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Chips Samsung DDR8 de 4 Gb y módulos DDR32 de 4 GB

23.10.2014

Samsung Electronics ha anunciado el inicio de la producción en masa de chips DDR4 de 8 Gb con tecnología de 20 nm. Los nuevos chips de memoria permiten la creación de módulos de 32 GB, cuya producción ya ha comenzado. En el futuro, Samsung podrá crear módulos de servidor con una capacidad de 128 GB.

Los nuevos chips de memoria DDR8 de 4 Gb de Samsung están certificados para funcionar a frecuencias de hasta 2400 MHz con un voltaje de alimentación de 1,2 V, el más bajo de la industria. Si bien los chips de memoria de 8 Gb no funcionarán a las frecuencias ultra altas de las variantes de 4 Gb, permitirán módulos más grandes, lo cual es importante para los potentes servidores de próxima generación basados en procesadores Intel Xeon E5 v3 "Haswell-EP" de varios núcleos. .

Samsung ya ha comenzado la producción de RDIMM de servidor de 32 GB basados en los nuevos chips de memoria. Estos módulos funcionarán a frecuencias de hasta 2400 MHz, que es un 29 % más rápido que los DDR3 RDIMM para servidores del mismo tamaño que funcionan a 1866 MHz.

En el futuro, Samsung planea crear chips de memoria multicapa utilizando chips de 8 Gb y conexiones TSV (vía de silicio). El chip, que incluirá cuatro chips de 8 Gb, tendrá una capacidad de 32 Gb, lo que permitirá crear módulos de memoria de hasta 128 GB.

Samsung es el primer fabricante de memorias para PC en producir chips DDR4 de 8 Gb con tecnología de 20 nm. Este enfoque reducirá el tamaño de los chips y, en consecuencia, su coste. Es poco probable que los chips de 8 Gb se vuelvan populares en el mercado de PC en el corto plazo, pero los servidores y algunas estaciones de trabajo usarán módulos basados en ellos.

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Durante la prueba, la pantalla se dejó caer desde una altura de 1,2 metros hasta 26 veces seguidas. En el propio Samsung, el nuevo desarrollo se probó dejándolo caer desde una altura de 1,8 metros, y la pantalla también se mantuvo sana y salva.

Además, se probó el rendimiento de la pantalla a temperaturas extremas. El dispositivo soportó tanto -32 grados como +71 grados.

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