ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Transceptor SI-97. Amplificador. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Amplificadores de potencia de RF El transceptor YES-97 utiliza un amplificador de potencia de banda ancha basado en dos transistores KT931A. Basado en el amplificador UY5DJ, publicado en la revista "Radio" No. 2-88 en la página 21. Se hicieron mejoras menores en él, que afectaron solo a ciertas secciones del esquema. Se han introducido nuevos estabilizadores de corriente de reposo para transistores de salida. Las cascadas en los transistores KT626 actúan como generadores de corriente y estabilizan la corriente de base de los transistores KT931A, independientemente de la temperatura ambiente. Al mismo tiempo, los transistores KT626 proporcionan una función adicional, no menos importante, de los amplificadores en el circuito de retroalimentación negativa de los transistores de salida. El uso de un OOS suficientemente profundo permite obtener una alta linealidad del amplificador cuando opera en una amplia gama de potencias de salida, desde el mínimo hasta el máximo. La compensación térmica de los transistores de salida la proporcionan las propiedades de los propios transistores. Se sabe que las uniones base-emisor de los transistores KT931 (cualquier transistor, aproximadamente RW3AY) son diodos, que en sí mismos pueden ser buenos sensores para la temperatura de un cristal de transistor potente. Dado que la corriente que fluye a través del diodo es estable, a medida que aumenta la temperatura, la caída de voltaje en el diodo disminuye, lo que, a su vez, conducirá a una disminución en la base y, en consecuencia, la corriente de reposo del colector de un transistor potente. En la práctica, resultó que el circuito de compensación térmica de corriente de reposo utilizado es tan bueno que no se requiere un acoplamiento térmico adicional de ningún elemento del circuito con las cajas del transistor de salida. El amplificador se verificó y probó utilizando un método de dos frecuencias en el medio del rango de 20 metros a una frecuencia de 14150 kHz, lo que muestra que la potencia en el pico de la envolvente con una carga de 50 ohmios alcanza los 100 W, y el nivel de modulación mutua no supera los -45 dB. El amplificador de potencia tiene una gran ganancia. Para proporcionar una potencia de salida de 100 W, el nivel máximo de la señal de entrada no supera los 150 mW con una impedancia de entrada del amplificador de 50 ohmios. En realidad, el diseño del amplificador no ha sufrido ningún cambio. El preamplificador (controlador) se ensambla de acuerdo con un circuito push-pull en los transistores KT610 y 2xKT904. Los transformadores de banda ancha de alta frecuencia T1 ... T3 repiten completamente los del amplificador UY5DJ, su diseño y datos de devanado no han cambiado. El circuito amplificador tiene un ALC que mantiene una señal de salida constante y su alta calidad en una amplia gama de cargas. Con fines experimentales, a plena potencia de salida, la antena se apagó y cortocircuitó repetidamente. El amplificador resistió con éxito tal "intimidación", que caracteriza su confiabilidad operativa bastante alta. La placa de circuito impreso del transceptor está hecha de lámina de fibra de vidrio de doble cara de 110x80 mm. Se conserva la lámina en todos los lados del tablero. Las pistas se cortan con un cortador. Las pistas de metal, marcadas con una línea suave, están ubicadas en el interior y con líneas rectas, en el exterior. La apariencia de la placa de circuito impreso se muestra desde el lado de los detalles. Autor: G. Bragin, RZ4HK, Chapaevsk; Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru Ver otros artículos sección Amplificadores de potencia de RF. Lee y escribe útil comentarios sobre este artículo. Últimas noticias de ciencia y tecnología, nueva electrónica: Una nueva forma de controlar y manipular señales ópticas
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