campo con puerta aislada y canal n para uso en fuentes de alimentación pulsadas para receptores de TV de cuarta y quinta generación, dispositivos de conmutación y pulsados de equipos radioelectrónicos y dispositivos de accionamiento eléctrico. Análogo de BUZ90, BUZ90A Siemens.
KP712	Transistores de efecto de campo con puerta aislada y canal P para funcionamiento en dispositivos pulsados.
KP717B	MOSFET IRF350 con 400 V, 0.3 ohmios
KP718A	MOSFET BUZ45 con 500 V, 0.6 ohmios
KP718E1	MOSFET IRF453 con 500 V, 0.6 ohmios
KP722A	MOSFET BUZ36 con 200 V, 0.12 ohmios
KP723A	MOSFET IRF44 con 60 V, 0.028 ohmios
KP723B	MOSFET IRF44 con 60 V, 0.028 ohmios
KP723V	MOSFET IRF45 con 60 V, 0.028 ohmios
KP724G	MOSFET IRF42 con 60 V, 0.028 ohmios
KP724A	MOSFET MTP6N60 con 600 V, 1.2 ohmios
KP724B	MOSFET IRF842 con 600 V, 1.2 ohmios
KP725A	MOSFET TPF450 con 500 V, 0.4 ohmios
KP726A	MOSFET BUZ90 con 600 V, 1.2 ohmios
KP728A	MOSFET con 800 V, 3.0 ohmios
KP801	Transistores de efecto de campo de unión pn para uso en las etapas de salida de amplificadores de equipos de reproducción de sonido.
KP802	Los transistores de efecto de campo de unión pn funcionan en circuitos clave de convertidores de voltaje de CC como un interruptor de alta velocidad.
KP803	Transistores de efecto de campo de puerta aislada para fuentes de alimentación secundarias, dispositivos de conmutación y conmutación, así como para estabilizadores y convertidores de tensión clave, amplificadores y generadores.
KP804	Transistores de efecto de campo de puerta aislada de canal N para circuitos de conmutación de alta velocidad
KP805	transistores de efecto de campo con puerta aislada y canal n para la construcción de fuentes de alimentación secundarias con entrada sin transformador, que funcionan desde una red industrial de CA con una frecuencia de 50 Hz y una tensión de 220 V y para otros dispositivos de conversión de energía eléctrica
KP809	Transistores MOS para funcionamiento a frecuencias de hasta 3 MHz y superiores en fuentes de alimentación conmutadas con entrada sin transformador, en reguladores, estabilizadores y convertidores.
KP810	Dispositivo con inducción estática para uso en circuitos de fuentes de alimentación de alta frecuencia con entrada sin transformador, amplificadores de potencia clave.
KP812	transistores de efecto de campo con puerta aislada y canal n para conmutar fuentes de alimentación, reguladores, amplificadores de audio
KP813	Transistores MOS para funcionamiento a frecuencias de hasta 3 MHz y superiores en fuentes de alimentación conmutadas con entrada sin transformador, en reguladores, estabilizadores y convertidores.
KP814	Transistores de efecto de campo de puerta aislada de canal N para fuentes de alimentación conmutadas
KP901	Los transistores de efecto de campo con puerta aislada están diseñados para su uso en etapas de amplificador y generador en el rango de longitudes de onda cortas y ultracortas (hasta 100 MHz).
KP902	Transistores de efecto de campo con puerta aislada para uso en dispositivos de transmisión y recepción en el rango de frecuencia hasta 400 MHz.
KP903	Transistores de efecto de campo de unión pn para uso en dispositivos de recepción, transmisión y conmutación en el rango de frecuencia de hasta 30 MHz
KP904	Los transistores de efecto de campo con puerta aislada están diseñados para su uso en etapas de amplificador, conversión y generador en el rango de longitudes de onda cortas y ultracortas.
KP905	Transistores de efecto de campo de puerta aislada para amplificación y generación de señales en el rango de frecuencia de hasta 1500 MHz
KP907	Transistores de efecto de campo de puerta aislada para amplificación y generación de señales en el rango de frecuencia de hasta 1500 MHz, así como para su uso en dispositivos de conmutación de alta velocidad en el rango de nanosegundos.
KP908	Transistores de efecto de campo de puerta aislada para amplificación y generación de señales en el rango de frecuencia de hasta 2.25 GHz
KP909	Transistores de efecto de campo con puerta aislada para funcionamiento en dispositivos amplificadores y generadores en modo continuo y pulsado a frecuencias de hasta 400 MHz.
AP910-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky y canal n para funcionamiento en amplificadores de potencia y generadores en el rango de frecuencia hasta 8 GHz
KP911	Transistores de efecto de campo con puerta aislada para funcionamiento en dispositivos amplificadores y generadores.
