Pinout de transistores bipolares y de efecto de campo comunes. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias

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Designaciones aceptadas en el directorio:
n - estructura npn, canal n para transistores de efecto de campo.
p - estructura pnp, canal p para transistores de efecto de campo.
# - caso alternativo, marcado
kr - salida de la caja del transistor.
e, b, k, s, i, s - salidas de transistor.

Autor: E.Pavlyniv, Chernivtsi.; Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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