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Amplificador de potencia a 144 MHz. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Amplificadores de potencia de RF

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El cuerpo es de fibra de vidrio de 2 mm de espesor, al que se le acopla un radiador en todo el perímetro. Se hace un agujero en la parte inferior de la caja exactamente del tamaño de la caja del transistor, que se asienta sobre el radiador, y la parte inferior es tan gruesa que los cables emisores del transistor descansan sobre la lámina de la caja y se presionan contra ella con placas de latón. y tornillos M3. Para que la base y el colector no toquen el "suelo", debajo de ellos, cerca de la caja del transistor, la lámina se retira 3 mm y los cables se doblan ligeramente hacia arriba. C2 y C3 están montados verticalmente en bastidores G de latón, que son la conexión a tierra de los rotores, C1 y C4, en bastidores en forma de U hechos de textolita.

amplificador de potencia de 144 MHz

Diseño de amplificador

Detalles:

C1, C2, C3, C4 - 1KPM 1 (3 ... 27pf).
L1 - 3 vueltas con alambre de 0,8 mm, diámetro de bobinado de 6 mm.
L2 - 8 vueltas con alambre de 0,8 mm, diámetro de bobinado de 5 mm, l=18 mm.
L3: 4 vueltas con un neumático de 2x0,7 mm, diámetro de bobinado de 8 mm, l = 16 mm.
L4: 4 vueltas con cable de 0,8 mm, diámetro de bobinado de 15 mm (resistencia R2 dentro de la bobina).
Transistor KT930A (30 V, 2,4 A), KT931A (30 V, 3 A).

Cuando se usa el transistor KT931A, se cortocircuitan 2 vueltas en L2, se agregan tres capacitores al circuito, que se muestran en líneas de puntos. Seleccionando estas capacidades y L2 se negocia la RA.

Autor: Yu.Grebnev (RA9AA); Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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