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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Amplificador KB de transistor lineal con una potencia de 50 vatios. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Amplificadores de potencia de RF El amplificador de potencia lineal IRF520 basado en transistores de efecto de campo, desarrollado por el radioaficionado polaco Jerzy Mroszczak (SQ7JHM), difiere de la mayoría de las soluciones técnicas conocidas cercanas, aunque no es nueva, sino que se usa raramente. Sus buenos parámetros y la alta calidad de la señal son confirmados por una gran cantidad de comentarios positivos recibidos de los corresponsales en los QSO realizados por el autor.
La apariencia del amplificador se muestra en la fig. 1, y su diagrama está en la Fig. 2. La señal amplificada aplicada al conector XW1 ingresa a través de un atenuador de resistencias R1-R3 y un transformador T1 a las puertas de los transistores de efecto de campo VT1 y VT2. El esquema utilizado proporciona una buena simetría de las señales de puerta. Con la ayuda de una resistencia de sintonización R7, se establece una polarización constante en las puertas de los transistores, lo que proporciona una corriente de reposo en el circuito de sus drenajes (en ausencia de voltaje alterno en las puertas) de aproximadamente 80 ... 100mA La corriente de reposo total, que se puede medir conectando el amperímetro a la ruptura en el cable de alimentación marcado en el diagrama con una cruz, es el doble: 160 ... 200 mA. A la máxima potencia de salida, la corriente aquí aumenta a aproximadamente 4 A.
El atenuador resistivo sirve para hacer coincidir mejor el amplificador con la fuente de la señal y amortiguar el exceso de potencia de esta señal. Los valores de las resistencias R1-R3 indicados en el diagrama son óptimos cuando se trabaja desde el transceptor Kajman utilizado por el autor de QRP con una potencia de salida de 2 vatios. En otros casos, es posible que sea necesario volver a seleccionar estas resistencias. El transformador T1 está enrollado con alambre de cobre aislado de doble pliegue con un diámetro de 0,55 mm en un circuito magnético de ferrita anular FT-82-43. Sus devanados contienen 11 vueltas. El amplificador utiliza una unidad original para sumar las señales de salida de los brazos de un amplificador push-pull, ensamblado en un transformador T2, que también sirve para emparejar el amplificador con una carga de 50 ohmios. Los condensadores de aislamiento C6-C9 no permiten que el componente de CC de la corriente de drenaje del transistor pase a los devanados del transformador. Esto salva su circuito magnético de polarización no deseada, lo que puede resultar en una mayor distorsión no lineal de la señal de salida, potencia insuficiente y un mayor nivel de armónicos en la salida. El diseño y número de vueltas de los devanados del transformador T2 son los mismos que los del T1. Pero su circuito magnético está pegado a partir de dos anillos de ferrita FT-114-43, y el diámetro del cable de devanado es de 1 mm. Es imposible deshacerse del componente de CC de la corriente que fluye en los devanados de los inductores L1, L2, L4, L5. El peligro de saturación se elimina aquí de una manera diferente: mediante el uso de circuitos magnéticos de varilla abierta en lugar de circuitos magnéticos de anillo cerrado. Los chokes L1 y L2 tienen 25 vueltas de alambre de 1 mm de diámetro enrollado en una varilla de ferrita de 8 mm de diámetro, y los chokes L4 y L5 - 20 vueltas del mismo alambre en una varilla de 5 mm de diámetro. El autor, desafortunadamente, no informa sobre la permeabilidad magnética de las varillas de ferrita, y solo dice que debería ser alta. La bobina L3 está enrollada en un circuito magnético anular T68-2 hecho de carbonilo de hierro. Contiene 19 vueltas de alambre con un diámetro de 0,9 mm. La placa de circuito impreso del amplificador se muestra en la fig. 3. La lámina en su reverso está completamente conservada. Con varios puentes de cable pasados a través de orificios especialmente perforados, se conecta a un conductor impreso común en la parte frontal. Las ventanas están hechas para los casos de transistores de efecto de campo en la placa, y los transistores mismos están montados en disipadores de calor. Los transistores deben seleccionarse con una dispersión de parámetros de no más del 10%. Si esto falla, como se muestra en la Fig. Los puentes de 3 cables en los circuitos fuente de los transistores deben reemplazarse con resistencias con una resistencia de 0,22 ohmios y una potencia de 2 vatios.
Cuando se aplicó una señal sinusoidal con una amplitud de 9 V a la entrada del amplificador, se obtuvo una potencia de 50 W a su carga de 55 Ohms. Según el autor, depende poco de la frecuencia en todo el rango de KB, que, lamentablemente, no indica los límites y la magnitud del desnivel. Publicación: radioradar.net
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