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¿Qué animales cubren los granjeros finlandeses con pintura reflectante? Respuesta detallada

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¿Sabías?

¿Qué animales cubren los granjeros finlandeses con pintura reflectante?

Los alces y los ciervos suelen ser víctimas de los coches, especialmente en las noches de invierno, cuando debido a las carreteras resbaladizas el conductor no tiene tiempo de reducir la velocidad frente a un animal que ha abandonado el bosque. Solo en Finlandia, 4000 renos mueren en las vías cada año. Para reducir este número, los pastores de renos recientemente comenzaron a rociar los cuernos de sus animales con un aerosol que, cuando se seca, se convierte en una capa reflectante.

Autores: Jimmy Wales, Larry Sanger

 Dato interesante al azar de la Gran Enciclopedia:

¿Qué tronco de árbol es el más grande en circunferencia?

El poseedor del récord a este respecto es la castaña de siembra (Castanea sativa) en Sicilia.

En 1875, la circunferencia de los cinco troncos fusionados de este árbol era de 64,2 metros. En la actualidad, este árbol se ha secado parcialmente, lo que no es sorprendente: los expertos estiman su edad en 3600-4000 años.

 ¡Prueba tus conocimientos! Sabías...

▪ ¿Cuál es el mamífero más pequeño?

▪ ¿Cuándo comenzaron a construirse las primeras casas?

▪ ¿Por qué septiembre es el nueve del año, aunque literalmente significa el séptimo?

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El ruido del tráfico retrasa el crecimiento de los polluelos 06.05.2024

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Noticias aleatorias del Archivo

Base para chips de memoria ReRAM con una densidad de 100 Gbit 28.06.2017

Sony Semiconductor Solutions habló sobre los desarrollos relacionados con la memoria ReRAM, que combina las ventajas de DRAM y NAND.

Las tecnologías clave desarrolladas por los especialistas de Sony permitirán la producción de chips de memoria ReRAM de alta densidad.

La memoria, creada por Sony Semiconductor Solutions, utiliza iones de cobre. El diseño de la celda incluye solo un elemento de muestra y un elemento resistivo (estructura 1S1R). Esto hace posible fabricar la memoria en forma de una matriz simple de líneas que se cruzan y disponer dichas matrices en varias capas, aumentando la densidad.

Uno de los nuevos desarrollos es una barrera entre el depósito de iones y el electrolito, que reduce la resistencia desigual. Debido a esto, es posible aumentar la densidad de almacenamiento.

La segunda tecnología es el dopaje del elemento de muestreo con boro y carbono, por lo que se reduce la corriente de fuga y se aumenta el recurso.

Según Sony Semiconductor Solutions, las tecnologías desarrolladas permitirán producir memorias ReRAM con un tiempo de escritura de 100 ns, un recurso de 10 millones de ciclos y una densidad de alrededor de 100 Gbps.

Se espera que ReRAM llene el vacío entre DRAM y NAND en términos de costo, rendimiento e integración.

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