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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA
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Corriente continua admisible para cables con conductores de aluminio con aislamiento de caucho o plástico en cubiertas de plomo, PVC y caucho, armados y no blindados. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Manual del electricista

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Corriente continua admisible para cables con conductores de aluminio con aislamiento de caucho o plástico en cubiertas de plomo, PVC y caucho, armados y no blindados:

Sección del conductor, mm Corriente*, A, para cables
núcleo simple de dos núcleos tres núcleos
al acostarse
en el aire en el aire en el suelo en el aire en el suelo
2,5 23 21 34 19 29
4 31 29 42 27 38
6 38 38 55 32 46
10 60 55 80 42 70
16 75 70 105 60 90
25 105 90 135 75 115
35 130 105 160 90 140
50 165 135 205 110 175
70 210 165 245 140 210
95 250 200 295 170 255
120 295 230 340 200 295
150 340 270 390 235 335
185 390 310 440 270 385
240 465 - - - -

Nota. Las corrientes continuas admisibles para cables de cuatro hilos con aislamiento de plástico para tensiones de hasta 1 kV se pueden seleccionar de acuerdo con esta tabla como para cables de tres hilos, pero con un factor de 0,92.

Publicación: electro.narod.ru

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Los nuevos RDIMM incluyen 36 chips DDR4 DRAM, cada uno de los cuales consta de cuatro chips DDR4 DRAM de 4 Gb. Los chips de bajo consumo se fabrican utilizando el proceso de clase de 20 nm de última generación de Samsung y la tecnología de paquete 3D TSV.

"Con la introducción de módulos DDR4 de bajo consumo ensamblados con tecnología 3D TSV, estamos dando un gran paso hacia el mercado principal de DDR4, que debería expandirse significativamente con la introducción esperada de CPU de próxima generación en la segunda mitad de este año". dijo Jiho Baik, vicepresidente de la división de marketing de soluciones de memoria de Samsung Electronics.

En general, la compañía señaló que la producción en masa de módulos 3D TSV marca un nuevo hito en la historia de la tecnología de memoria, luego de la primera producción de Samsung de memoria flash 3D Vertical NAND (V-NAND) el año pasado. Mientras que la tecnología 3D V-NAND utiliza estructuras de matriz de celdas verticales altas dentro de un troquel monolítico, 3D TSV es una tecnología de apilamiento innovadora que permite interconectar capas verticales de chips, explicó la compañía.
.
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