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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA
biblioteca gratis / Esquemas de dispositivos radioelectrónicos y eléctricos.

Transistores KP901 - 3P930. Dato de referencia

biblioteca técnica gratuita

Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias

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tipo S1-S2/I(U)
msim/A(B)
I01-I02/U
A / B
yo/tú
nA/V
C11
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Adelante/Adelante
dB/GHz
Uzi/Es(U0
V/mA(V)
Uzs
В
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В
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А
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KP901A
KP901B
50-160 / 0.5
60-170 / 0.5
0.015-0.2 / 20
0.015-0.2 / 20
100/15 100
100
10
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85
85
30
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4
4
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20
TIR
TIR
N
N
38
38
KP902A
KP902B
KP902V
10-25 / 0.05
10-25 / 0.05
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-0.01 /
-0.01 /
3/30
3/30
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11
11
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30
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3.5
3.5
3.5
TIR
TIR
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N
N
N
38
38
38
KP903A
KP903B
KP903V
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100/15
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18
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(5√12)
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20
20
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20
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0.7
0.7
0.7
65
65
65
NP
NP
NP
N
N
N
39
39
39
KP904A
KP904B
250-510 / 1
250-510 / 1
-0.35/20
-0.35/20
300
300
7 100
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30
30
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85
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3
50
50
TIR
TIR
N
N
40
40
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18-39 / 0.05
-0.02/20
-0.02/20
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0.6
4
4
6/1
6/1
70
70
30
30
60
60
.225
0.15
4
4
TIR
TIR
N
N
41
41
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KP907B
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-0.1 / 20
-0.1 / 20
20
20
20
3
3
3
70
70
30
30
60
60
1.7
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11.5
11.5
TIR
TIR
TIR
N
N
N
41
41
41
KP908A
KP908B
24-40 / 0.08
24-40 / 0.08
.001-.025/20
.001-.025/20
4.5
6.5
0.6
0.6
50
50
20
20
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40
0.3
0.2
3.5
3.5
TIR
TIR
N
N
41
41
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KP909B
KP909V
350-900 / 0.9
350-900 / 0.9
350-900 / 0.9
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125
125
125
6
6
6
60
60
60
60
60
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25
25
25
50
50
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6.5
4
5
50
50
50
TIR
TIR
TIR
N
N
N
42
42
42
AP910A-2
AP910B-2
50-/(3)
100-/(3)
1000
1000
3.5
3.5
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3
Disparo
Disparo
N
N
27
27
KP911A
KP911B
200-600 / 0.5
200-600 / 0.5
-0.05/20
-0.03/20
80
80
60
60
25
25
50
50
3 - 5
2.5 - 4
30
30
TIR
TIR
N
N
42
42
KP912A
KP912B
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800-2200 / 0.9
Rc=0.8 ohmios
Rc=0.4 ohmios
500
500
16
16
250
250
110
70
20
20
100
60
8 - 20
12 - 25
40
40
TIR
TIR
N
N
43
43
KP913A
KP913B
1000-3000 / 3
1000-3000 / 3
-0.2 / 50
-0.2 / 50
1000/25
1000/25
390
390
15
15
190
190
60
60
25
25
50
50
14 - 20
10 - 14
100
100
TIR
TIR
N
N
42
42
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3P915A-2
3P915B-2
350-1200 / 0.5
300- / 0.5
1000 /
1000 /
5
5
7
7
0.65
0.65
12
12
Disparo
Disparo
N
N
45
45
KP918A
KP918B
550-700 / 2
350-600 / 2
-0.06/20
Rc=3 ohmios
100
100
3.5t
3.5t
55t
55t
60/0
60/0
55
55
20
20
45
45
6
4
45
45
TIR
TIR
N
N
44
44
KP920A
KP920B
1000-2300 / 3
quince- /
390
390
6
6
50
50
60
60
25
25
50
50
15
12
130
130
TIR
TIR
N
N
46
46
KP921A 1000-1500 / 1 -0.0001/40 50/15 1700 45 20 45 10 15 TIR N 51
2P922A
2P922B
2P922V
2P922A-1
2P922B-1
2P922V-1
2P922G-1
1000-2100 / 1
1000-2100 / 1
1000-2100 / 1
1000-2100 / 1
1000-2100 / 1
1000-2100 / 1
1000-2100 / 1
Rc=0.2 ohmios
Rc=0.4 ohmios
Rc=1 ohmios
Rc=0.2 ohmios
Rc=0.4 ohmios
Rc=1.0 ohmios
Rc=0.12 ohmios
-
-
5/
5/
1/30
5/
5/30
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
1200
1200
600
600
100
100
100
100
100
100
100
30
30
30
30
30
30
30
100
100
100
100
100
100
100
10/20
10/20
5/20
10/20
10/20
5/20
10/20
60
60
60
60
60
60
60
TIR
TIR
TIR
TIR
TIR
TIR
TIR
N
N
N
N
N
N
N
43
43
43
52
52
52
52
KP923A
KP923B
KP923V
KP923G
1000-1500 / 3
700-1000 / 3
550-700 / 2
350-600 / 2
-0.05/20
Rc=1.0 ohmios
-0.025/20
Rc=3.0 ohmios
100/20
100/20
100/20
100/20
400
400
250
250
60
60
60
60
20
20
20
20
50
50
50
50
12
8
6
4
100
100
50
50
TIR
TIR
TIR
TIR
N
N
N
N
44
44
44
44
3P925A-2
3P925B-2
300-700 / 1.8
300-700 / 1.8
-3 (3)
-3 (3)
5
5
8
8
/7
/7
Disparo
Disparo
N
N
45
45
2P926A
2P926B
2P926V
2000- / 4
2000- / 4
2000- / 4
Rc=0.1 ohmios
Rc=0.1 ohmios
(15)
(15)
(15)
475
420
320
25
20
20
450
400
300
16/30
16/30
8
50
50
50
NP
NP
NP
N
N
N
43
43
43
3P927A-2
3P927B-2
3P927V-2
3P927G-2
3P927D-2
50-150 / 0.4
50-200 / 0.4
50-200 / 0.4
50-200 / 0.4
50-200 / 0.4
3
3
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3
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7
7
7
7
/ 2.5
/ 2.5
/ 2.5
/ 2.5
/ 2.5
Disparo
Disparo
Disparo
Disparo
Disparo
N
N
N
N
N
29
29
29
29
29
2P928A
2P928B
1000-2300 / 3
1000-2300 / 3
Rc=0.4 t ohmios
Rc=0.4 t ohmios
570
570
60
60
180
180
60
65
25
25
50
55
16
16
250
250
TIR
TIR
N
N
47
47
3P930A
3P930B
3P930V
1000- / 4
1000- / 4
1000- / 4
5
5
5
8
8
8
/ 21
/ 21
/ 21
Disparo
Disparo
Disparo
N
N
N
48
48
48

