Transistores de efecto de campo de la serie KP504. Dato de referencia

Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias

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Los transistores de silicio de canal n de efecto de campo KP504A-KP504E de potencia media con puerta aislada y enriquecimiento de canal se fabrican mediante tecnología epitaxial-planar. El dispositivo está equipado con un diodo protector de polarización inversa incorporado conectado entre la fuente y el drenaje.

Los transistores están diseñados para funcionar en fuentes de alimentación secundarias con entrada sin transformador, en reguladores, estabilizadores y convertidores de voltaje con control continuo y por pulsos, en unidades de accionamiento de motores eléctricos de baja potencia y otros equipos de uso doméstico e industrial.

Los dispositivos están alojados en una carcasa de plástico KT-26 (TO-92) con terminales rígidos estañados estampados (Fig. 1). Un análogo extranjero del transistor KP504A es el BSS88.

Características principales a Tacr.av = 25±10°C

• Tensión umbral, V, con una corriente de drenaje de 1 mA y una puerta-fuente conectada. . .0,6...2
• Resistencia de canal abierto, Ohm, no más, con una duración de pulso de no más de 300 μs y su ciclo de trabajo de al menos 50, con una corriente de drenaje de 0,25 A y un voltaje de fuente de puerta de 4,5 V para KP504A-KP504V, KP504D , KP504E... ...8
• KP504G......10
• Resistencia de canal abierto, Ohm, no más, con una duración de pulso no mayor a 300 μs y su ciclo de trabajo de al menos 50, con una corriente de drenaje de 14 mA y un voltaje puerta-fuente de 1,8 V para KP504A-KP504V, KP504D , KP504E.....15
• KP504G......18
• Corriente de drenaje residual, µA, no más, al voltaje de fuente de drenaje máximo permitido y voltaje de fuente de puerta cero...1
• Corriente de fuga de puerta, µA, no más, con voltaje de fuente de drenaje cero y voltaje de fuente de puerta ±20 V......±0,1
• Pendiente de la característica corriente-tensión, A/V, nada menos, con una duración de impulso no superior a 300 μs y su ciclo de trabajo de al menos 50, con una tensión drenaje-fuente de 5 V y una corriente de drenaje de 0,25 A. ......0,14, XNUMX
• Tensión directa constante del diodo de protección, V, no más, con una duración de pulso de no más de 300 μs y su ciclo de trabajo de al menos 50, con tensión de fuente de puerta cero y corriente a través del diodo de 0,5 A para
• KP504A, KP504V-KP504D......1,3
• KP504B, KP504E ...... 1,8

Resistencia térmica ambiente de cristal, °С/W, máx., para

• KP504A, KP504B......125
• KP504V-KP504E......177
• Capacitancia* del transistor, pF, no más, con voltaje de fuente de puerta cero, voltaje de fuente de drenaje de 25 V y frecuencia de entrada de 1 MHz...140
• fin de semana ...... 30
• a través del paso......9

* Parámetros de referencia.

Valores límite

• El voltaje de fuente de drenaje más alto, V, para KP504A, KP504B, KP504D, KP504E ...... 240
• KP504V......200
• KP504G......250
• Voltaje máximo de fuente de puerta, V ...... ± 10
• Consumo máximo de corriente continua*, mA, para
• KP504A, KP504B......250
• KP504V, KP504D, KP504E......200
• KP504G......180
• La corriente pulsada más alta * drenaje, A ...... 1
• Disipación de potencia constante máxima**, W, a una temperatura ambiente no superior a 25 °C, para KP504A, KP504B......1
• KP504V-KP504E......0,7
• La temperatura más alta del cristal, ° С ...... 150
• Rango de temperatura de funcionamiento del ambiente, °С......-55...+125

* Siempre que no se supere el poder máximo de disipación y la temperatura del cristal.

** A temperaturas ambiente Tam.av de +25 a +125 °C, la potencia máxima disipada Pmax debe reducirse de acuerdo con la fórmula Pmax = (Tcr max - Tam.av.)/RT.cr-avg, donde Tcr max es la temperatura más alta del cristal; RT.cr-sr - cristal-medio de resistencia térmica.

El valor permitido del potencial estático es 30 V según OST 11 073.062. El modo de funcionamiento y las condiciones para instalar transistores en el equipo están de acuerdo con OST 11 336.907.0.

A continuación se presentan las dependencias gráficas típicas más importantes de los parámetros de los transistores de la serie KP504. En la Fig. 2, a y b muestran las características de salida a dos valores de temperatura ambiente, y en la Fig. 3 - dependencia de la corriente de drenaje del voltaje de la fuente de la puerta. En la Fig. La figura 4 muestra la dependencia normalizada de la resistencia del canal abierto del dispositivo con la temperatura (RK es la relación entre la resistencia del canal actual y la resistencia a una temperatura del cristal de +25 °C).
Arroz. 5 ilustra el cambio de temperatura en el voltaje umbral, y la Fig. 6 - disipación de potencia constante máxima permitida. Una idea de cómo cambian los valores de la capacitancia de entrada, salida y paso de los transistores cuando cambia el voltaje de la fuente de drenaje se muestra en el gráfico de la Fig. 7. La dependencia de la pendiente de la característica corriente-voltaje y la resistencia del canal abierto de la corriente de drenaje se muestra en la Fig. 8 y 9 respectivamente. Las capacidades de potencia del diodo protector incorporado se muestran en la Fig. 10.

(haga clic para agrandar)

Autor: V.Kiselev, Minsk, Bielorrusia

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