Transistores de efecto de campo. Símbolos para parámetros eléctricos. Dato de referencia

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Transistores de efecto de campo. Símbolos para parámetros eléctricos. Dato de referencia

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designación	Parámetro
S1-S2/I(U)	Pendiente FET (valores mínimo y máximo) medida a una corriente de drenaje dada (I) o a un voltaje de drenaje dado (U).
I01-I02/U	la corriente de drenaje inicial del FET (valores mínimo y máximo) y el voltaje de drenaje al que se mide este valor.
yo/tú	la corriente de fuga de puerta en el drenaje y la fuente combinados, y el voltaje de drenaje a puerta en el que se mide la corriente de fuga.
C11	capacitancia de entrada del transistor de efecto de campo. C11=Czi+Css.
C12	capacitancia de paso del transistor de efecto de campo. C12=Cs.
C22	capacitancia de salida del transistor de efecto de campo. C22=Css+Czi.
Adelante/Adelante	la figura de ruido del transistor de efecto de campo y la frecuencia a la que se realiza la medición.
(U0)Uzi/Es	voltaje de corte (U0) de un transistor de efecto de campo o voltaje de puerta-fuente (Uzi) a una corriente de drenaje dada (Ic).
Uzs	voltaje de CC máximo permitido entre la compuerta y el drenaje.
Uzi	voltaje de CC máximo permitido entre la puerta y la fuente.
usi	voltaje de CC máximo permitido entre el drenaje y la fuente.
ic	corriente de drenaje de CC máxima permitida.
P	la máxima disipación de potencia constante permitida en el transistor.
tipo	tipo de transistor de efecto de campo (MDP, PN o Schottky).
Kahn	Tipo de canal FET.
tsok	número de la figura con la ubicación de las conclusiones.

Publicación: cxem.net

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