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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Amplificador de potencia para transceptor QRP. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Amplificadores de potencia de RF El amplificador está diseñado para trabajar junto con un transceptor de baja potencia (hasta 1 W). Su diagrama esquemático se muestra en la fig. 1. Consta de dos etapas de amplificación y proporciona una potencia de salida de hasta 50 W en la banda de frecuencia de 3,5 a 30 MHz. La primera etapa se realiza en un transistor de efecto de campo con una puerta aislada 2P909A que funciona en modo de subtensión. La segunda etapa está construida sobre el conjunto de transistores KT9105AC, que consta de dos transistores de silicio, que tienen pequeñas dimensiones, alta confiabilidad y bajo voltaje de alimentación. Una característica de este amplificador es el uso simultáneo de transistores bipolares y de efecto de campo. Esta combinación proporciona una mejora en las características del ruido y la linealidad en relación con el uso de solo transistores bipolares, y en comparación con el uso de solo transistores de efecto de campo, una mejora en las características energéticas del amplificador.
La segunda etapa se realiza de acuerdo con el esquema de adición de potencia, lo que permite reducir las fluctuaciones no deseadas de segundo y tercer orden en el espectro de la señal y no es particularmente sensible al desajuste de carga. En el amplificador, las cascadas están bien desacopladas de la influencia mutua. En combinación con la conexión en serie de transistores en la entrada y salida en la segunda etapa, a la misma potencia oscilatoria, las resistencias de entrada y carga resultantes aumentan cuatro veces. Para aumentar la resistencia de entrada y carga del amplificador, se incluyen transformadores con entrada y salida balanceadas T2, T3 en su entrada y salida. Para cambiar a circuitos externos no balanceados, se utilizan transformadores T1, T4 con una relación de transformación de 1:1. El uso de transformadores de banda ancha proporciona la adecuación necesaria y permite trabajar en la banda de frecuencias de 3,5 a 30 MHz sin sintonía mecánica. A la salida del amplificador se incluyen bloques de filtros de paso bajo. El transformador T1 está realizado sobre un núcleo magnético anular (K10x5x3) de ferrita M400NN - M600NN. Sus devanados contienen 12 vueltas. El devanado se realiza con dos hilos trenzados bifilares PEV-2 0,3, el transformador T2 se realiza sobre un anillo de ferrita (M600NN) de tamaño K17x7x6. El devanado 9-10, enrollado primero, contiene una vuelta de cable MGTF 12x0,075, el resto: 4 vueltas de cables trenzados bifilares MGTF 12x0,075. El transformador ТЗ está hecho en el mismo circuito magnético que Т2. Sus devanados contienen 3 vueltas de hilos trenzados bifilares MGTF 19x0,12. El transformador T4 está hecho en dos circuitos magnéticos toroidales 50VCh2, tamaño K17x7x7. El devanado se realiza con cuatro hilos MGTF 19x0,12 bifilares torcidos (dos por devanado), el número de vueltas es de 9. El paso de los hilos en todos los transformadores es de 5 mm. El inductor L1 - L5 está enrollado en un núcleo magnético toroidal (K 10x6x3) hecho de ferrita M1000NN. L1 contiene 4 vueltas de cable PEV-2 0,3, L2, L3 (ambos en el mismo anillo) - 3 vueltas cada uno, - L4, L5 (también en un anillo) - 2 vueltas de cable PEV-2 0,49. Antes de enrollar, los anillos de choques y transformadores se tratan con una lima y se cubren con laca nitro o cola BF. También puede usar estranguladores prefabricados: L1 - inductancia 15 ... 20 μH, L2, L3 - 10 μH, L4, L5 - 5 μH. El conductor que conecta la puerta del transistor VT1 con otras partes pasa a través de tres anillos de ferrita (M1000NN), cuyo diámetro interior es igual al diámetro del cable. Los mismos anillos están instalados en ambos extremos del conductor (tres en cada uno) que van desde el terminal 9 del transformador T2 al condensador C2. Los núcleos magnéticos se fijan con cola BF. El amplificador está montado en una placa con dimensiones de 110x180 mm hecha de lámina de fibra de vidrio con un espesor de 1,5 ... 2 mm. Las dimensiones de la placa se pueden reducir si se utilizan resistencias y condensadores modernos de pequeño tamaño. Primero, se instalan transformadores en la placa, se verifica la confiabilidad de la soldadura y la ausencia de cortocircuitos con un cable común en la placa. Después de eso, el transistor KT9125AC se coloca en la placa y luego todos los demás detalles. Durante el ensamblaje final, se verifica la confiabilidad de la fijación de los transistores, especialmente KT9125AC, al disipador de calor (se instala en el lado de la placa sin piezas, dimensiones de al menos 150x100 mm). La configuración del amplificador comienza con la verificación de las corrientes en los puntos de control y la selección de las resistencias adecuadas. Las corrientes en cada etapa se establecen en ausencia de una señal de entrada. El condensador C 16 se selecciona de acuerdo con la potencia de salida máxima. Al usar los detalles indicados en el diagrama, la respuesta de frecuencia del amplificador resultó ser óptima para operar en el rango de 3,5 ... 30 MHz. Autor: Gennady Osipov (RV3AK), Moscú; Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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