KP912	Transistores de efecto de campo con puerta aislada para uso en estabilizadores clave y convertidores de voltaje, dispositivos de impulsos, amplificadores y generadores.
KP913	Transistores de efecto de campo de puerta aislada para amplificación y generación de señales en el rango de frecuencia de hasta 400 MHz con tensiones de alimentación de hasta 45 V
2P914	Transistor de efecto de campo con unión pn d para uso en amplificadores, convertidores y generadores de alta frecuencia, así como en dispositivos de conmutación.
3P915-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky y canal n para funcionamiento en amplificadores de potencia y generadores en el rango de frecuencia hasta 8 GHz
KP918	Transistores de efecto de campo de puerta aislada para amplificación y generación de señales en el rango de frecuencia hasta 1 GHz, así como para dispositivos de conmutación de alta velocidad.
KP920	Transistores de efecto de campo de puerta aislada para amplificación y generación de señales en el rango de frecuencia de hasta 400 MHz, así como para dispositivos de conmutación de alta velocidad.
KP921	Transistores de efecto de campo con puerta aislada, diseñados para su uso en dispositivos de conmutación de alta velocidad.
2P922 2P922-1	Transistores de efecto de campo con puerta aislada y canal n, diseñados para su uso en fuentes de alimentación secundarias, dispositivos de conmutación y pulsos de alta velocidad, así como en estabilizadores y convertidores de voltaje.
KP923	Transistores de efecto de campo con puerta aislada para funcionamiento en dispositivos amplificadores y generadores, en dispositivos amplificadores lineales en frecuencias de hasta 1 GHz.
3P925-2	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky y canal n para funcionamiento en amplificadores de potencia de banda ancha en el rango de frecuencia 3.7-4.2 GHz (3P925A) y 4.3-4.8 GHz (3P925B) en una trayectoria con una impedancia característica de 50 ohmios y Contiene circuitos internos coincidentes.
2P926	Transistores de efecto de campo para fuentes de alimentación secundarias, dispositivos de conmutación y conmutación, así como para dispositivos de conmutación y lineales.
3P927	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky y canal n para funcionamiento en amplificadores de potencia, autoosciladores y convertidores de frecuencia en el rango de frecuencia 1-18 GHz
2P928	dos MOSFET con canal n y fuente común, generador, destinados a su uso en amplificadores de potencia y generadores
3P930	Transistores de efecto de campo de arseniuro de galio con barrera Schottky y canal n para funcionamiento en el rango de frecuencia 5.7-6.3 GHz
KP932	Transistor de alto voltaje para funcionamiento en etapas de amplificador de vídeo de pantallas en color.
KP933	dos transistores MOS con canal n y fuente común para funcionamiento en dispositivos amplificadores lineales y de banda ancha y autoosciladores con alta estabilidad de frecuencia (para amplificación y generación de señales con frecuencias de hasta 1 GHz)
KP934	Transistores con inducción estática y canal n destinados a su uso en fuentes de alimentación secundarias y dispositivos de conmutación de alto voltaje.
KP937	Transistores de efecto de campo conmutados con unión pn y canal n para uso en fuentes de alimentación secundarias, convertidores de voltaje, sistemas de accionamiento eléctrico, generadores de impulsos y complejos de procesamiento de chispas eléctricas.
KP938	Conmutación de transistores de efecto de campo de alta tensión con unión pn y canal n para uso en fuentes de alimentación secundarias, para alimentar motores de CC y CA, en interruptores potentes y amplificadores de baja frecuencia.
2P941	para generar señales y amplificar potencia en circuitos radioelectrónicos con una frecuencia de funcionamiento de hasta 400-600 MHz con una tensión de alimentación de 12 V
KP944	Transistor MOS con canal p para funcionamiento en circuitos de control de dispositivos de almacenamiento informático en discos magnéticos
KP944	Transistor MOS con canal n para funcionamiento en circuitos de control de dispositivos de almacenamiento informático en discos magnéticos
KP946	Dispositivo con inducción estática para uso en circuitos de fuentes de alimentación de alta frecuencia con entrada sin transformador, amplificadores de potencia clave.
KP948	Dispositivo con inducción estática para uso en circuitos de fuentes de alimentación de alta frecuencia con entrada sin transformador, amplificadores de potencia clave.
KP953	Dispositivo con inducción estática para uso en circuitos de fuentes de alimentación de alta frecuencia con entrada sin transformador, amplificadores de potencia clave.
KP955	Dispositivo con inducción estática para uso en circuitos de fuentes de alimentación de alta frecuencia con entrada sin transformador, amplificadores de potencia clave.

Publicación: cxem.net

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