Amplificadores de potencia de banda ancha sobre transistores de efecto de campo. Esquema, descripción

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Amplificadores de potencia de banda ancha sobre transistores de efecto de campo. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Amplificador de potencia con neutralización de la capacitancia de paso del transistor.

Un amplificador de un solo extremo de este tipo solo puede funcionar en clase A. Su rendimiento energético es similar al de los amplificadores de transformadores de baja frecuencia de un solo extremo. El valor de eficiencia típico no suele superar el 35...40% (al mismo tiempo, las distorsiones no lineales son bastante notables, debido principalmente al segundo armónico). El amplificador basado en el transistor VMP1 a Uc=24 V proporciona Pout=4 W a Ku=15 dB y la banda de frecuencia amplificada de 2 a 150 MHz.

Fig.1 (haga clic para ampliar)

T1 está enrollado con un giro de dos cables con un diámetro de 0.3 mm y contiene 4 vueltas. Núcleo tipo F625-BQ2. Puede utilizar un anillo de RF doméstico con baja permeabilidad magnética.

Amplificador de potencia con circuito de retroalimentación negativa en paralelo

Esta variante del amplificador sin transformador de entrada y sin neutralizar la capacitancia CXNUMXs tiene la mitad del ancho de banda.

Amplificadores de potencia de banda ancha basados en transistores de efecto de campo
Ris.2

Varias variantes de tales amplificadores (según el diseño de los transformadores y los transistores utilizados) proporcionan una ganancia Ku=12...30 dB en la banda de frecuencia de hasta 300 MHz con una figura de ruido de 3...5 dB.

Amplificador de potencia de banda ancha push-pull

Una mejora significativa en los parámetros de energía de los PA de banda ancha solo es posible cuando se usan cascadas push-pull que funcionan en el modo de clase AB. Esta versión del circuito se muestra en la Fig.3. A K=15 dB en la banda 2...100 MHz, proporciona Рout=8 W. La impedancia de entrada y salida del amplificador es de 50 ohmios.

Amplificadores de potencia de banda ancha basados en transistores de efecto de campo
Ris.3

Los condensadores Cn se utilizan para la neutralización. Los desarrolladores de este amplificador recomiendan reducir la inductancia parásita de la resistencia R2 conectando cuatro o cinco resistencias más grandes en paralelo. Por el contrario, para reducir la capacitancia parásita de las resistencias R1 y R4, es recomendable hacerlas en forma de varias resistencias conectadas en serie con un valor nominal más bajo.

Los transformadores están hechos de manera similar al circuito en la Fig. 1 (torsión de 3 cables - 4 vueltas). El tipo de transistores de efecto de campo no se proporciona en el artículo (creo que puede usar transistores del tipo KP901).

Literaturaа

1. Revista EDN, 20 de junio de 1974, p.71-75.
2. Circuitos de dispositivos basados en potentes transistores de efecto de campo. Directorio. ed. vicepresidente Dyakonova.

Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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