GIR en un transistor de efecto de campo. Esquema, descripción

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GIR en un transistor de efecto de campo. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Un dispositivo común para los radioaficionados es un indicador de resonancia heterodino (GIR). Los accesorios de lámparas de este tipo eran incómodos de manejar, ya que contenían un rectificador pesado y debían conectarse a una fuente de alimentación de CA. Los dispositivos de transistores son mucho más livianos, más cómodos de usar y, por lo tanto, disfrutan de un éxito bien merecido. La llegada de los transistores de efecto de campo hizo posible crear un GIR más sensible.

En la fig. 1. El IP del indicador de cuadrante puede tener una corriente de desviación completa de 50 a 500 μA. Se pueden tomar bobinas de repuesto para diferentes longitudes de onda de los circuitos de radios de transistores industriales. Para bobinas que operan en rangos de hasta 5-6 MHz, debe generar una salida promedio. En bandas de frecuencias más altas, no se requiere la salida media. El GIR está calibrado contra una buena radio de fábrica conocida.

GIR en un transistor de efecto de campo
Ris.1

En el caso de que no haya un dispositivo de puntero sensible, puede arreglárselas con uno menos sensible, por ejemplo, con una escala de 0-5 mA. En este caso, se agrega un amplificador de CC en un transistor T2 (Fig. 2). La sensibilidad del indicador se puede ajustar en un amplio rango con el potenciómetro R5.

GIR en un transistor de efecto de campo
Ris.2

En lugar del transistor T1, puede usar un transistor de efecto de campo KP302 con cualquier índice de letras: en lugar del transistor G2 - MP37 o MP38 con cualquier índice de letras; diodo D1-D2A. Con este reemplazo, es necesario invertir la polaridad de la batería y el diodo D1.

Literatura

"Inalámbrico práctico", 1972, febrero.

Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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