Transistores de efecto de campo de la serie KP723. Dato de referencia
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias
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Los potentes transistores de canal n con efecto de campo de silicio KP723A-KP723G con puerta aislada, enriquecimiento de canal y un diodo inverso protector incorporado se fabrican utilizando tecnología epitaxial-planar. Están diseñados para funcionar en fuentes de alimentación secundarias, en reguladores de potencia, estabilizadores y convertidores de voltaje con control continuo y por pulsos, en fuentes de alimentación ininterrumpida para computadoras personales, en dispositivos de accionamiento de motores eléctricos y otras unidades y unidades de equipos de uso generalizado.
Los dispositivos están alojados en una caja de plástico KT-28 (según clasificación extranjera - TO-220) con terminales rígidos estañados estampados; peso del dispositivo: no más de 2,5 g.
Análogos funcionales extranjeros de los transistores KP723A - IRFZ44, KP723B - IRFZ45, KP723V - IRFZ40, KP723G - IRLZ44.
En términos de diseño de carcasa, circuito eléctrico de conexiones internas y distribución de pines, los transistores de las series KP723 y KP727 son similares.
Principales características técnicas a Tamb.av = 25 °С
- Tensión umbral, V, con una corriente de drenaje de 0,25 mA y compuerta y drenaje conectados para KP723A - KP723V......2...4
- KP723G......1...2
- Corriente de drenaje, A, no menos, con una duración de pulso de no más de 300 μs y un ciclo de trabajo de al menos 50 para KP723A y KP723B con un voltaje de fuente de drenaje de 1,75 V y un voltaje de puerta a fuente de 10 V. , para KP723B con un voltaje de fuente de drenaje de 2,25 V y fuente de compuerta de 10 V, para KP723G con un voltaje de fuente de drenaje de 1,75 V y fuente de compuerta de 5 V......50
- Resistencia de un canal de transistor abierto, Ohm, no más, con una duración de pulso de no más de 300 μs, un ciclo de trabajo de al menos 50 y una corriente de drenaje de 31 A para KP723A, KP723V (a un voltaje de fuente de puerta de 10 V).......0,028
- KP723B (10 V) ...... 0,035
- KP723G (5 V) ...... 0,028
- Corriente de drenaje residual, μA, no más, al voltaje de fuente de drenaje máximo permitido y voltaje de fuente de puerta cero...250
- Corriente de fuga de puerta, nA, no más, con una duración de pulso de no más de 300 μs, un ciclo de trabajo de al menos 50 y voltaje de fuente de drenaje cero para KP723A - KP723V con un voltaje de fuente de puerta de ±20 V, para KP723G con una tensión puerta-fuente de ±10 V ......100
- Pendiente característica, A/V, nada menos, con una duración de pulso de no más de 300 μs, ciclo de trabajo de no menos de 50, voltaje de fuente de drenaje 25 V, corriente de drenaje 31 A para KP723A-KP723V...... 15
- KP723G......23
- Resistencia térmica, °C/W, no más, transición - carcasa......1
- transición - entorno ...... 62
- Tiempo de encendido, no, no más, con un voltaje de fuente de drenaje de 30 V, una corriente de drenaje de 51 A para KP723A-KP723V (con una resistencia de salida de la fuente de señal de 9,1 ohmios y un voltaje de fuente de puerta de 10 V).......130
- KP723G (4,6 ohmios, 5 V)......247
- Tiempo de apagado, no, no más, con un voltaje de fuente de drenaje de 30 V, una corriente de drenaje de 51 A para KP723A-KP723V (con una resistencia de salida de la fuente de señal de 9,1 ohmios y un voltaje de fuente de puerta de 10 V).......150
- KP723G (4,6 ohmios, 5 V)......152
- Capacitancia de entrada*, pF, no más, con voltaje de fuente de puerta cero, voltaje de fuente de drenaje de 25 V y frecuencia de 1 MHz para KP723A-KP723V......2500
- KP723G......4300
- Capacitancia de salida*, pF, no más, con voltaje de fuente de puerta cero, voltaje de fuente de drenaje de 25 V y frecuencia de 1 MHz para KP723A-KP723V......1200
- KP723G......1600
- Capacitancia de paso*, pF, no más, con voltaje de fuente de puerta cero, voltaje de fuente de drenaje de 25 V y frecuencia de 1 MHz...290
- Tensión directa del diodo de protección, V, no más, con una duración de impulso no superior a 300 μs, ciclo de trabajo de al menos 50, tensión de fuente de puerta cero y corriente de drenaje** 51 A......2,5
Valores límite
- Voltaje máximo de fuente de drenaje, V, para KP723A, KP723B, KP723G .....60
- KP723V......50
- Tensión máxima de fuente de compuerta, V, para KP723A-KP723V......±20
- KP723G......±10
- La corriente de drenaje directa más alta, A, a una temperatura de caja de 25 ° C ...... 50
- La corriente de drenaje pulsada más alta, A, a una temperatura de caja de 25 ° C ...... 200
- Máxima disipación de potencia constante, W, con disipador de calor, a una temperatura de la carcasa de 25°C......150
- La temperatura de transición más alta, ° С ...... 175
- Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С -60...+125
El valor de potencial estático permitido es 200 V (grado de dureza III según OSB 1073.062).
El modo de funcionamiento y las condiciones para instalar transistores en el equipo deben cumplir con OSB 1336.907.0. No se permite el funcionamiento con dos o más valores de parámetros máximos permitidos. Para aumentar la confiabilidad y durabilidad, se recomienda utilizar transistores en modos donde los valores de los parámetros no excedan el 70% de los valores límite.
Durante la instalación, se permite doblar los cables una sola vez con un radio de curvatura de al menos 1,5 mm a una distancia no inferior a 5 mm del cuerpo, y solo en un plano perpendicular al plano de los cables y pasando a lo largo el cable doblado. No se permite torcer los cables.
La distancia desde el cuerpo hasta el lugar de estañado y soldadura no debe ser inferior a 5 mm. Temperatura de soldadura: no más de 265°C. El tiempo de estañado no debe exceder los 2 s y el tiempo de soldadura no debe exceder los 4 s.
Para mejorar la transferencia de calor desde la brida del transistor al disipador de calor, se recomienda utilizar lubricantes y pastas térmicamente conductores, por ejemplo, KPT-8 según GOST 19783. Si es necesario instalar una junta aislante debajo del transistor, su térmica Hay que tener en cuenta la resistencia.
En la Fig. 1-8 muestran dependencias gráficas típicas de los parámetros de los transistores de la serie KP723. En la figura se muestran las familias de características de salida de dispositivos a dos valores de temperatura corporal. 1 y 2, y en la Fig. 3 y 4 - sus características de transferencia.
Las dependencias normalizadas de la resistencia del canal abierto con la temperatura de la unión se muestran en la Fig. 5, y en la Fig. 6 - dependencia de la capacitancia de entrada, salida y paso del voltaje drenaje-fuente. Arroz. 7, ayb ilustran el cambio en la corriente a través del terminal de drenaje del transistor del voltaje aplicado a los terminales del canal en la polaridad que abre el diodo protector del dispositivo.
En la fig. 8 muestra las dependencias de temperatura de la corriente de drenaje limitante.
Autor: V. Kiselev, Minsk, Bielorrusia
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