Un balasto electrónico en miniatura basado en el chip IR51HD420 con calentamiento de frecuencia de una sola etapa de los electrodos y un circuito de alimentación convencional. Esquema, descripción

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Balastos electrónicos. Un balasto electrónico en miniatura basado en el chip IR51HD420 con calentamiento de frecuencia de una sola etapa de los electrodos y un circuito de alimentación convencional. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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El transistor VT1 (BS170) es un transistor MOS de canal n en el paquete TO-92 con parámetros:

corriente máxima de drenaje I_D - 0,7 A;
voltaje máximo de drenaje-fuente V_DS - 60 V;
disipación de potencia máxima P_D - 800 mW;
resistencia abierta R_DS -1,2 ohmios.

El transistor puede ser reemplazado. en KP501, BSS89, BST76, VN2401 o cualquier otro con parámetros similares. La placa de circuito impreso y la disposición de los elementos se muestra en la fig. 3.27.

Soluciones de circuitoutilizados en los balastos electrónicos IR5xHD420 se aplican a los balastos electrónicos IR215x discutidos anteriormente.

Arroz. 3.26. Esquema de balasto electrónico con calefacción de una etapa (haga clic para ampliar)

Balasto electrónico en miniatura basado en el chip IR51HD420 con calentamiento de frecuencia de una sola etapa de los electrodos y un circuito de alimentación convencional
Arroz. 3.27. Tablero de circuitos y disposición de elementos de balasto con calentamiento de una etapa.

Autor: Koryakin-Chernyak S.L.

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La investigadora del Centro de Investigación Atmosférica de la Universidad de Illinois, Victoria Wittig, analizó datos de más de 250 publicaciones en revistas revisadas por pares y llegó a la siguiente estimación: la tasa de formación de biomasa arbórea es ahora un 7% menor que en 1800. Y si la tasa de crecimiento del ozono continúa, para el año 2100 la biomasa crecerá un 10% más lentamente. Además, los árboles de hoja ancha sufren más que las coníferas.

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Vitaly
El encendido de frecuencia electrónica en el BS170 funciona muy bien con los chips IR2153-IR2155. Hice balastos para LB-36 y LB-80, C6 y C7 usaban 1 nF 50 V, mientras desconectaba la salida superior de C7 de la 3ra pata del microcircuito y la conectaba al drenaje del transistor. Para el LB-80, es mejor reemplazar el diodo zener de 5,6 V con 7,5 V. La resistencia R5 debe configurarse en 15 KΩ.

Nicholas
Y si, además, agregamos autobombeo en lugar de un circuito amortiguador de los transistores de salida a través de una resistencia de 51 ohmios, un capacitor de 1 nF y un par de diodos 1N4148, entonces obtenemos un circuito de balasto IR2153 muy decente y confiable.

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