Parámetros técnicos de BMT utilizados en balastos electrónicos. Esquema, descripción

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Balastros electrónicos basados en elementos discretos. Parámetros técnicos de BMT utilizados en balastros electrónicos. Conceptos básicos del diseño de circuitos. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Balastos para lámparas fluorescentes

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La tecnología para producir transistores de potencia bipolares (BMT) eficientes fue desarrollada hace varios años por MOTOROLA y recibió el nombre de H2BIP (Transistores bipolares de alta ganancia y alta frecuencia).

Nota. La esencia de esta nueva tecnología es que en una estructura semiconductora, además del BMT principal de alto voltaje, se crea un circuito de subsaturación activo para este transistor y un diodo antiparalelo integrado entre su colector y emisor.

Los BMT creados con esta tecnología se caracterizan por tener las mejores combinaciones de indicadores estáticos, dinámicos y de energía entre los transistores bipolares, al tiempo que tienen una variación insignificante (no más de ±0,15 μs) en el tiempo de reabsorción t._s. Los dispositivos de esta serie como BUL45D2, BUL38D, BUL39D, MJE18004D2 y los populares MJE13003, MJE13005, MJE13007, MJE13009 se utilizan con éxito en balastos electrónicos (que hoy en día son productos prometedores con gran demanda).

Los tipos BMT MJE13003, MJE13005, MJE13007, MJE13009 son producidos por muchos fabricantes, por lo que en lugar de MJE pueden estar presentes las designaciones ST, RHE, KSE, HA, MJF, etc.

En mesa 3.11 muestra los parámetros técnicos de los BMT más utilizados en balastros electrónicos.

Características del circuito

Un análisis comparativo de los modos de los interruptores de salida de un balastro electrónico típico, ensamblado mediante un circuito de medio puente y controlando el funcionamiento de dos lámparas fluorescentes con una potencia de 36-40 W cada una a una frecuencia de conmutación de 30-50 kHz. muestra que el nivel de pérdida total de energía en los interruptores cuando se usa BMT tipo BUL45D2 es el mismo que el MJE13005 de MOTOROLA, es un valor muy pequeño (aproximadamente 0,5 W por transistor).

Se obtienen aproximadamente los mismos indicadores cuando se utilizan BMT domésticos de los tipos KT8136A y KT8181A producidos por JSC ELEKTRONPRIBOR (JSC FZMT, Fryazino) en estas unidades. En el caso de utilizar balastros similares con corriente y tensión equivalentes

Tabla 3.11. Parámetros técnicos de BMT utilizados en balastros electrónicos.

Parámetros técnicos de BMT utilizados en balastos electrónicos. Fundamentos de circuitos

MOSFET tipo IRF830 o IGBT "ultrarrápido" tipo IRGB410U de IR, el nivel de pérdida de energía en estos MT es 1,5-2 veces mayor (0,8-1,0 W por transistor).

BMT también es notablemente más barato que sus prototipos de la competencia, lo que es de fundamental importancia para obtener un precio final bajo de los balastos electrónicos, ya que están destinados a sustituir los balastos electromecánicos (estranguladores con arranque) ineficientes pero baratos que se utilizan actualmente en la luminotecnia en luminarias con LL. .

Autor: Koryakin-Chernyak S.L.

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