Publicación: cxem.net

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Las bombillas se vuelven inalámbricas 23.07.2004

Penetrando rápidamente en nuestras vidas, los dispositivos inalámbricos para diversos fines han llegado a los bastiones más conservadores de las tecnologías "alámbricas", en particular, la iluminación eléctrica.

Según un comunicado de prensa del laboratorio de investigación nuclear estadounidense Sandia National Laboratories, en los Estados Unidos se han desarrollado fuentes de luz inalámbricas basadas en nanocristales, que en el futuro pueden reemplazar las lámparas incandescentes o las luces fluorescentes que nos son familiares. Además de la ausencia de cables eléctricos, las nuevas lámparas tienen otra ventaja: muy alta eficiencia. Las fuentes de luz inalámbricas se desarrollaron como parte de un proyecto conjunto entre Los Alamos National Laboratories y Sandia Laboratories. Los elementos emisores en ellos son nanocristales.

Las estructuras de semiconductores conocidas como "pozos cuánticos" se utilizan como fuentes de energía. Su radiación ultravioleta es efectivamente absorbida por los nanocristales, luego de lo cual se vuelve a emitir en el rango visible. Se ha demostrado experimentalmente que la estructura de los nanocristales comienza a emitir luz, estando muy cerca de la fuente de energía.

Tal mecanismo tiene una serie de ventajas atractivas. En particular, la longitud de onda de la luz que emiten los nanocristales está determinada en mayor medida por los parámetros geométricos de las estructuras que por las propiedades de los materiales utilizados, lo que facilita la obtención de fuentes de un determinado color (por ejemplo, rojo , azul, verde), o combinándolos para obtener un color blanco. El "pozo cuántico" utilizado en los experimentos realizados por científicos estadounidenses es una película de unos tres nanómetros de espesor de nitruro de indio y galio depositada sobre un sustrato de cinco centímetros de diámetro. La estructura de los niveles de energía permite que el "pozo cuántico" irradie en el rango ultravioleta (longitud de onda de unos 400 nm).

El "pozo cuántico" en sí mismo fue creado en los Laboratorios Sandia por el químico Daniel Koleske. El montaje del montaje experimental y la realización de los experimentos, así como el desarrollo de la teoría, estuvieron a cargo de científicos del Laboratorio de Los Álamos. En nuestro experimento, el "pozo cuántico" fue bombeado con energía utilizando un láser. Reemplazar el láser con una corriente eléctrica más conveniente está plagado de dificultades significativas, pero los científicos creen que este problema es bastante solucionable.

Ya en los primeros experimentos, la eficiencia de transferencia de energía fue del 55%. Los científicos creen que en el futuro esta cifra puede aumentar significativamente, casi hasta el 100%. El desarrollo de fuentes de luz altamente eficientes es una de las tareas prioritarias de la electrónica de semiconductores moderna: hoy en día, los dispositivos de iluminación son el principal consumidor de electricidad generada en el mundo.

La dirección más prometedora en esta área es la creación de LED superbrillantes. Ya han aparecido dispositivos similares en el mercado; en particular, la empresa italiana Rimsa ha desarrollado una lámpara para quirófanos PentalLED, que proporciona una luz absolutamente "fría". Utiliza LED Luxeon V, capaces de generar 120 lúmenes de salida de luz y con una vida útil veinticinco veces más larga que los halógenos actualmente en uso.

Sin duda, el desarrollo de fuentes de luz "inalámbricas" eficientes basadas en nanoestructuras ampliará significativamente la gama de aplicaciones de las nuevas tecnologías.

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Comentarios sobre el artículo:

Vladimir
bueno, aún sería muy buena una designación gráfica del transistor.


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