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Fuente de alimentación en miniatura, 220/5-12 voltios 100 miliamperios. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Fuentes de alimentación

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La unidad propuesta está diseñada para alimentar dispositivos radioelectrónicos de pequeño tamaño (radios de bolsillo, grabadoras de voz, relojes, etc.) desde la red. La tensión de salida se puede seleccionar de 5 a 12 V. Una de las ventajas de la unidad son sus pequeñas dimensiones: todas sus piezas están ubicadas en la carcasa del enchufe de red.

El diagrama esquemático del bloque se muestra en la Figura 5.37.

Fuente de alimentación en miniatura, 220/5-12 voltios 100 miliamperios

Principales características técnicas:

  • tensión de red con una frecuencia de 50 ... 500 Hz, V ..... 100 ... 250;
  • tensión de salida (según el estabilizador integrado utilizado), V.....5...12;
  • corriente nominal de carga (con una tensión de salida de 5 V), mA.....20;
  • máximo (a la misma tensión), mA.....100;
  • nivel de ondulación (a corriente nominal), no más de %.....1.

Funciona de la siguiente manera: la tensión de red rectificada por el puente de diodos VD1 se suministra a través del divisor R1, R3, R4 a la base del transistor VT2 y a través de la resistencia R2 a la base del transistor compuesto VT4, VT5 durante cada medio ciclo, siempre que la tensión en el punto de conexión de los colectores VT1, VT3 con respecto al emisor VT2 no exceda los 100 V, está cerrado, VT4, VT5 están abiertos y el condensador C1 se carga a través de las resistencias R1, R10 y la sección emisor-colector del transistor VT5. Cuando el voltaje en el punto especificado es superior a 100 V, VT2 abre y desvía la unión del emisor del transistor compuesto. El condensador C1 se descarga y alimenta el autooscilador de los transistores VT1, VT3. La frecuencia del oscilador es de aproximadamente 60 kHz. Del devanado secundario del transformador T1 se extrae una tensión de aproximadamente 7 V, que se rectifica mediante los diodos VD2, VD3, se alisa con el condensador C2 y se estabiliza con el estabilizador integrado DA1. El condensador C3 reduce el nivel de pulsaciones de alta frecuencia.

Las tensiones máximas colector-emisor de los transistores VT1, VT3 en estado estable no superan los 200 V, VT4 y VT5 - 210 V. La corriente máxima del transistor VT5 con las clasificaciones de los elementos indicadas en el diagrama y el coeficiente de transferencia de corriente de base estática h2b de Los transistores VT4, VT5, iguales a 25, no superan los 300 mA. En el momento del encendido, la tensión colector-emisor de los transistores VT4 y VT5 puede exceder los 300 V, y la corriente del colector VT5 - 0,5 A, lo que provocará su falla. Para limitar la corriente del colector VT5 en este momento, se utilizan la resistencia R10 y el diodo Zener VD4.

Para limitar el voltaje colector-emisor de un transistor compuesto, es aconsejable incluir un varistor entre el colector y el emisor VT5 a un voltaje de aproximadamente 250 V. Cuando se utiliza la unidad para alimentar una carga de baja potencia (con un consumo de corriente de no más de 5...10 mA), es aconsejable aumentar la resistencia de las resistencias R6 y R7 hasta 470 ohmios y reducir la capacitancia del condensador C1 a 2,2...4,7 μF (en este caso, la unidad se calienta menos y aumentará la fiabilidad de su funcionamiento).

Además del KT3130A (VT2), el dispositivo puede utilizar cualquier transistor de esta serie, así como la serie KT3102 o extranjeros de características similares (por ejemplo, BCW60D). Los transistores KT940A son intercambiables con KT969A, BF469/PLP (VT1, VT3) o KT969A, BF459 (VT4, VT5). Los condensadores C1, C2 son importados, es posible utilizar K50-35, C3 - K10-17. Diodos VD2, VD3: cualquier diodo de silicio de pequeño tamaño con una corriente directa permitida de al menos 100 mA, un voltaje inverso de al menos 20 V y una frecuencia de funcionamiento de al menos 150 kHz. Resistencias R1...R3 - C1-4 u otras con una tensión de funcionamiento de al menos 350 V, el resto - C2-33, C2-23, MLT, OMLT o similares.

El transformador T1 está enrollado sobre dos anillos de ferrita (2000 NM) de tamaño estándar K10x8x1 plegados. Los devanados 2-4 y 5-8 contienen 1 vueltas de cable PEV-0,1-2, los devanados 3-3 y 4-200 - 6 vueltas del mismo cable, los devanados 7-7 y 8-14 - 22, 28 cada uno, o 1 vueltas de cable PEV-0,17-5 (respectivamente, para tensiones de salida 9, 12 o 40 V). Para el aislamiento externo y entre devanados, se recomienda utilizar una película fluoroplástica o una película de PET. En la versión original, la fuente de alimentación está montada en un enchufe estándar con un diámetro de 27 y una altura de XNUMX mm.

La placa de circuito impreso (Fig. 5.38) está hecha de un laminado de fibra de vidrio de doble cara con un espesor de 0,5 mm.

Fuente de alimentación en miniatura, 220/5-12 voltios 100 miliamperios

La distancia entre los centros de los orificios de la placa para las clavijas del enchufe es de 19 mm. Todas las resistencias, excepto R2 y R3, se instalan perpendiculares al tablero. El diodo Zener VD4 está soldado a los conductores impresos desde el lado de montaje del transistor VT2. Los cables provenientes de las clavijas del enchufe están soldados a las almohadillas de contacto marcadas con las letras "a" y "b", y los terminales de los devanados del transformador T1.8 están soldados a las almohadillas marcadas con 1. Colóquelo encima del condensador C3 en el espacio libre entre los transistores VT1, VT3 y el condensador C2. Ensamblada a partir de piezas reparables y sin errores de instalación, la unidad no requiere ajuste.

Autor: Semyan A.P.

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Una teoría sugiere que el envejecimiento cognitivo y el desarrollo de enfermedades neurológicas como la enfermedad de Alzheimer están asociados con procesos inflamatorios en el cuerpo, incluido el cerebro. Los trastornos metabólicos y la obesidad potencian estos procesos, lo que puede conducir a un mayor riesgo de demencia en personas con sobrepeso y resistencia a la insulina. Por lo tanto, se cree que reducir la inflamación puede reducir la probabilidad de desarrollar demencia e incluso ayudar a tratarla.

Las sustancias antiinflamatorias como las antocianinas se encuentran a menudo en alimentos naturales, incluidas las bayas y las fresas, que, según han descubierto los científicos de la Universidad de Cincinnati, tienen la capacidad de cruzar la barrera hematoencefálica hacia el cerebro. Desde este punto de vista, los investigadores decidieron comprobar si comer fresas con regularidad podría afectar la función cognitiva.

En el estudio, 30 participantes de entre 50 y 65 años, en su mayoría mujeres con sobrepeso u obesidad con deterioro leve de la memoria, tomaron cápsulas de fresa equivalentes a 130 gramos de bayas frescas o un placebo durante 12 semanas. Los resultados no mostraron mejoras en las medidas metabólicas asociadas con el sobrepeso, ni en la función ejecutiva, la memoria verbal o las habilidades espaciales. Sin embargo, el grupo de las fresas mostró una reducción en la interferencia de la memoria, un fenómeno en el que los viejos recuerdos interfieren con la capacidad de recordar otros nuevos, especialmente en la vejez y la demencia.

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