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Para mediciones de radioaficionados, puede usar el indicador de resonancia heterodino que se muestra en la figura.
En el circuito, puede usar transistores como KP303 (VT1) y KT361 (VT2), diodos KD514.
Los datos de los inductores dependen del rango seleccionado. El original usaba un conjunto de 6 circuitos montados en conectores de tres pines.
Literatura
- Electrónica Jarbuch 1988, c.169
Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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Un aumento en la potencia conduce a una reducción en el tiempo de carga. Toshiba estima que el TC7766WBG puede cargar baterías de dispositivos móviles a la misma velocidad que un cargador con cable, con tres veces la potencia recibida por un chip similar que Toshiba produce actualmente. Al mismo tiempo, en términos de dimensiones, 2,4 x 3,67 x 0,5 mm, el nuevo microcircuito no difiere de su predecesor. Es adecuado para teléfonos inteligentes, tabletas y otros dispositivos electrónicos.
El TC7766WBG integra los circuitos rectificadores y los controladores necesarios para construir un sistema de carga inalámbrico. El voltaje de salida se puede seleccionar en el rango de 5-14 V, pero la corriente máxima no puede exceder los 1,7 A. El proceso de fabricación patentado CD-0.13 se utiliza para fabricar el microcircuito. Diseño externo TC7766WBG - WCSP28.
Queda por aclarar que el estándar Qi v1.2 aún está en desarrollo, las muestras de prueba del TC7766WBG deberían aparecer antes de finales de este año y el fabricante espera comenzar la producción en serie en la primavera de 2016.
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