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Corriente continua admisible para cables con conductores de aluminio con aislamiento de caucho o plástico en cubiertas de plomo, PVC y caucho, armados y no blindados. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Manual del electricista
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Corriente continua admisible para cables con conductores de aluminio con aislamiento de caucho o plástico en cubiertas de plomo, PVC y caucho, armados y no blindados:
Sección del conductor, mm |
Corriente*, A, para cables |
núcleo simple |
de dos núcleos |
tres núcleos |
al acostarse |
en el aire |
en el aire |
en el suelo |
en el aire |
en el suelo |
2,5 |
23 |
21 |
34 |
19 |
29 |
4 |
31 |
29 |
42 |
27 |
38 |
6 |
38 |
38 |
55 |
32 |
46 |
10 |
60 |
55 |
80 |
42 |
70 |
16 |
75 |
70 |
105 |
60 |
90 |
25 |
105 |
90 |
135 |
75 |
115 |
35 |
130 |
105 |
160 |
90 |
140 |
50 |
165 |
135 |
205 |
110 |
175 |
70 |
210 |
165 |
245 |
140 |
210 |
95 |
250 |
200 |
295 |
170 |
255 |
120 |
295 |
230 |
340 |
200 |
295 |
150 |
340 |
270 |
390 |
235 |
335 |
185 |
390 |
310 |
440 |
270 |
385 |
240 |
465 |
- |
- |
- |
- |
Nota. Las corrientes continuas admisibles para cables de cuatro hilos con aislamiento de plástico para tensiones de hasta 1 kV se pueden seleccionar de acuerdo con esta tabla como para cables de tres hilos, pero con un factor de 0,92.
Publicación: electro.narod.ru
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Los nuevos RDIMM incluyen 36 chips DDR4 DRAM, cada uno de los cuales consta de cuatro chips DDR4 DRAM de 4 Gb. Los chips de bajo consumo se fabrican utilizando el proceso de clase de 20 nm de última generación de Samsung y la tecnología de paquete 3D TSV.
"Con la introducción de módulos DDR4 de bajo consumo ensamblados con tecnología 3D TSV, estamos dando un gran paso hacia el mercado principal de DDR4, que debería expandirse significativamente con la introducción esperada de CPU de próxima generación en la segunda mitad de este año". dijo Jiho Baik, vicepresidente de la división de marketing de soluciones de memoria de Samsung Electronics.
En general, la compañía señaló que la producción en masa de módulos 3D TSV marca un nuevo hito en la historia de la tecnología de memoria, luego de la primera producción de Samsung de memoria flash 3D Vertical NAND (V-NAND) el año pasado. Mientras que la tecnología 3D V-NAND utiliza estructuras de matriz de celdas verticales altas dentro de un troquel monolítico, 3D TSV es una tecnología de apilamiento innovadora que permite interconectar capas verticales de chips, explicó la compañía.
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"Para crear un paquete DRAM TSV 3D, los troqueles DDR4 se muelen hasta un grosor de solo unas pocas decenas de micras, después de lo cual se crean cientos de pequeños agujeros en los troqueles. Se interconectan verticalmente mediante electrodos que se pasan a través de los agujeros, "dijeron los representantes de Samsung. El nuevo módulo TSV de 64 GB tiene el doble de rendimiento que el módulo de 64 GB, donde los paquetes usan montaje con cable, y el consumo de energía de los módulos se reduce aproximadamente a la mitad".
En el futuro, Samsung dice que será posible interconectar más de cuatro matrices DDR4 utilizando la tecnología 3D TSV, lo que permitirá construir módulos DRAM de mayor densidad. Esto acelerará la expansión del mercado de memoria premium y la transición de memoria DDR3 a DDR4 en el mercado de servidores.
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