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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Multiplicador de calidad de antena magnética. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / recepción de radio Como sabe, los receptores simples de ganancia directa tienen baja sensibilidad y selectividad, especialmente en el rango de MW. Puede aumentarlos aplicando multiplicadores de factores de calidad. Las desventajas de los receptores simples se deben principalmente al hecho de que la recepción se realiza, por regla general, en una antena magnética, que es también el único elemento selectivo del receptor de amplificación directa. Cuando se enrolla con un cable de un solo núcleo, el factor de calidad de la antena magnética es bajo, especialmente si la primera etapa del amplificador de radiofrecuencia (URCH) se ensambla en un transistor bipolar. Debido a esto, el ancho de banda en el extremo superior del rango de MW es de 40 kHz o más. Una forma de mejorar la sensibilidad y la selectividad de un receptor de ganancia directa simple es usar un multiplicador de factor de calidad (multiplicador Q). Será posible implementarlo introduciendo retroalimentación positiva en la primera etapa de la RFP, es decir, refinándolo, como se propone en [1]. También puede introducir un dispositivo conmutable separado, descrito en [2], o un elemento con una resistencia diferencial negativa. Se puede obtener una operación más estable del multiplicador Q usando un análogo de un diodo de túnel como elemento con una resistencia diferencial negativa, por ejemplo, un "diodo lambda" [3, 4] en dos transistores de efecto de campo (Fig. 1). Aquí, el análogo está conectado en serie con una resistencia variable R1 y una bobina L3. La resistencia cambia suavemente el valor total de la resistencia negativa introducida en el circuito y, por lo tanto, su factor de calidad.
El modo CC proporciona un regulador de voltaje integrado DA1. El interruptor SA1 suministra voltaje al dispositivo, combinado con una resistencia. Las pruebas del dispositivo mostraron que en la sección de alta frecuencia del rango de MW (1,2 ... 1,6 MHz), el multiplicador le permite aumentar la señal en la entrada del URF en 10 ... 15 dB (3 .. . 5 veces) y reducir el ancho de banda varias veces, de 50 ... 60 a 10 kHz. Es cierto que debido a la introducción de capacitancia adicional en el circuito del receptor, simultáneamente con un cambio en el factor de calidad, su frecuencia de sintonización también cambió, aproximadamente 10 kHz por debajo de la frecuencia. La bobina L3 contenía el 15...25% de las vueltas de la bobina L1 y se colocó cerca de su extremo conectado a tierra. Los transistores fueron seleccionados con valores cercanos de corriente inicial y voltaje de corte. La resistencia, los transistores y el capacitor deben colocarse en la carcasa del receptor muy cerca de la antena magnética, la instalación debe realizarse mediante el método de bisagra con conductores de longitud mínima, la carcasa de la resistencia variable debe conectarse a un cable común. Está permitido usar transistores con una corriente inicial más baja (índices de letras A-D), pero luego será necesario reducir el voltaje aplicado al análogo del diodo lambda para que corresponda aproximadamente a la mitad de la sección con resistencia diferencial negativa [4]. La configuración del dispositivo se reduce a seleccionar el número de vueltas de la bobina L3 de tal manera que en la posición superior del motor de resistencia según el esquema, la generación se produce a la frecuencia de sintonización del circuito y desaparece con una ligera caída. cambio. Puede verificar esto con cualquier receptor con un rango de CB. En tal diseño, está permitido usar un análogo de un diodo de túnel en transistores bipolares (Fig. 2). Funciona de manera similar, pero debido a que la pendiente de la sección con resistencia diferencial negativa es más alta aquí, la resistencia variable R5 (se puede combinar con el interruptor SA1) se aplica con menos resistencia. La bobina L3 contiene menos vueltas en comparación con la versión anterior del multiplicador: el 5% del número de vueltas de la bobina L1.
El diseño descrito es confiable en operación y le permite aumentar el nivel de señal en la entrada URF hasta 20 dB (10 veces). Pero el ancho de banda se reduce a 6 kHz y la frecuencia de sintonización se desplaza hacia abajo en aproximadamente un 3%. Esto último se debe a las grandes capacidades intrínsecas de los transistores. Para reducir este efecto, es necesario utilizar transistores con una capacitancia más baja. Literatura
Autor: I. Nechaev, Kursk
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