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Se ha desarrollado un nuevo tipo de dispositivo termonuclear.

08.04.2024

La energía de fusión sigue siendo una de las áreas más prometedoras en el campo de la energía, y se esfuerza por crear fuentes de energía limpias y eficientes. Los recientes avances científicos, como el nuevo estelarador MUSE presentado por científicos del Laboratorio de Física del Plasma de Princeton (PPPL) y el Departamento de Energía de Estados Unidos (DOE), están abriendo nuevos caminos en este campo.

Científicos del Laboratorio de Física del Plasma de Princeton (PPPL) y del Departamento de Energía de Estados Unidos (DOE) han presentado un nuevo tipo de estelarador, un dispositivo especial para reacciones de fusión nuclear.

Los estelaradores, como los tokamaks, utilizan campos magnéticos para confinar el plasma. Sin embargo, en el nuevo dispositivo los campos magnéticos tienen una forma inusual, exclusiva de los estelaradores. Son toroidales, pero también están retorcidos a lo largo del eje del "cordón" de plasma. Una característica distintiva de MUSE es el uso de imanes permanentes, lo que lo distingue de otros dispositivos en los que el campo magnético se crea mediante electroimanes.

El dispositivo MUSE se ensambla a partir de componentes y equipos estándar disponibles en el sector comercial. Los imanes permanentes están integrados en una carcasa impresa en 3D que rodea una cámara de vacío que contiene el plasma.

Además, MUSE tiene una alta cuasisimetría, lo que contribuye al confinamiento efectivo del plasma dentro del dispositivo y aumenta la probabilidad de reacciones de fusión termonuclear.

Los planes futuros incluyen una serie de experimentos para estudiar con más detalle la cuasisimetría de MUSE y su efecto sobre el confinamiento del plasma. Estos estudios incluirán mediciones más precisas de los campos magnéticos y la velocidad de rotación del plasma.

El desarrollo del nuevo estelarador MUSE representa un paso significativo en el desarrollo de la energía de fusión. Su diseño avanzado y el uso de imanes permanentes podrían conducir a un confinamiento de plasma más eficiente y sostenible, que es clave para lograr la fusión a escala práctica.

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Nuevo método para crear baterías potentes 08.05.2024

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Contenido de alcohol de la cerveza caliente. 07.05.2024

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Principal factor de riesgo para la adicción al juego 07.05.2024

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El ruido del tráfico retrasa el crecimiento de los polluelos 06.05.2024

Los sonidos que nos rodean en las ciudades modernas son cada vez más penetrantes. Sin embargo, pocas personas piensan en cómo este ruido afecta al mundo animal, especialmente a criaturas tan delicadas como los polluelos que aún no han salido del cascarón. Investigaciones recientes están arrojando luz sobre esta cuestión, indicando graves consecuencias para su desarrollo y supervivencia. Los científicos han descubierto que la exposición de los polluelos de cebra al ruido del tráfico puede causar graves alteraciones en su desarrollo. Los experimentos han demostrado que la contaminación acústica puede retrasar significativamente su eclosión, y los polluelos que emergen enfrentan una serie de problemas que promueven la salud. Los investigadores también descubrieron que los efectos negativos de la contaminación acústica se extienden a las aves adultas. Las menores posibilidades de reproducción y la disminución de la fertilidad indican los efectos a largo plazo que el ruido del tráfico tiene en la vida silvestre. Los resultados del estudio resaltan la necesidad ... >>

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Samsung DDR4 RDIMM de 64 GB 08.09.2014

Samsung Electronics ha anunciado el inicio de la producción en masa de módulos DDR4 RDIMM de 64 GB que utilizan tecnología de paquete 3D TSV. Los nuevos módulos de alta densidad y alto rendimiento desempeñarán un papel clave en la proliferación de servidores empresariales y aplicaciones en la nube, así como en una mayor diversificación de las soluciones de centros de datos, dijo Samsung a CNews.

Los nuevos RDIMM incluyen 36 chips DDR4 DRAM, cada uno de los cuales consta de cuatro chips DDR4 DRAM de 4 Gb. Los chips de bajo consumo se fabrican utilizando el proceso de clase de 20 nm de última generación de Samsung y la tecnología de paquete 3D TSV.

"Con la introducción de módulos DDR4 de bajo consumo ensamblados con tecnología 3D TSV, estamos dando un gran paso hacia el mercado principal de DDR4, que debería expandirse significativamente con la introducción esperada de CPU de próxima generación en la segunda mitad de este año". dijo Jiho Baik, vicepresidente de la división de marketing de soluciones de memoria de Samsung Electronics.

En general, la compañía señaló que la producción en masa de módulos 3D TSV marca un nuevo hito en la historia de la tecnología de memoria, luego de la primera producción de Samsung de memoria flash 3D Vertical NAND (V-NAND) el año pasado. Mientras que la tecnología 3D V-NAND utiliza estructuras de matriz de celdas verticales altas dentro de un troquel monolítico, 3D TSV es una tecnología de apilamiento innovadora que permite interconectar capas verticales de chips, explicó la compañía.
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"Para crear un paquete DRAM TSV 3D, los troqueles DDR4 se muelen hasta un grosor de solo unas pocas decenas de micras, después de lo cual se crean cientos de pequeños agujeros en los troqueles. Se interconectan verticalmente mediante electrodos que se pasan a través de los agujeros, "dijeron los representantes de Samsung. El nuevo módulo TSV de 64 GB tiene el doble de rendimiento que el módulo de 64 GB, donde los paquetes usan montaje con cable, y el consumo de energía de los módulos se reduce aproximadamente a la mitad".

En el futuro, Samsung dice que será posible interconectar más de cuatro matrices DDR4 utilizando la tecnología 3D TSV, lo que permitirá construir módulos DRAM de mayor densidad. Esto acelerará la expansión del mercado de memoria premium y la transición de memoria DDR3 a DDR4 en el mercado de servidores.

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