¿Qué episodio de la Operación Y fue filmado por Gaidai en base a su experiencia personal en el ejército? Respuesta detallada

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¿Sabías?

¿Qué episodio de la Operación Y fue filmado por Gaidai en base a su experiencia personal en el ejército?

Leonid Gaidai fue reclutado por el ejército en 1942 y sirvió por primera vez en Mongolia, donde montó a caballo para el frente. Una vez, un comisario militar llegó a la unidad para reclutar refuerzos para el ejército en el campo. A la pregunta del oficial: "¿Quién está en la artillería?" - Gaidai respondió: "¡Yo!". También respondió otras preguntas: “¿Quién está en la caballería?”, “¿En la flota?”, “¿En la inteligencia?”, lo que provocó el descontento del jefe. "Sí, espera, Gaidai", dijo el comisario militar, "déjame anunciarte la lista completa". Más tarde, el director adaptó este episodio para la película "Operación "Y" y otras aventuras de Shurik".

Autores: Jimmy Wales, Larry Sanger

Dato interesante al azar de la Gran Enciclopedia:

¿Cuándo apareció el primer buzón?

El primer buzón de Europa, es decir, uno en el que se podía depositar una carta sabiendo que sería entregada al destinatario, apareció en Prusia en 1824. Previo a esto, el propio remitente tenía que llevarlo al departamento de correos.

¡Prueba tus conocimientos! Sabías...

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Memoria ultrarrápida y supereficiente creada 28.05.2012

University College London (UCL) fue el primer lugar en crear chips de "memoria resistiva de acceso aleatorio" (Resistive RAM, ReRAM) basados en óxido de silicio, que funcionan en condiciones normales. Este logro allana el camino para una nueva memoria de ultra alta velocidad, según creen los investigadores.

El principio de funcionamiento de ReRAM es cambiar la resistencia del material bajo la influencia del voltaje. La memoria es no volátil, es decir, conserva su estado en ausencia de alimentación. Las ventajas de ReRAM sobre la memoria flash actualmente ampliamente utilizada incluyen, además de alta velocidad, mayor densidad, mayor durabilidad y menor consumo de energía.

El trabajo en la creación de ReRAM ha estado ocurriendo durante mucho tiempo. De informes recientes sobre este tema, podemos recordar las noticias sobre el prototipo de ReRAM, creado por Elpida Memory a principios de este año.

La diferencia entre el desarrollo de UCL y todos los anteriores radica en la nueva estructura de la celda de memoria, que consiste en óxido de silicio. Se caracteriza por una mayor eficiencia al cambiar la celda de un estado a otro. Bajo la acción de un voltaje de conmutación, se forman o destruyen "filamentos" de silicio en el óxido, disminuyendo o aumentando respectivamente la resistencia de la celda. Es importante que el chip funcione en condiciones normales y no en el vacío, como otros diseños en desarrollo, que también utilizan óxido de silicio.

Una característica interesante de la nueva memoria es la posibilidad de formarla en forma de finas películas transparentes, por ejemplo, integradas en las pantallas táctiles de los dispositivos móviles. En comparación con la memoria flash, la ReRAM basada en Londres consume unas mil veces menos energía y es unas cien veces más rápida.

Curiosamente, como ocurre en la ciencia, la nueva memoria no se creó a propósito: los investigadores estudiaron la posibilidad de utilizar óxido de silicio en los LED y llamaron la atención sobre la inestabilidad de los parámetros de la película de óxido y su capacidad para adoptar dos estados.

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