Transistores KP901 - 3P930. Dato de referencia
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias
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tipo |
S1-S2/I(U)
msim/A(B) |
I01-I02/U
A / B |
yo/tú
nA/V |
C11
pF |
C12
pF |
C22
pF |
Adelante/Adelante
dB/GHz |
Uzi/Es(U0
V/mA(V) |
Uzs
В |
Uzi
В |
usi
В |
ic
А |
P/P
Mar |
tipo |
Kahn |
tsok |
KP901A
KP901B |
50-160 / 0.5
60-170 / 0.5 |
0.015-0.2 / 20
0.015-0.2 / 20 |
100/15 |
100
100 |
10
10 |
|
|
|
85
85 |
30
30 |
70
70 |
4
4 |
20
20 |
TIR
TIR |
N
N |
38
38 |
KP902A
KP902B
KP902V |
10-25 / 0.05
10-25 / 0.05
10-25 / 0.05 |
-0.01 /
-0.01 /
-0.01 / |
3/30
3/30
3/30 |
11
11
11 |
0.6
0.6
0.8 |
11
11
11 |
6/0.25
-
8/0.25 |
|
|
30
30
30 |
50
50
50 |
0.2
0.2
0.2 |
3.5
3.5
3.5 |
TIR
TIR
TIR |
N
N
N |
38
38
38 |
KP903A
KP903B
KP903V |
85-150/(10)
50-130/(10)
60-140/(10) |
0.12-0.7 /
0.06-0.48 /
0.09-0.6 / |
100/15
100/15
100/15 |
18
18
18 |
15
15
15 |
|
|
(5√12)
(1-6.5)
(1-10) |
20
20
20 |
15
15
15 |
20
20
20 |
0.7
0.7
0.7 |
65
65
65 |
NP
NP
NP |
N
N
N |
39
39
39 |
KP904A
KP904B |
250-510 / 1
250-510 / 1 |
-0.35/20
-0.35/20 |
|
300
300 |
7 |
|
|
|
100
100 |
30
30 |
85
85 |
5
3 |
50
50 |
TIR
TIR |
N
N |
40
40 |
KP905A
KP905B |
18-39 / 0.05
18-39 / 0.05 |
-0.02/20
-0.02/20 |
|
7
11 |
0.6
0.6 |
4
4 |
6/1
6/1 |
|
70
70 |
30
30 |
60
60 |
.225
0.15 |
4
4 |
TIR
TIR |
N
N |
41
41 |
KP907A
KP907B
KP907V |
10-200 / 0.5
110-200 / 0.5
80- / 0.5 |
-0.1 / 20
-0.1 / 20
-0.1 / 20 |
|
20
20
20 |
3
3
3 |
|
|
|
70
70 |
30
30 |
60
60 |
1.7
1.3
1.0 |
11.5
11.5 |
TIR
TIR
TIR |
N
N
N |
41
41
41 |
KP908A
KP908B |
24-40 / 0.08
24-40 / 0.08 |
.001-.025/20
.001-.025/20 |
|
4.5
6.5 |
0.6
0.6 |
|
|
|
50
50 |
20
20 |
40
40 |
0.3
0.2 |
3.5
3.5 |
TIR
TIR |
N
N |
41
41 |
KP909A
KP909B
KP909V |
350-900 / 0.9
350-900 / 0.9
350-900 / 0.9 |
0.001-0.5 / 20
0.001-0.5 / 20
0.001-0.5 / 20 |
|
125
125
125 |
6
6
6 |
60
60
60 |
|
|
60
60
60 |
25
25
25 |
50
50
50 |
6.5
4
5 |
50
50
50 |
TIR
TIR
TIR |
N
N
N |
42
42
42 |
AP910A-2
AP910B-2 |
50-/(3)
100-/(3) |
|
1000
1000 |
|
|
|
|
|
|
3.5
3.5 |
|
|
1.5
3 |
Disparo
Disparo |
N
N |
27
27 |
KP911A
KP911B |
200-600 / 0.5
200-600 / 0.5 |
-0.05/20
-0.03/20 |
|
80
80 |
|
|
|
|
60
60 |
25
25 |
50
50 |
3 - 5
2.5 - 4 |
30
30 |
TIR
TIR |
N
N |
42
42 |
KP912A
KP912B |
800-2200 / 0.9
800-2200 / 0.9 |
Rc=0.8 ohmios
Rc=0.4 ohmios |
|
500
500 |
16
16 |
250
250 |
|
|
110
70 |
20
20 |
100
60 |
8 - 20
12 - 25 |
40
40 |
TIR
TIR |
N
N |
43
43 |
KP913A
KP913B |
1000-3000 / 3
1000-3000 / 3 |
-0.2 / 50
-0.2 / 50 |
1000/25
1000/25 |
390
390 |
15
15 |
190
190 |
|
|
60
60 |
25
25 |
50
50 |
14 - 20
10 - 14 |
100
100 |
TIR
TIR |
N
N |
42
42 |
2P914A |
10-30 /(10) |
0.1-0.25 / 0 |
100/8 |
10 |
2.5 |
|
6/0.2 |
(8-30) |
80 |
30 |
50 |
0.1 |
.5 / 2.5 |
NP |
N |
