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Protección de transistores de microondas. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Nodos de equipos de radioaficionados

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Probablemente muchas personas conocen la desagradable sensación de pérdida cuando un transistor escaso o muy caro falla durante la sintonización o los experimentos.

Para protegerlo de un ataque cardíaco prematuro y salvar su presupuesto familiar, sugiero usar dispositivos simples durante los experimentos que lo protegerán de tales situaciones. Se trata de la protección actual de los transistores.

Para proteger los transistores, se incluyen resistencias en el circuito de alimentación del colector, que limitan la corriente durante las sobrecargas. El grado de protección del transistor es directamente proporcional al valor de la resistencia de la resistencia. Con un aumento en la resistencia, hay una pérdida de potencia en la cascada, la linealidad se deteriora, la potencia se desperdicia inútilmente en la resistencia. Por lo tanto, se elige un valor de resistencia de compromiso que sea aceptable para un caso particular.

La situación es aún peor en la tecnología de microondas, donde la capacitancia de las uniones pn depende del voltaje entre los electrodos del transistor. Con los tipos de modulación de pulsos (SSB, CW), la corriente en cascada varía de 0 al valor máximo. En este caso, el voltaje en el colector cambiará debido a la caída en la resistencia. Esto provoca un cambio en la sintonización de los circuitos resonantes, la señal amplificada "se desmorona", aparece la autoexcitación de la cascada. De esto se deduce que para alimentar los circuitos colectores de los transistores, es necesario utilizar un voltaje más estable y realizar la protección de corriente mediante un limitador de corriente umbral.

Protección de transistores de microondas
Ris.1

Consideraremos el funcionamiento de este dispositivo utilizando el ejemplo de un circuito mezclador TX de 1296 MHz (Fig. 1), cuando el voltaje en los terminales de la resistencia R2 alcanza un valor en el que se abre el diodo VD1, se abre el transistor VT1, VT2 cierra, la tensión de alimentación cae. El uso de un circuito de protección permitió obtener un modo de funcionamiento más lineal del mezclador y proteger el transistor cuando se bombea a través de la entrada de 144 MHz. En un amplificador de 1296 MHz de dos etapas, se usa un circuito de protección que elimina el voltaje de suministro de ambas etapas simultáneamente cuando se excede el valor de corriente especificado de uno de los transistores del amplificador (Fig. 2).

Protección de transistores de microondas
Fig.2 (haga clic para ampliar)

La corriente de apagado se regula paso a paso por el número de diodos y suavemente por la selección de la resistencia de las resistencias R2, R4. Algunos transistores (por ejemplo, KT979, KT946), debido a sus características de diseño, tienen una corriente de reposo inicial. En el modo de recepción y cuando se trabaja en otros rangos, es necesario quitar la tensión de alimentación de la cascada. Esta operación la realiza el dispositivo, cuyo esquema se muestra en la Fig. 3.

Protección de transistores de microondas
Ris.3

Además de la conmutación de voltaje, el circuito proporciona protección de corriente de la cascada.

Autor: V. Petrushnko (RB5EC), Dnepropetrovsk; Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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