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Alivio de los nervios. Consejos para un modelador

Modelado

Directorio / Equipos de radiocontrol

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Los modelistas saben lo difícil que es aligerar una nervadura delgada sin comprometer su resistencia. En el círculo de modelado de aeronaves de nuestra Casa de Pioneros, el método de aserrado ha sido reemplazado con éxito por el troquelado.

Al mismo tiempo, no se viola la fuerza de la pieza y el trabajo se realiza mucho más rápido. Los agujeros se perforan con tubos de diferentes diámetros, afilados en el extremo en un torno (como un punzón o punzón).

alivio de costillas

Este método es aceptable no solo para aligerar las costillas, sino también en la fabricación de fuselajes, quillas en muchas otras partes.

Autor: A. Buyanov

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Una nueva forma de controlar y manipular señales ópticas 05.05.2024

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Módulos de memoria móvil Samsung 8 GB LPDDR4 21.10.2016

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"El lanzamiento del nuevo y potente módulo DRAM móvil de 8 GB conducirá a dispositivos móviles emblemáticos de próxima generación de mayor rendimiento en todo el mundo", dijo Yoo Sung Choi, vicepresidente ejecutivo de marketing y ventas de memoria de Samsung Electronics. los últimos dispositivos con características como cámaras duales, video 4K UHD y tecnologías de realidad virtual".

La velocidad de transferencia de datos del nuevo módulo LPDDR4 de 8 GB alcanza los 4266 Mbps, que es el doble de rápido que la DRAM DDR4 para PC, que suele rondar los 2133 Mbps. Siempre que el ancho del bus de memoria sea de 64 bits (x64), esto garantiza la transferencia de datos a una velocidad de hasta 34 GB por segundo.

Las dimensiones de 8 GB LPDDR4 son inferiores a 15x15x1 mm, lo que cumple con los requisitos de tamaño de la mayoría de los dispositivos móviles ultradelgados modernos. Dependiendo de la preferencia del fabricante, se puede usar una pila de DRAM de menos de 1 mm de espesor junto con una unidad flash de propósito general o un procesador móvil para ahorrar espacio en la placa de circuito impreso.

En agosto de 2015, Samsung presentó la primera solución DRAM LPDDR4 de 12 GB en el mercado en 20 nm. El período de desarrollo de la nueva solución DRAM LPDDR16 de 4 GB en tecnología de proceso de 10 nm, así como la DRAM LPDDR8 de 4 GB, fue de 14 meses.

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