10 |
3P915A-2
3P915B-2 |
350-1200 / 0.5
300- / 0.5 |
|
1000 /
1000 / |
|
|
|
|
|
|
5
5 |
7
7 |
0.65
0.65 |
12
12 |
Disparo
Disparo |
N
N |
45
45 |
KP918A
KP918B |
550-700 / 2
350-600 / 2 |
-0.06/20
Rc=3 ohmios |
|
100
100 |
3.5t
3.5t |
55t
55t |
|
60/0
60/0 |
55
55 |
20
20 |
45
45 |
6
4 |
45
45 |
TIR
TIR |
N
N |
44
44 |
KP920A
KP920B |
1000-2300 / 3
quince- / |
|
|
390
390 |
6
6 |
50
50 |
|
|
60
60 |
25
25 |
50
50 |
15
12 |
130
130 |
TIR
TIR |
N
N |
46
46 |
KP921A |
1000-1500 / 1 |
-0.0001/40 |
50/15 |
1700 |
|
|
|
|
45 |
20 |
45 |
10 |
15 |
TIR |
N |
51 |
2P922A
2P922B
2P922V
2P922A-1
2P922B-1
2P922V-1
2P922G-1 |
1000-2100 / 1
1000-2100 / 1
1000-2100 / 1
1000-2100 / 1
1000-2100 / 1
1000-2100 / 1
1000-2100 / 1 |
Rc=0.2 ohmios
Rc=0.4 ohmios
Rc=1 ohmios
Rc=0.2 ohmios
Rc=0.4 ohmios
Rc=1.0 ohmios
Rc=0.12 ohmios |
-
-
5/
5/
1/30
5/
5/30 |
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000 |
1200
1200 |
600
600 |
|
|
100
100
100
100
100
100
100 |
30
30
30
30
30
30
30 |
100
100
100
100
100
100
100 |
10/20
10/20
5/20
10/20
10/20
5/20
10/20 |
60
60
60
60
60
60
60 |
TIR
TIR
TIR
TIR
TIR
TIR
TIR |
N
N
N
N
N
N
N |
43
43
43
52
52
52
52 |
KP923A
KP923B
KP923V
KP923G |
1000-1500 / 3
700-1000 / 3
550-700 / 2
350-600 / 2 |
-0.05/20
Rc=1.0 ohmios
-0.025/20
Rc=3.0 ohmios |
100/20
100/20
100/20
100/20 |
400
400
250
250 |
|
|
|
|
60
60
60
60 |
20
20
20
20 |
50
50
50
50 |
12
8
6
4 |
100
100
50
50 |
TIR
TIR
TIR
TIR |
N
N
N
N |
44
44
44
44 |
3P925A-2
3P925B-2 |
300-700 / 1.8
300-700 / 1.8 |
-3 (3)
-3 (3) |
|
|
|
|
|
|
|
5
5 |
8
8 |
|
/7
/7 |
Disparo
Disparo |
N
N |
45
45 |
2P926A
2P926B
2P926V |
2000- / 4
2000- / 4
2000- / 4 |
Rc=0.1 ohmios
Rc=0.1 ohmios |
|
|
|
|
|
(15)
(15)
(15) |
475
420
320 |
25
20
20 |
450
400
300 |
16/30
16/30
8 |
50
50
50 |
NP
NP
NP |
N
N
N |
43
43
43 |
3P927A-2
3P927B-2
3P927V-2
3P927G-2
3P927D-2 |
50-150 / 0.4
50-200 / 0.4
50-200 / 0.4
50-200 / 0.4
50-200 / 0.4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
3
3
3
3
3 |
7
7
7
7
7 |
|
/ 2.5
/ 2.5
/ 2.5
/ 2.5
/ 2.5 |
Disparo
Disparo
Disparo
Disparo
Disparo |
N
N
N
N
N |
29
29
29
29
29 |
2P928A
2P928B |
1000-2300 / 3
1000-2300 / 3 |
Rc=0.4 t ohmios
Rc=0.4 t ohmios |
|
570
570 |
60
60 |
180
180 |
|
|
60
65 |
25
25 |
50
55 |
16
16 |
250
250 |
TIR
TIR |
N
N |
47
47 |
3P930A
3P930B
3P930V |
1000- / 4
1000- / 4
1000- / 4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
5
5
5 |
8
8
8 |
|
/ 21
/ 21
/ 21 |
Disparo
Disparo
Disparo |
N
N
N |
48
48
48 |
Publicación: cxem.net
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Penetrando rápidamente en nuestras vidas, los dispositivos inalámbricos para diversos fines han llegado a los bastiones más conservadores de las tecnologías "alámbricas", en particular, la iluminación eléctrica.
