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Amplificador de antena alcance 2 metros. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / recepción de radio

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Se sabe que en la práctica de la radioafición es necesario recibir señales muy débiles, comparables en nivel con el ruido intrínseco del dispositivo receptor. En las bandas de VHF, los problemas adicionales son creados por el alimentador, cuyas pérdidas empeoran la relación señal/ruido en la entrada del receptor. Es por eso que los radioaficionados en VHF a menudo usan amplificadores de bajo ruido ubicados en la antena, que proporcionan un predominio notable de la señal sobre el ruido en la entrada del dispositivo receptor. El amplificador de antena, cuyo circuito se muestra en la figura, fue desarrollado por K. Britain (WA5VJB). Fue repetido con éxito por radioaficionados en diferentes países, en particular, en Bulgaria (se describió en la revista "Radio, Televisión, Electrónica").

La cifra de ruido de este amplificador es de aproximadamente 0,3 dB, pero es posible alcanzar valores más bajos, aproximadamente 0,15 dB. La verificación experimental mostró que el factor de ruido al reemplazar el transistor MGF1601 con el transistor ZP602G cambia ligeramente (no más de 0,2 dB). El amplificador funciona constantemente.

Alcance del amplificador de antena 2 metros
(haga clic para agrandar)

La instalación de elementos es volumétrica (bisagra), y cada elemento debe tener la mínima longitud posible de los conductores. La fuente del transistor es de alta frecuencia bloqueada por condensadores de montaje superficial (tipo SMD). El circuito de entrada del amplificador debe tener pérdidas insignificantes. Aquí es necesario utilizar condensadores sintonizados con un dieléctrico de aire (los de cerámica no son adecuados). Bobina L1 sin marco, contiene 5 vueltas de alambre desnudo plateado con un diámetro de 0,7 mm. El diámetro interior de la bobina es de 8 mm. El transformador T 1 tiene 2x3 vueltas de cable PEL de 0,3 mm. Está enrollado en un núcleo magnético de ferrita anular M50VCh-2, tamaño K5x3x2mm.

Se coloca una perla o anillo de ferrita en el terminal de drenaje del transistor. Antes de montar el transistor, sus terminales se interconectan con un cable delgado, que se retira después de montar el amplificador. Sólo se deben utilizar soldaduras de baja temperatura para soldar cables de transistores. Además, es necesario soldar de forma rápida y cuidadosa: el sobrecalentamiento empeora los parámetros de ruido del transistor y también es posible una rotura electrostática del canal. La soldadura debe realizarse con un soldador con punta puesta a tierra desconectado de la red eléctrica.

No es recomendable utilizar generadores de ruido de tubo para sintonizar un amplificador en un transistor de efecto de campo de GaAs, ya que su señal de salida a veces contiene sobretensiones, de las cuales puede fallar un costoso MGF1601. Aquí es mejor usar un generador de ruido de semiconductor moderno.

El coeficiente de atenuación del atenuador del circuito de salida se elige en función de las condiciones específicas (coeficiente de atenuación del cable y factor de ruido del receptor). Al optimizarlo, puede eliminar la ganancia excesiva de la cascada y aumentar el límite superior del rango dinámico del receptor.

El voltaje de suministro se estabiliza y no se apaga cuando el amplificador ya está instalado en la antena. Esto reduce el riesgo de ruptura del transistor por captaciones estáticas.

El funcionamiento del amplificador en las condiciones de la ciudad de Sofía mostró que la recepción de señales débiles está limitada por la interferencia industrial y dicho amplificador no proporciona una mejora significativa al recibir señales muy débiles. En tales condiciones, un buen amplificador basado en un transistor MOS-FET (por ejemplo, BF966S, KP350, etc.) da aproximadamente los mismos resultados que en un transistor de efecto de campo de GaAs. El efecto de usar este último solo se puede sentir en condiciones de recepción sin QRM urbano.

Autor: Andrzej Gaidarjchev (LZ3UF), Sofía, Bulgaria; Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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