Mejora del transceptor UW3DI. Esquema, descripción

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Para aumentar la eficiencia y la comodidad cuando se opera en modo CW, se recomienda reducir el tiempo de retardo del sistema VOX en el transceptor de tubo y semiconductor UW3D1 en comparación con el modo SSB.

Mejora del transceptor UW3DI

Para hacer esto, en modo CW, se conecta una resistencia adicional en paralelo con la resistencia 1-R4. Los cambios que deben introducirse en el VOX del transceptor (ver Yu. Kudryavtsev. Transceptor de tubo y semiconductor. - "Radio", 1974, No. 4) están marcados en la figura con líneas discontinuas.

Autor: A. Zhukovsky (UB5UWI), Kiev; Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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La nueva memoria flash V-NAND incluye 64 capas, un 30 % más que su predecesora. Cada celda es capaz de almacenar tres bits de información. La densidad del cristal es de 512 Gbps y la velocidad de transferencia de datos que admite alcanza los 800 Mbps. Estos parámetros son un récord para la industria. En los productos de producción masiva, la nueva memoria comenzará a aparecer en el próximo trimestre.

El primer uso de la nueva memoria fue un SSD SAS de 2,5 pulgadas y 32 TB. Según Samsung, este es el SSD de mayor capacidad en su categoría. Utiliza 512 chips V-NAND nuevos, que se agrupan en 16 piezas en 32 paquetes. Está previsto que la producción en serie de dichos SSD comience en 2017 y, para 2020, Samsung espera comenzar la producción de SSD con una capacidad de más de 100 TB.

La exposición de Samsung se completa con un SSD de 1TB de una sola caja en un paquete BGA. Incluye V-NAND, LPDDR4 DRAM y troqueles de controlador. Esta unidad ofrece velocidades de lectura de hasta 1500 MB/s y velocidades de escritura de hasta 900 MB/s.

Además, el fabricante anunció la creación de unidades de estado sólido Z-SSD, que se caracterizan por una latencia muy baja y altas tasas de transferencia de datos, superando las limitaciones de los modelos NVMe actuales. Samsung promete presentar estas unidades el próximo año.

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