Según un comunicado de prensa del laboratorio de investigación nuclear estadounidense Sandia National Laboratories, en los Estados Unidos se han desarrollado fuentes de luz inalámbricas basadas en nanocristales, que en el futuro pueden reemplazar las lámparas incandescentes o las luces fluorescentes que nos son familiares. Además de la ausencia de cables eléctricos, las nuevas lámparas tienen otra ventaja: muy alta eficiencia. Las fuentes de luz inalámbricas se desarrollaron como parte de un proyecto conjunto entre Los Alamos National Laboratories y Sandia Laboratories. Los elementos emisores en ellos son nanocristales.
Las estructuras de semiconductores conocidas como "pozos cuánticos" se utilizan como fuentes de energía. Su radiación ultravioleta es efectivamente absorbida por los nanocristales, luego de lo cual se vuelve a emitir en el rango visible. Se ha demostrado experimentalmente que la estructura de los nanocristales comienza a emitir luz, estando muy cerca de la fuente de energía.
Tal mecanismo tiene una serie de ventajas atractivas. En particular, la longitud de onda de la luz que emiten los nanocristales está determinada en mayor medida por los parámetros geométricos de las estructuras que por las propiedades de los materiales utilizados, lo que facilita la obtención de fuentes de un determinado color (por ejemplo, rojo , azul, verde), o combinándolos para obtener un color blanco. El "pozo cuántico" utilizado en los experimentos realizados por científicos estadounidenses es una película de unos tres nanómetros de espesor de nitruro de indio y galio depositada sobre un sustrato de cinco centímetros de diámetro. La estructura de los niveles de energía permite que el "pozo cuántico" irradie en el rango ultravioleta (longitud de onda de unos 400 nm).
El "pozo cuántico" en sí mismo fue creado en los Laboratorios Sandia por el químico Daniel Koleske. El montaje del montaje experimental y la realización de los experimentos, así como el desarrollo de la teoría, estuvieron a cargo de científicos del Laboratorio de Los Álamos. En nuestro experimento, el "pozo cuántico" fue bombeado con energía utilizando un láser. Reemplazar el láser con una corriente eléctrica más conveniente está plagado de dificultades significativas, pero los científicos creen que este problema es bastante solucionable.
Ya en los primeros experimentos, la eficiencia de transferencia de energía fue del 55%. Los científicos creen que en el futuro esta cifra puede aumentar significativamente, casi hasta el 100%. El desarrollo de fuentes de luz altamente eficientes es una de las tareas prioritarias de la electrónica de semiconductores moderna: hoy en día, los dispositivos de iluminación son el principal consumidor de electricidad generada en el mundo.
La dirección más prometedora en esta área es la creación de LED superbrillantes. Ya han aparecido dispositivos similares en el mercado; en particular, la empresa italiana Rimsa ha desarrollado una lámpara para quirófanos PentalLED, que proporciona una luz absolutamente "fría". Utiliza LED Luxeon V, capaces de generar 120 lúmenes de salida de luz y con una vida útil veinticinco veces más larga que los halógenos actualmente en uso.
Sin duda, el desarrollo de fuentes de luz "inalámbricas" eficientes basadas en nanoestructuras ampliará significativamente la gama de aplicaciones de las nuevas tecnologías.
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Comentarios sobre el artículo:
Vladimir
bueno, aún sería muy buena una designación gráfica del transistor.
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