Siddhartha Gautama (Buda). Los aforismos más famosos.

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Siddhartha Gautama (Buda). Los aforismos más famosos.

Todo para todo siempre.
Cualquier apego intensificado a todo lo terrenal es sufrimiento.
Si la mano de una persona no está herida, puede tocar veneno de serpiente: el veneno no es peligroso para una mano sana, solo porque el mal es inofensivo si no hace el mal por sí mismo.
La verdadera fe no es una fe ostentosa en los templos, manifestada en ritos, costumbres, sino escondida en los corazones, madurada en las obras.
La victoria engendra odio, el vencido vive en el dolor. En la felicidad vive la calma, quien ha rechazado la victoria y la derrota.
Los constructores de canales sueltan agua, los arqueros dominan una flecha, los carpinteros dominan la madera, los sabios se humillan.

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Energía del espacio para Starship 08.05.2024

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El silicio ha sido el material de microchip dominante durante décadas, pero su dominio puede estar llegando a su fin. Investigadores del MIT han descubierto que una aleación de arseniuro de indio y galio podría ser la base para fabricar transistores más pequeños y más eficientes energéticamente.

Los transistores son los componentes básicos de las computadoras. Actúan como interruptores, ya sea interrumpiendo la corriente eléctrica o permitiendo que continúe y, por lo tanto, aseguran el funcionamiento de las computadoras. Sin embargo, para que el crecimiento de la potencia informática no se detenga, se necesitan transistores más compactos. Hoy en día, la fabricación de semiconductores se basa en el silicio, pero existen alternativas. Por ejemplo, arseniuro de indio y galio (InGaAs).

Este material tiene excelentes propiedades de transporte de electrones. Los transistores InGaAs pueden procesar señales rápidamente y operar a un voltaje relativamente bajo, lo que significa que realmente pueden mejorar el rendimiento de las computadoras. Pero hay una trampa, escribe MIT News. A pequeña escala, se degrada el famoso transporte de electrones de este compuesto. Este problema ha llevado a algunos investigadores a declarar que el InGaAs es un material inadecuado para la producción de transistores.

Sin embargo, los científicos del MIT descubrieron que los problemas de rendimiento del arseniuro de indio y galio se deben en parte a la captura de óxido, lo que dificulta que los electrones pasen a través de los transistores.

Después de estudiar su dependencia de la frecuencia, la velocidad a la que viajan los pulsos eléctricos a través de un transistor, notaron que el rendimiento de InGaAs cae a bajas frecuencias. Pero a una frecuencia de 1 GHz o más, la conexión funciona perfectamente, no peor que el silicio.

Los científicos confían en que este problema pueda resolverse o reducirse a nada, y también esperan que su descubrimiento estimule nuevas investigaciones sobre el arseniuro de indio y galio.

Los nanotubos de carbono podrían ser otra alternativa al silicio en los transistores de efecto de campo, pero hasta ahora se han producido en pequeñas cantidades en los laboratorios. Especialistas de los Estados Unidos propusieron una tecnología para crear CNFET a escala industrial.

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