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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Receptor de radio con transistores de efecto de campo. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Radioaficionado principiante Numerosas publicaciones en la revista "Radio" sobre receptores detectores simples y receptores de amplificación directa indican que el interés de los radioaficionados en esta técnica no se desvanece. Aunque VHF FM ahora es victorioso, los receptores DW-MW AM simples también pueden encontrar su lugar, especialmente para la recepción de largo alcance en un momento posterior. La autora del artículo decidió no quedarse al margen y ofrece su propia versión de un receptor de amplificación directa. El receptor de radio tiene solo cinco transistores, pero tiene una sensibilidad muy alta y un volumen de sonido alto, desarrollando una potencia de 0,5 W en una cabeza de 8 ohmios. El receptor tiene un sistema AGC de umbral. Este altavoz receptor experimental está destinado principalmente a la modernización de altavoces de un solo programa o para experimentos en el hogar, en la escuela o en círculos de radio, ya que su maqueta se puede realizar en poco tiempo. La señal de las estaciones de radio del rango LW o MW se recibe en la antena magnética WA1 (Fig. 1), se selecciona mediante un circuito selectivo que consta de una bobina L1 y un capacitor variable C1, y a través del capacitor C2 ingresa al primero etapa de la URF, ensamblada en un transistor de efecto de campo VT1. Esta etapa tiene una impedancia de entrada muy alta y apenas desvía el circuito oscilatorio, lo que permite prescindir de una bobina de acoplamiento. El transistor de efecto de campo amplifica bien la señal en términos de potencia, pero no lo suficiente en términos de voltaje, por lo que la segunda etapa se realiza en un transistor bipolar con un alto coeficiente de transferencia de corriente. Esto permite obtener el rango de amplitud de la señal en la entrada del detector en fracciones de voltio.
El detector está montado sobre diodos de germanio de alta frecuencia VD1, VD2. Los condensadores C7, C8 filtran el voltaje de baja frecuencia de las ondas de señal de alta frecuencia. Se realiza un sistema AGC de umbral en el diodo VD3 y la cadena R6C5.A un nivel de señal alto, el diodo VD3 se abre y el voltaje negativo, suministrado a la puerta VT1 a través de la resistencia R2, cierra este transistor, como resultado de lo cual el la ganancia en cascada disminuye. El voltaje de baja frecuencia del control de volumen R8 se suministra al UZCH, ensamblado en los transistores VT3-VT5. El uso de un transistor de efecto de campo en la etapa de entrada permitió obtener un amplificador con una alta impedancia de entrada y una gran ganancia de potencia y voltaje con un circuito muy simple. Para que el convertidor de frecuencia ultrasónico funcione en un cabezal dinámico de baja resistencia, se necesita un seguidor de emisor en los transistores VT4, VT5. Se aplica un pequeño voltaje de polarización positiva a la puerta VT3 desde una resistencia sintonizada R12. La resistencia R9 establece la corriente de reposo de los transistores VT4, VT5. Los diodos de germanio VD4, VD5, fijados con resortes en las cajas VT4, VT5, son necesarios para la estabilización de la temperatura de esta corriente. Para mejorar la selectividad del receptor y aumentar aún más la sensibilidad, puede introducir una pequeña retroalimentación positiva, como se muestra en la Fig. 2.
La bobina de retroalimentación L2 contiene 2 vueltas de un cable de montaje delgado enrollado en la varilla de la antena magnética WA1. La polaridad de la conexión L2 se determina cuando se configura para aumentar el volumen de recepción. El condensador C * se instala si es necesario reducir el aumento excesivo en el factor de calidad de la antena en la parte de alta frecuencia del rango. El receptor utiliza resistencias MLT-0,125, resistencias de sintonización - SPZ-386. Resistencia variable R8: cualquier tamaño pequeño, con una resistencia de 33 ... 100 kOhm, mejor con un interruptor de encendido. Condensadores no polares utilizados KM-5, K73-9, K10-17. KPI C1: cualquier tipo con una capacidad máxima de 240 ... 500 pF, preferiblemente con un vernier sin juego y mejor con un dieléctrico de aire, ya que no crea bacalao durante la reestructuración. Condensadores de óxido - K50-16, K50-35. Los diodos VD1, VD2 se pueden reemplazar por 1D507A, D18, D20, VD3, cualquiera de los silicios KD503, KD510, KD521. VD4, VD5: cualquiera de las series D2, D9, GD507. El transistor VT1 es deseable para elegir un voltaje de corte bajo para un buen rendimiento de AGC. VT2: cualquiera de las series KT3102, KT342, KT315, preferiblemente con una relación de transferencia de corriente de al menos 150. VT3: cualquiera de las series KP501. VT4, VT5: cualquiera de las series indicadas. Cabezal dinámico para una potencia de 1...4 W con una resistencia de 8...10 Ohmios, por ejemplo, 1GD-36 o similar. Para la antena, es adecuada una barra de ferrita de 400NN con un diámetro de 8 o 10 mm y una longitud de 18 ... 25 cm La bobina L1 está enrollada en un marco de cartón. Para la gama MW, contiene 55 vueltas, para la gama LW, 150-200 vueltas. Se aconseja enrollar la bobina con litocentrado LESHO 7x0,07 o LESHO 21x0,07. El receptor se puede montar en la placa de circuito impreso que se muestra en la fig. 3. Para que no se excite, las cascadas de RF y el detector deben cerrarse con una pantalla metálica de latón delgado o estaño conectada a un cable común. Después de eso, está permitido reducir la capacitancia del capacitor C2 a 30 pF. Inicialmente, se toma más grande para hacer un cortocircuito a un cable común a través de la interferencia L1 de la red. La resistencia R12 establece el voltaje en los emisores VT4, VT5, igual a la mitad del voltaje de suministro. La resistencia R9 regula la corriente de reposo de estos transistores (10...12 mA).
Los límites de los rangos del receptor se establecen seleccionando el número de vueltas de la bobina L1 y moviéndola a lo largo de la varilla. Al seleccionar las resistencias R1 y R3, el voltaje en el drenaje VT1 y el colector VT2 se establece en aproximadamente 4 V con la bobina L1 cerrada. El receptor se puede hacer de doble banda (LW y SV) si enrolla dos bobinas L1 y las cambia, por ejemplo, con el botón P2K. El receptor está alimentado por una unidad de red estabilizada con un voltaje de 9 V. Por la noche, en la banda MW, recibe muy fuerte muchas estaciones de radio extranjeras que se encuentran a varios cientos e incluso miles de kilómetros del punto de recepción. Autor: Zh.Mikheeva, pueblo Ivanishchevo, región de Yaroslavl
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