Potente transistor de efecto de campo KP784A. Dato de referencia

Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias

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Los transistores de silicio de canal p KP784A con puerta aislada y enriquecimiento de canal, con un diodo protector incorporado, se fabrican utilizando tecnología epitaxial-planar. Los dispositivos están diseñados para funcionar en fuentes de alimentación secundarias con entrada sin transformador, en reguladores, estabilizadores y convertidores de voltaje con control continuo y por pulsos, en unidades de potencia de computadoras, en dispositivos de accionamiento de motores eléctricos y otros equipos de amplia aplicación.

Los transistores están alojados en una caja de plástico KT-28-2 (TO-220AV) con terminales rígidos estañados estampados (Fig. 1).

Peso del dispositivo: no más de 2,5 g.

Análogo extranjero del transistor KP784A - IRF9Z34.

Principales características técnicas

• Tensión de umbral, V, a una corriente de drenaje de 0,25 mA y puerta y fuente conectadas... 2...4
• Resistencia de canal abierto, Ohm, no más, con una duración de pulso no mayor a 300 μs y un ciclo de trabajo de al menos 50, con una corriente de drenaje de 11 A y un voltaje puerta-fuente de 10 V.....0,14
• Corriente de drenaje residual, µA, no más, con un voltaje de fuente de drenaje de 60 V y voltaje de drenaje de puerta cero.....100
• Corriente de fuga de puerta, µA, no más, con voltaje de fuente de puerta ±20 V y voltaje de fuente de drenaje cero... ±0,1
• Pendiente de la característica corriente-tensión, A/V, nada menos, con una duración de impulso no superior a 300 ms y un ciclo de trabajo de al menos 50, con una tensión drenaje-fuente de 25 V y una corriente de drenaje de 11 A .....5,9
• Tensión directa constante del diodo de protección, V, no más, con una duración de impulso inferior a 300 ms y un ciclo de trabajo superior a 50, con tensión puerta-fuente cero y corriente de drenaje de 18 A.....6,3
• Frecuencia operativa máxima, MHz.....1
• Resistencia térmica carcasa de transición, °С/W, máx.....1,7
• Tiempo de retardo de encendido, no, no más, con un voltaje drenaje-fuente de 30 V, una corriente de drenaje de 18 A y una resistencia de salida de la fuente de señal de 12 Ohmios.....40
• valor típico ..... 20
• Capacidad del transistor, pF, no más, con un voltaje de fuente de drenaje de 25 V, voltaje de fuente de puerta cero y una frecuencia de 1 MHz, entrada...1540
• dia libre.....660
• puesto de control ..... 140
• El tiempo de subida de la corriente de drenaje, sin dolor, con un voltaje de drenaje a fuente de 30 V, una corriente de drenaje de 18 A y una resistencia de salida de la fuente de señal de 12 Ohmios.....240
• valor típico ..... 120
• Tiempo de caída de la corriente de drenaje, no, no más, con un voltaje de drenaje a fuente de 30 V, una corriente de drenaje de 18 A y una resistencia de salida de la fuente de señal de 12 ohmios.....116
• valor típico ..... 58

* A la temperatura de la caja 25 °С.

Valores límite

• El voltaje de fuente de drenaje más alto, V ..... 60
• Voltaje máximo de fuente de puerta, V.....+20
• La corriente continua más alta * drenaje, A ..... 18
• La corriente pulsada más alta * drenaje, A ..... 72
• La disipación de potencia constante más alta, W, a una temperatura de caja de 25 °C ** ..... 88
• La temperatura de transición más alta, ° С..... 175
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С.....-55...+150

*Siempre que no se superen los valores máximos de potencia disipada y temperatura de unión.

** En el rango de temperatura de la carcasa Tcorp +25...+150 °C, la potencia máxima debe reducirse de acuerdo con la fórmula

Рmax =(Tnepmax -Tcorp)/Rt.n-k donde Tnepmax es la temperatura de transición más alta permitida; Rt.n-k - resistencia térmica de la caja de conexiones.

El valor permitido del potencial estático es 200 V (grado III de rigidez según OST 11073.062). El modo de funcionamiento y las condiciones para instalar transistores en el equipo deben cumplir con OST 11336.907.0 (ver artículo de V. Kiselev "Transistores de efecto de campo de la serie KP737"en "Radio", 2002, No. 5, págs. 47, 48). No se permiten más de tres resoldaduras de terminales de transistores durante las operaciones de instalación y montaje.

Las principales dependencias gráficas típicas de los parámetros del transistor KP784A se presentan en la Fig. 2-5.

En la Fig. 2,a yb muestran las dependencias de la corriente de drenaje Ic del voltaje de fuente de drenaje Usi para dos valores de la temperatura de la carcasa Tcorp - 25±10 y 150 °C, y en la Fig. 3 - del voltaje de fuente de puerta Uzi.

El cambio en la resistencia del canal RK de un transistor abierto en el rango operativo de temperatura de unión se ilustra en la figura. 4 (RK - valor actual de la resistencia del canal; Rк25 - resistencia del canal a Tper = 25 °C).

La dependencia de la capacitancia de entrada, salida y paso del voltaje de la fuente de drenaje se muestra en la Fig. 5.

Autor: V. Kisilei, Minsk, Bielorrusia

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